【技术实现步骤摘要】
本技术提供了一种micro led封装结构及显示屏，属于led封装。
技术介绍
1、现有常规倒装芯片为镀金芯片，芯片与基板的键合采用丝网印刷锡膏工艺，通过回流焊形成锡键合，完成芯片与基板的电性链接。现有常规基板的固晶基岛镀层为镀金层，采用丝网印刷锡膏工艺，通过回流焊形成锡键合，完成芯片与基板的电性链接。倒装芯片电极间距≤30μm时，传统封装的丝网印刷加回流焊工艺，由于基板线路、丝网印刷、芯片固晶存在的公差，导致锡膏高温熔融过程出现电极间锡链接的微短路异常，存在短路漏电风险。
技术实现思路
1、本技术为了解决传统倒装封装结构的led存在短路漏电的问题，提出了一种micro led封装结构及显示屏，目的是通过硬件改进或者对硬件模块和/或电路的组合连接进行改进从而实现led封装的高可靠性。
2、为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为：一种micro led封装结构，包括倒装的r、g、b的micro led芯片和基板，所述micro led芯片上设置有两个芯片电极，每个芯片电极上沉积有铜质微凸点，所述基板上划分有对应r、g、b的micro led芯片电极的基板固晶基岛，每个基板固晶基岛上沉积有基板固晶基岛微凸点，所述micro led芯片上的铜质微凸点与基板上的基板固晶基岛微凸点进行铜铜键合形成铜铜键合点，所述micro led芯片上设置有塑封体进行塑封。
3、所述micro led芯片的两个芯片电极之间的间距≤30μm。
4、所述micro le
5、所述基板上的基板固晶基岛微凸点通过掩膜电镀方式形成，基板固晶基岛微凸点的直径≤40μm，高度≤20μm。
6、所述基板具体采用bt载板或fr4载板或玻璃载板。
7、所述基板的厚度为0.04mm-0.5mm。
8、所述micro led芯片与基板通过热压成型工艺，完成芯片电极上铜质微凸点和基板固晶基岛微凸点的铜铜键合，形成电性链接。
9、所述塑封体具体采用树脂材料。
10、一种显示屏，采用micro led封装结构制成。
11、本技术相对于现有技术具备的有益效果为：
12、本技术的芯片电极与基板固晶基岛采用铜铜键合工艺，避免锡键合导致的微短路异常，提高封装器件及其构成的显示屏可靠性。
13、micro led封装品质要求高，芯片与基板采用铜铜键合工艺的封装，有如下优势：①避免传统锡键合导致的微短路异常，提升可靠性；②优化封装工艺，去掉传统锡膏丝网印刷工艺流程。
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1. 一种Micro LED封装结构，其特征在于：包括倒装的R、G、B的Micro LED芯片和基板，所述Micro LED芯片上设置有两个芯片电极，每个芯片电极上沉积有铜质微凸点，所述基板上划分有对应R、G、B的Micro LED芯片电极的基板固晶基岛，每个基板固晶基岛上沉积有基板固晶基岛微凸点，所述Micro LED芯片上的铜质微凸点与基板上的基板固晶基岛微凸点进行铜铜键合形成铜铜键合点，所述Micro LED芯片上设置有塑封体进行塑封。
2. 根据权利要求1所述的一种Micro LED封装结构，其特征在于：所述Micro LED芯片的两个芯片电极之间的间距≤30μm。
3. 根据权利要求2所述的一种Micro LED封装结构，其特征在于：所述Micro LED芯片上的铜质微凸点通过表面沉积铜层工艺形成，其中铜质微凸点的直径≤40μm，高度≤20μm。
4. 根据权利要求1所述的一种Micro LED封装结构，其特征在于：所述基板上的基板固晶基岛微凸点通过掩膜电镀方式形成，基板固晶基岛微凸点的直径≤40μm，高度≤20μm。
5
6. 根据权利要求5所述的一种Micro LED封装结构，其特征在于：所述基板的厚度为0.04mm-0.5mm。
7. 根据权利要求1所述的一种Micro LED封装结构，其特征在于：所述Micro LED芯片与基板通过热压成型工艺，完成芯片电极上铜质微凸点和基板固晶基岛微凸点的铜铜键合，形成电性链接。
8. 根据权利要求1所述的一种Micro LED封装结构，其特征在于：所述塑封体具体采用树脂材料。
9. 一种显示屏，其特征在于：采用如权利要求1-8任一项所述的Micro LED封装结构制成。
...【技术特征摘要】
1. 一种micro led封装结构，其特征在于：包括倒装的r、g、b的micro led芯片和基板，所述micro led芯片上设置有两个芯片电极，每个芯片电极上沉积有铜质微凸点，所述基板上划分有对应r、g、b的micro led芯片电极的基板固晶基岛，每个基板固晶基岛上沉积有基板固晶基岛微凸点，所述micro led芯片上的铜质微凸点与基板上的基板固晶基岛微凸点进行铜铜键合形成铜铜键合点，所述micro led芯片上设置有塑封体进行塑封。
2. 根据权利要求1所述的一种micro led封装结构，其特征在于：所述micro led芯片的两个芯片电极之间的间距≤30μm。
3. 根据权利要求2所述的一种micro led封装结构，其特征在于：所述micro led芯片上的铜质微凸点通过表面沉积铜层工艺形成，其中铜质微凸点的直径≤40μm，高度≤20μm。
4. 根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：颉信忠，刘天生，
申请(专利权)人：山西高科华杰光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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