【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种fce二极管及制备方法，尤其是一种可提升空穴注入效率的fce二极管及制备方法。
技术介绍
1、在电力电子技术中，开关器件(如绝缘栅双极型晶体管igbt)需要一个与之并联并提供续流回路的快恢复二极管(fast recovery diode，frd)，为了与开关器件的关断能力相匹配，frd需要具有快速的导通和关断能力，即具备较低的正向导通电压vf和较短的反向恢复时间；同时，为了提升能效与可靠性，frd需要同时具有较小的反向恢复电流和软的反向恢复特性。
2、对快恢复二极管，主要包括pin、sbd、mps等结构形式，其中，基于pin结构的快恢复二极管，由于在高压大电流的电路中具有良好的耐压性且漏电较低，因此，pin型frd得到广泛应用。
3、pin型frd，在反向恢复过程中，由于空穴往阳极侧移动，电子往阴极侧移动，这些移动的电子和空穴会带来额外的电场，并叠加在pin型frd内部的电场上，致使pin型frd内部的p+n结的电场峰值增大，在反向电流较大时，pin型frd内n+n结处的电子会带来另一个场强尖峰...
【技术保护点】
1.一种可提升空穴注入效率的FCE二极管，其特征是，所述FCE二极管包括：
2.根据权利要求1所述的可提升空穴注入效率的FCE二极管，其特征是：在半导体衬底的背面设置背面隔离沟槽，其中，
3.根据权利要求2所述的可提升空穴注入效率的FCE二极管，其特征是：所述半导体衬底包括N型漂移区以及邻接所述N型漂移区的N型缓冲层，其中，
4.根据权利要求3所述的可提升空穴注入效率的FCE二极管，其特征是：所述阴极隔离金属与N型缓冲层接触电连接，
5.根据权利要求4所述的可提升空穴注入效率的FCE二极管，其特征是，阴极隔离金属与N型缓...
【技术特征摘要】
1.一种可提升空穴注入效率的fce二极管，其特征是，所述fce二极管包括：
2.根据权利要求1所述的可提升空穴注入效率的fce二极管，其特征是：在半导体衬底的背面设置背面隔离沟槽，其中，
3.根据权利要求2所述的可提升空穴注入效率的fce二极管，其特征是：所述半导体衬底包括n型漂移区以及邻接所述n型漂移区的n型缓冲层，其中，
4.根据权利要求3所述的可提升空穴注入效率的fce二极管，其特征是：所述阴极隔离金属与n型缓冲层接触电连接，
5.根据权利要求4所述的可提升空穴注入效率的fce二极管，其特征是，阴极隔离金属与n型缓冲层的接触连接状态为肖特基接触或欧姆接触时，至少在n型缓冲层内设置接触连接区，其中，
6.根据权利要求5所述的可提升空穴注入效率的fce二极管，...
【专利技术属性】
技术研发人员：穆敬仁，钱烽，刘江涛，张广银，
申请(专利权)人：江苏芯长征微电子集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。