【技术实现步骤摘要】
本申请涉及天线，特别是涉及一种基站天线。
技术介绍
1、随着无线通信技术的发展，对数据服务的需求呈几何增长。基站天线的小型化、轻量化及多频化成为主要的发展方向，需要基站天线同时具有高增益、宽频带、多频段、低副瓣以及高隔离等性能指标。其中，超宽频带的需求对天线方向图波束收敛度提出更高的要求。
2、相关技术中，为提高天线的利用率，多频段融合天线中将高、低频辐射单元的振子安装在同一天线反射板上，组成不同频段阵列，以满足天线在不同频段、环境下的使用。然而，超宽频多频段融合基站天线中不同频段阵列间存在耦合影响，容易出现在低频段部分波束宽度过宽造成越区覆盖，而在高频段部分波束宽度过窄出现覆盖盲区的情况，超宽频带波束收敛度不佳。
技术实现思路
1、本申请的目的是提供一种满足宽频带、多频段、超宽频带波束收敛度良好要求的基站天线。
2、本申请提供一种基站天线，包括：反射板；低频阵列，包括沿第一方向排列的多个低频辐射单元，至少两列所述低频阵列沿第二方向并排地布置于所述反射板上，所述第一方向与所述第二方向彼此垂直；高频阵列，包括沿所述第一方向排列的多个高频辐射单元，至少四列所述高频阵列沿所述第二方向并排地布置于所述反射板上，每列所述低频阵列的两侧对称设置两列所述高频阵列；以及第一边界阵列，设置于所述反射板上，并位于任意相邻两列所述低频阵列的对称轴线上，所述第一边界阵列包括沿所述第一方向排列的多个第一边界，所述第一边界为超材料边界，所述第一边界阵列的多个所述第一边界与相邻的所述低频
3、在一些实施例中，所述第一边界的介电常数为2.8至4.2。
4、在一些实施例中，沿所述第一方向上，所述第一边界的尺寸为所述低频辐射单元的辐射面尺寸的0.7倍至1.2倍；和/或，沿所述第一方向上，所述第一边界的尺寸为所述高频辐射单元的辐射面尺寸的1.5倍至2.5倍。
5、在一些实施例中，所述第一边界阵列的相邻两所述第一边界的中心的间距与所述低频阵列的相邻两所述低频辐射单元的中心的间距相等，所述低频阵列的相邻两所述低频辐射单元的中心的间距为所述低频辐射单元中心频点对应波长的0.65倍至0.85倍；和/或，所述低频阵列的相邻两所述低频辐射单元的中心的间距为所述高频阵列的相邻两所述高频辐射单元的中心的间距的2.2倍至2.7倍。
6、在一些实施例中，所述第一边界的高度为所述低频辐射单元的高度的0.8倍至1.2倍。
7、在一些实施例中，所述第一边界的高度大于所述低频辐射单元的高度；和/或，所述第一边界的厚度为3毫米至10毫米。
8、在一些实施例中，所述基站天线还包括设置于所述反射板上的第二边界阵列，所述第二边界阵列包括沿所述第一方向排列的多个第二边界，所述第二边界为金属边界；位于两边缘列之间的每列所述高频阵列的两侧对称设置有两列所述第二边界阵列，每列所述第二边界阵列的多个所述第二边界与相邻的所述高频阵列的多个所述高频辐射单元一一对应设置。
9、在一些实施例中，沿所述第一方向上，所述第二边界的尺寸为所述高频辐射单元中心频点对应波长的0.4倍至0.75倍；和/或，所述第二边界的高度为所述高频辐射单元的辐射面距离所述反射板的高度的0.4倍至0.6倍。
10、在一些实施例中，所述第二边界连接于所述反射板上，所述第二边界包括设于远离所述反射板的一端的边界上段，所述边界上段沿所述第二方向朝向远离所述高频辐射单元的方向弯折延伸；沿所述第二方向上，所述边界上段的尺寸为所述高频辐射单元中心频点对应波长的0.05倍至0.15倍。
11、在一些实施例中，相邻两列所述低频阵列的所述低频辐射单元的中心的间距为所述低频辐射单元中心频点对应波长的0.7倍至0.8倍；和/或，相邻两列所述高频阵列的所述高频辐射单元的中心的间距为所述高频辐射单元中心频点对应波长的0.9倍至1.1倍。
12、上述基站天线，通过在相邻两列低频阵列之间设置第一边界阵列，并设置第一边界为超材料边界，可以在不改变基站天线整机外形尺寸的前提下，减小相邻两列低频阵列间的耦合影响，并提升低频阵列的扇区功率比，改善低频阵列的水平面收敛度，保证低频频段内较好的网络覆盖，同时减少对高频阵列性能指标的影响，并改善高频阵列的水平面收敛度，改善不同列高频阵列因环境变化所导致的波宽差异问题，提升多列高频阵列波宽的一致性，进而提升多列高频阵列指标一致性，有效解决超宽频多频段融合天线中不同频段阵列间的耦合影响问题，提升基站天线整机性能，满足宽频带、多频段、超宽频带波束收敛度良好的要求。
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1.一种基站天线，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基站天线，其特征在于，所述第一边界的介电常数为2.8至4.2。
3.根据权利要求1所述的基站天线，其特征在于，沿所述第一方向上，所述第一边界的尺寸为所述低频辐射单元的辐射面尺寸的0.7倍至1.2倍；
4.根据权利要求1所述的基站天线，其特征在于，所述第一边界阵列的相邻两所述第一边界的中心的间距与所述低频阵列的相邻两所述低频辐射单元的中心的间距相等，所述低频阵列的相邻两所述低频辐射单元的中心的间距为所述低频辐射单元中心频点对应波长的0.65倍至0.85倍；
5.根据权利要求1所述的基站天线，其特征在于，所述第一边界的高度为所述低频辐射单元的高度的0.8倍至1.2倍。
6.根据权利要求5所述的基站天线，其特征在于，所述第一边界的高度大于所述低频辐射单元的高度；
7.根据权利要求1至6任一项所述的基站天线，其特征在于，所述基站天线还包括设置于所述反射板上的第二边界阵列，所述第二边界阵列包括沿所述第一方向排列的多个第二边界，所述第二边界为金属边界；
...【技术特征摘要】
1.一种基站天线，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的基站天线，其特征在于，所述第一边界的介电常数为2.8至4.2。
3.根据权利要求1所述的基站天线，其特征在于，沿所述第一方向上，所述第一边界的尺寸为所述低频辐射单元的辐射面尺寸的0.7倍至1.2倍；
4.根据权利要求1所述的基站天线，其特征在于，所述第一边界阵列的相邻两所述第一边界的中心的间距与所述低频阵列的相邻两所述低频辐射单元的中心的间距相等，所述低频阵列的相邻两所述低频辐射单元的中心的间距为所述低频辐射单元中心频点对应波长的0.65倍至0.85倍；
5.根据权利要求1所述的基站天线，其特征在于，所述第一边界的高度为所述低频辐射单元的高度的0.8倍至1.2倍。
6.根据权利要求5所述的基站天线，其特征在于，所述第一边界的高度大于所述低频辐射单元的高度；
7.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：周书磊，于辉，
申请(专利权)人：中信科移动通信技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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