【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及纳米材料，尤其涉及一种立方晶系四氧化三钴量子点的溶剂热制备方法。
技术介绍
1、四氧化三钴量子点材料，拥有极大的比表面积、优良的赝电容性能以及优良的催化性能等，在超级电容器、电池以及催化等领域受到广泛的关注与研究。四氧化三钴量子点材料的制备方法有很多，如溶剂热合成法、水热合成法、微波反应法和热分解法等，但已报道的方法在一定程度上还存在一些缺陷，如没有针对四氧化三钴量子点特定晶体结构的制备方法，且制备方法成本高、复杂、多污染和高能耗等等。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种立方晶系四氧化三钴量子点的溶剂热制备方法，旨在解决现有技术中没有针对四氧化三钴量子点特定晶体结构的制备方法，且制备方法成本高、复杂、多污染和高能耗的技术问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种立方晶系四氧化三钴量子点的溶剂热制备方法，包括以下步骤：
3、将钴源、醇、聚乙烯吡咯烷酮、去离子水和双氧水以设定比例混合获得混合物；
4、将所述混合物以预设的容积比在密封的容器中升温至预设温度并恒温反应设定时间；
5、当反应结束后，将反应生成物冷却至室温并洗涤，干燥后即得立方晶系的四氧化三钴量子点。
6、其中，所述钴源为醋酸钴、硝酸钴、硫酸钴和氯化钴中的一种或多种。
7、其中，所述醇为甲醇、乙醇、乙二醇和丙三醇中的一种或多种。
8、其中，所述混合物的体积与反应容器容积的容积比为(1～4):5。
9、
10、其中，所述恒温反应的温度为100℃～160℃，反应时间为6～24h。
11、1、本专利技术的一种立方晶系四氧化三钴量子点的溶剂热制备方法，将钴源、醇、聚乙烯吡咯烷酮、去离子水和双氧水以一定比例混合，以一定容积比在密封的反应容器中升温至预设的温度并恒温反应6～24h以上，待反应结束后，将反应生成物冷却至室温并洗涤，干燥后即得立方晶系的四氧化三钴量子点，在最佳制备条件下不仅能获得特定晶体结构的立方晶系四氧化三钴量子点，且能获得粒径尺寸均一性高、颗粒分散的四氧化三钴量子点。
12、2、本专利技术方法所制得的四氧化三钴量子点可应用在催化、储能和传感等领域。该制备过程简单易行、重复性好、能耗低且成本低廉，可放大或缩小工艺参数比例，适用于工业化批量生产。
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1.一种立方晶系四氧化三钴量子点的溶剂热制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的一种立方晶系四氧化三钴量子点的溶剂热制备方法，其特征在于，
3.如权利要求1所述的一种立方晶系四氧化三钴量子点的溶剂热制备方法，其特征在于，
4.如权利要求1所述的一种立方晶系四氧化三钴量子点的溶剂热制备方法，其特征在于，
5.如权利要求1所述的一种立方晶系四氧化三钴量子点的溶剂热制备方法，其特征在于，
6.如权利要求1所述的一种立方晶系四氧化三钴量子点的溶剂热制备方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种立方晶系四氧化三钴量子点的溶剂热制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的一种立方晶系四氧化三钴量子点的溶剂热制备方法，其特征在于，
3.如权利要求1所述的一种立方晶系四氧化三钴量子点的溶剂热制备方法，其特征在于，
<...【专利技术属性】
技术研发人员：王明均，田梦诗，龚伟志，吴建固，徐前，张松，舒鸿松，杨禹华，
申请(专利权)人：昆明理工大学，
类型：发明
国别省市：
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