【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体，涉及一种二极管，具体涉及一种具有表面应力引入结构的应变半导体二极管。
技术介绍
1、二极管是最基础的半导体器件，在各领域中均被广泛应用，例如稳压、变容、显示、整流、限幅、开关、续流、触发、检波等场景。在制备新型材料半导体二极管时，往往在实现某种特定掺杂(尤其是p型掺杂)时比较困难，这是因为：1.掺杂质量较低，因为材料中的缺陷会导致自补偿效应的发生。2.掺杂元素的激活能过高，导致掺杂电荷激活率较低。3.掺杂元素在半导体材料中形成焓较大，导致溶解度低。这些原因导致难以在新型材料半导体中获得高质量高浓度高可靠性的掺杂(尤其是p型掺杂)，也就无法获得高质量的二极管器件，这限制了基于新型材料半导体器件的进一步应用。
技术实现思路
1、针对制备某些新型材料半导体二极管难以实现高浓度高质量高可靠性掺杂的问题，鉴于新型半导体材料很多都是压电半导体材料，考虑采用工艺诱生应力的方式在半导体体内诱生极化电荷，这些极化电荷在适当条件下可等效于电离杂质，诱导产生载流子。这样就无需进行对应的掺杂...
【技术保护点】
1.一种具有表面应力引入结构的应变半导体二极管，其特征在于：所采用半导体的压电极化系数不为零；器件具有在衬底上呈凸起状的长条形半导体台面(1)，长条形半导体台面(1)的电轴方向垂直于台面的上表面；长条形半导体台面上表面和两侧衬底上表面都沉积有具有应力的应变薄膜(2)；长条形半导体台面(1)顶部的应变薄膜(2)上设有多个阵列排布的贯穿应变薄膜(2)的通孔，并通过所述通孔安装与衬底形成电学连接的台面电极(4)；长条形半导体台面(1)两侧衬底的应变薄膜(2)上设有多个阵列排布的贯穿应变薄膜(2)的通孔，并通过所述通孔安装与衬底形成电学连接的两侧电极(3)；两侧电极(3)与长...
【技术特征摘要】
1.一种具有表面应力引入结构的应变半导体二极管，其特征在于：所采用半导体的压电极化系数不为零；器件具有在衬底上呈凸起状的长条形半导体台面(1)，长条形半导体台面(1)的电轴方向垂直于台面的上表面；长条形半导体台面上表面和两侧衬底上表面都沉积有具有应力的应变薄膜(2)；长条形半导体台面(1)顶部的应变薄膜(2)上设有多个阵列排布的贯穿应变薄膜(2)的通孔，并通过所述通孔安装与衬底形成电学连接的台面电极(4)；长条形半导体台面(1)两侧衬底的应变薄膜(2)上设有多个阵列排布的贯穿应变薄膜(2)的通孔，并通过所述通孔安装与衬底形成电学连接的两侧电极(3)；两侧电极(3)与长条形半导体台面不接触；台面电极(4)为器件第一个电极，两侧电极(3)为器件第二个电极...
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