【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种液体阴极辉光放电光谱邻近带峰引起基线漂移的干扰校正方法，属于原子光谱金属元素分析。
技术介绍
1、液体阴极辉光放电-原子发射光谱技术作为一种无机元素分析手段，已在水、牛奶、血清等不同液体样品元素分析领域研究应用。该技术以固体电极为阳极，进样试液为阴极，两极间施加几百伏电压，两极间空气电离产生微等离子体。待测元素通过挥发、溅射等方式进入等离子体，进而激发产生特征发射光谱。
2、在将液体阴极辉光放电-原子发射光谱技术应用于分析复杂液体样品，尤其是以工业废水为代表的高盐样品时，随待测金属元素一同进入等离子体的还包括大量的钙、钠等元素，其谱峰宽度往往很宽，同时，上述元素也有可能与其他成分作用形成分子基团。进而产生带状辐射。从而为临近的待测元素分析带来基线漂移干扰，影响分析结果的准确度。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种液体阴极辉光放电光谱邻近带峰引起基线漂移的干扰校正方法。
2、为实现上述目的，本专利技术的技术方案如下。
3、一种液体阴极辉光放电光谱邻近带峰引起基线漂移的干扰校正方法，方法步骤包括：
4、根据未校正前得到的待测元素谱图确定产生带状谱（宽峰）的干扰元素种类；
5、配制一系列浓度梯度的干扰元素标准溶液；
6、测量干扰元素标准溶液的带状谱（宽峰）峰高；
7、测量干扰元素标准溶液在待测元素分析波长处的峰高变化量；
8、建立带状谱（宽峰）峰高与分析
9、实际样品分析时，光谱仪监测待测元素波长强度，同时监测临近潜在干扰带状谱的峰高；
10、根据曲线拟合关系计算干扰强度，待测元素分析波长强度扣除干扰强度后，得到校正后的待测元素净（真实）发射强度。
11、进一步的，根据未校正前得到的待测元素谱图中带状辐射范围的最大辐射波长确定干扰元素种类。
12、进一步的，根据未校正前得到的待测元素谱图中干扰元素的峰高计算待测样品中干扰元素的浓度或直接测量待测样品中干扰元素的浓度。
13、进一步的，根据干扰元素的浓度，配制0~2倍干扰元素浓度范围的干扰元素标准溶液。
14、进一步的，所述干扰元素标准溶液的浓度梯度小于等于10mg/l。
15、进一步的，所述方法适用于高盐样品中金属元素的分析。
16、有益效果
17、本专利技术提供了一种液体阴极辉光放电光谱邻近带峰引起基线漂移的干扰校正方法，采用标准溶液配制引起干扰的元素的一组标准系列，预先测量该组干扰带状谱的峰高值以及对应的待测元素波长处峰高的强度值的变化量，建立干扰带状谱峰高与待测元素波长处峰高的关系。实际样品分析时，光谱仪除监测待测元素的特征波长下的辐射强度的同时，监测临近潜在干扰带状谱的峰高，由前期建立的带状谱（宽峰）峰高与分析波长峰高变化量曲线，换算出其带来的干扰强度，待测元素特征（分析）波长下的辐射予以扣除后，进行后续的定量计算。该方法用于高盐样品中金属元素分析时，可有效消除干扰，提升分析的准确度。
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1.一种液体阴极辉光放电光谱邻近带峰引起基线漂移的干扰校正方法，其特征在于：方法步骤包括：
2.如权利要求1所述的一种液体阴极辉光放电光谱邻近带峰引起基线漂移的干扰校正方法，其特征在于：根据未校正前得到的待测元素谱图中带状辐射范围的最大辐射波长确定干扰元素种类。
3.如权利要求1所述的一种液体阴极辉光放电光谱邻近带峰引起基线漂移的干扰校正方法，其特征在于：根据未校正前得到的待测元素谱图中干扰元素的峰高计算待测样品中干扰元素的浓度或直接测量待测样品中干扰元素的浓度。
4.如权利要求1或3所述的一种液体阴极辉光放电光谱邻近带峰引起基线漂移的干扰校正方法，其特征在于：根据干扰元素的浓度，配制0~2倍干扰元素浓度范围的干扰元素标准溶液。
5.如权利要求1所述的一种液体阴极辉光放电光谱邻近带峰引起基线漂移的干扰校正方法，其特征在于：所述干扰元素标准溶液的浓度梯度小于等于10mg/L。
6.如权利要求1所述的一种液体阴极辉光放电光谱邻近带峰引起基线漂移的干扰校正方法，其特征在于：所述方法适用于高盐样品中金属元素的分析。
【技术特征摘要】
1.一种液体阴极辉光放电光谱邻近带峰引起基线漂移的干扰校正方法，其特征在于：方法步骤包括：
2.如权利要求1所述的一种液体阴极辉光放电光谱邻近带峰引起基线漂移的干扰校正方法，其特征在于：根据未校正前得到的待测元素谱图中带状辐射范围的最大辐射波长确定干扰元素种类。
3.如权利要求1所述的一种液体阴极辉光放电光谱邻近带峰引起基线漂移的干扰校正方法，其特征在于：根据未校正前得到的待测元素谱图中干扰元素的峰高计算待测样品中干扰元素的浓度或直接测量待测样品中干扰元素的浓度...
【专利技术属性】
技术研发人员：祖文川，汪雨，刘紫譞，吴赞，姜雪成，蔡义珊，钱春燕，邵鹏，
申请(专利权)人：北京市科学技术研究院分析测试研究所北京市理化分析测试中心，
类型：发明
国别省市：
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