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本发明涉及半导体技术，特别涉及一种具有表面应力引入结构的应变半导体二极管。本发明通过在台面状的压电系数不为零的半导体材料中，采用表面薄膜引入应力，利用压电极化效应在台面结构内部诱导生成极化电荷。这些极化电荷在适当条件下可等效为电离杂质，在半...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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