副安装座及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种具有钎焊接合时的浸润性良好的电极层的副安装座和其制造方法。在搭载半导体装置的副安装座（１）中，在副安装座基板（２）的表面上形成基板保护层（３），在基板保护层（３）上形成电极层（４），在电极层（４）上形成钎焊层（５），使电极层（４）的表面的平均粗糙度为低于０．１μｍ。由于电极层（４）的表面平均粗糙度较小，所以钎焊层（５）的浸润性提高，能够无焊剂地将钎焊层（５）与半导体装置之间牢固地接合。能够得到在搭载了半导体装置时热阻较小的副安装座（１），半导体装置的温度上升变小，半导体装置的性能及寿命提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在半导体装置中使用的。
技术介绍
通常，在将半导体装置封装化时，搭载到散热板或散热器上，进行 从半导体装置产生的热的散热。有为了改善散热特性而在半导体装置与 散热板之间夹装热传导率较高的基板、即副安装座(Submoimt)部件的 情况。作为该热传导率较高的基板，己知有氮化铝(A1N)等。在将副安装座与半导体装置接合的情况下，作为一个要求有其接合 强度。在以往技术中，通过昂贵的贵金属设置粘附层、或者为了提高配 置在钎焊层的底面上的电极层与基板之间的接合强度而调节基板本身 的表面粗糙度。在专利文献1中，公开了在由按照Ti、 Pt、 Au的顺序层叠的金属 层覆盖的副安装座中，在Au上隔着由Ti和Pt构成的钎焊粘附层和钎 焊层还搭载了半导体发光元件的副安装座构造。在该文献中记载有以下 内容在将半导体发光元件接合在钎焊层上时，与半导体发光元件的接 合强度为40MPa以上，并且在副安装座中使用的基板的表面粗糙度 (Ra)优选为ltxm以下、更优选为O.lum以下。如果表面粗糙度超 过lum，则在半导体发光元件的接合时容易在与副安装座之间产生间 隙，因此半导体发光元件的冷却效果降本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种副安装座，其是在副安装座基板上覆盖钎焊层，从而由所述钎焊层来接合半导体元件的副安装座，其特征在于，　构成所述钎焊层的元素的组成比在钎焊层的深度方向上变化。

【技术特征摘要】
JP 2005-3-18 079985/2005;JP 2005-3-28 091941/2005;1、一种副安装座，其是在副安装座基板上覆盖钎焊层，从而由所述钎焊层来接合半导体元件的副安装座，其特征在于，构成所述钎焊层的元素的组成比在钎焊层的深度方向上变化。2、 如权利要求1所述的副安装座，其特征在于，所述钎焊层的组 成比在钎焊层的深度方向上变化，以使接合所述半导体元件的表面侧的 熔点比其背面侧的熔点低。3、 如权利要求2所述的副安装座，其特征在于，所述钎焊层的表 面侧的熔点与背面侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：大鹿嘉和，中野雅之，
申请(专利权)人：同和电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[]