一种基于聚3，4-乙烯二氧噻吩的紫外透明导电薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于聚3，4‑乙烯二氧噻吩的紫外透明导电薄膜及其制备方法，具体是一种基于大共轭体系聚合物聚3，4‑乙烯二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)、方阻适中、在日盲紫外区透过率较高的透明导电薄膜，填补日盲紫外区缺少透明电极材料的技术空白。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于导电薄膜的制备，具体涉及一种基于聚3，4-乙烯二氧噻吩的紫外透明导电薄膜及其制备方法。

技术介绍

1、透明导电薄膜可作为光电转化器件如太阳能电池、发光二极管、光电探测器等的透明电极层，是上述器件的关键部件。透明导电薄膜的作用为在不影响光的入射与出射的前提下，提取活性层中的光生载流子并传递至外电路、或向活性层中注入载流子。方阻与透过率是透明导电薄膜的关键参数，方阻越低其导电性越高，透过率越高其对光入射与出射的损耗越低，有利于提高光电转化器件的性能。一般的，透明导电薄膜方阻应不高于100ω/sq，在器件工作波段的透过率应不低于30％。

2、氧化铟锡(ito)、氧化锌铝(azo)等重掺杂宽带隙半导体是成熟的透明导电薄膜材料。以ito为例，其电导率可达1×104s/cm，150nm厚的ito薄膜方阻可低至约10ω/sq、380-1000nm波段的透过率可高于80％，十分契合工作于可见光波段的光电转化器件。

3、不同应用场景要求光电转化器件有不同的工作波段，进而要求透明导电薄膜有不同的透光区间。例如导弹光电告警系统要求光电探测器本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于聚3，4-乙烯二氧噻吩的紫外透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种基于聚3，4-乙烯二氧噻吩的紫外透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤S1中所述的刚性基底，选自石英片；所述的柔性基底，选自聚偏二氟乙烯。

3.根据权利要求1所述的一种基于聚3，4-乙烯二氧噻吩的紫外透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤S1中所述的清洗基底，其中的刚性基底用基于清洗液、去离子水和有机溶剂的导电玻璃清洗法、柔性基底用被乙醇浸湿的无尘纸擦拭。

4.根据权利要求1所述的一种基于聚3，4-乙烯二氧噻吩的紫外透明导电薄膜的...

【技术特征摘要】

1.一种基于聚3，4-乙烯二氧噻吩的紫外透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种基于聚3，4-乙烯二氧噻吩的紫外透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤s1中所述的刚性基底，选自石英片；所述的柔性基底，选自聚偏二氟乙烯。

3.根据权利要求1所述的一种基于聚3，4-乙烯二氧噻吩的紫外透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤s1中所述的清洗基底，其中的刚性基底用基于清洗液、去离子水和有机溶剂的导电玻璃清洗法、柔性基底用被乙醇浸湿的无尘纸擦拭。

4.根据权利要求1所述的一种基于聚3，4-乙烯二氧噻吩的紫外透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤s2中所述的pedot:pss水溶液中加入0.02m-0.1m nh4scn、ch3nh3i软酸软碱盐。

5.根据权利要求1所述的一种基于...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱志宏，李晗升，张检发，徐威，朱梦剑，杨镖，江金豹，彭嘉隆，刘嘉豪，郑玮豪，符庭钊，刘苹，周青伟，陈海涛，熊峰，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科技大学，
类型：发明
国别省市：