【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光盘记录装置及其数据记录方法，如上所述，可以按照光盘的每个记录层或每个记录速度来决定记录功率条件。这样可以明确本 专利技术是可以在工业上利用的。
【技术保护点】
一种向光盘记录数据的方法，其生成记录脉冲，并根据所述记录脉冲向光盘记录数据，其中该记录脉冲包括与第一记录功率对应的前端脉冲和紧接于其后并与第二记录功率对应的中间脉冲的组合、以及空白脉冲， 所述记录脉冲在末尾包含冷却脉冲，所述冷却脉冲的 记录功率低于所述空白脉冲的记录功率， 在向多层结构的光盘记录数据的情况下，按照每个记录层来决定所述第二记录功率相对于所述第一记录功率的比率， 在距光头最远的所述光盘的记录层中，与其他记录层相比，所述第二记录功率相对于所述第一记录 功率的比率高。
【技术特征摘要】
JP 2005-3-31 2005-1021551.一种向光盘记录数据的方法，其生成记录脉冲，并根据所述记录脉冲向光盘记录数据，其中该记录脉冲包括与第一记录功率对应的前端脉冲和紧接于其后并与第二记录功率对应的中间脉冲的组合、以及空白脉冲，所述记录脉冲在末尾包含冷却脉冲，所述冷却脉冲的记录功率低于所述空白脉冲的记录功率，在向多层结构的光盘记录数据的情况下，按照每个记录层来决定所述第二记录功率相对于所述第一记录功率的比率，在距光头最远的所述光盘的记录层中，与其他记录层相比，所述第二记录功率相对于所述第一记录功率的比率高。2. —种光盘记录装置，其生成记录脉冲，并根据所述记录脉冲记录数 据，其中该记录脉冲包括与第一记录功率对应的前端脉冲和紧接于其后并 与第二记录功率对应的中间脉冲的组合、以及空白脉冲，所述记录脉冲在末尾包含冷却脉冲，所述冷却脉冲的记录功率低于所 述空白脉冲的记录功率，在向多层结构的光盘记录数据的情况下，按照每个记录层来设定所述 第二记录功率相对于所述第一记录功率的比率，在距光头最远的所述光盘的记录层中，与其他记录层相比，所述第二 记录功率相对于所述第一记录功率的比率高。3. —种半导体集成电路，其被装载在光...
【专利技术属性】
技术研发人员：古宫成，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。