纳米孔制造技术

技术编号:41308511 阅读:19 留言:0更新日期:2024-05-13 14:52
本发明专利技术涉及细胞毒素K的突变体形式。本发明专利技术还涉及使用细胞毒素K的分析物检测和表征方法,以及用于执行此类方法的装置和试剂盒。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及细胞毒素k的突变体形式。本专利技术还涉及使用细胞毒素k的分析物检测和表征方法,以及用于执行此类方法的装置和试剂盒。


技术介绍

1、纳米孔感测是一种依赖于对分析物分子与检测器之间的个别结合或相互作用事件的观察的感测方法。可以通过在绝缘膜中放置纳米尺寸的单孔和测量在存在分析物分子的情况下穿过孔的电压驱动的离子转运来产生纳米孔传感器。分析物的身份通过其独特的电流特征来揭露,尤其是电流块的持续时间和程度以及电流电平的变化。此类纳米孔传感器是可商购获得的,如由牛津纳米孔技术有限公司(oxford nanopore technologies ltd)销售的miniontm装置,其包括集成了电子芯片的纳米孔阵列。

2、当前在广泛的应用范围内需要快速且便宜的核酸(例如,dna或rna)测序技术。现有技术缓慢且昂贵,这主要是因为其依赖于扩增技术来产生大量核酸并且需要大量专业荧光化学品来进行信号检测。纳米孔感测有可能通过降低所需核苷酸和试剂的量来提供快速且便宜的核酸测序。

3、因此,目前需要新技术来表征多肽,特别是在单分子水平上。已证明用本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种表征靶分析物的方法,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述变体与SEQ ID NO:1的氨基酸序列具有至少70%的同一性。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法,其中所述一个或多个修饰各自独立地(a)改变经修饰的位置处的氨基酸残基的大小;(b)改变所述经修饰的位置处的所述氨基酸残基的净电荷;(c)改变所述经修饰的位置处的所述氨基酸残基的氢键合特性;(d)将通过离域电子π系统相互作用的一个或多个化学基团引入到所述经修饰的位置处的所述氨基酸残基或从所述氨基酸残基中去除所述一个或多个化学基团;和/或(e)改变所述经修饰的位置处的所述氨基酸残基...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种表征靶分析物的方法,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述变体与seq id no:1的氨基酸序列具有至少70%的同一性。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法,其中所述一个或多个修饰各自独立地(a)改变经修饰的位置处的氨基酸残基的大小;(b)改变所述经修饰的位置处的所述氨基酸残基的净电荷;(c)改变所述经修饰的位置处的所述氨基酸残基的氢键合特性;(d)将通过离域电子π系统相互作用的一个或多个化学基团引入到所述经修饰的位置处的所述氨基酸残基或从所述氨基酸残基中去除所述一个或多个化学基团;和/或(e)改变所述经修饰的位置处的所述氨基酸残基的结构。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述孔具有从所述孔的第一开口到第二开口的溶剂可接近通道;所述溶剂可接近通道包括至少一个收缩部;并且其中所述一个或多个修饰是对所述收缩部中的氨基酸进行的。

5.根据权利要求4所述的方法,其中当分析物移动穿过所述孔时,所述修饰改变所述收缩部与分析物的相互作用。

6.根据权利要求4或权利要求5所述的方法,其中所述一个或多个修饰(a)改变所述收缩部的大小;(b)改变所述收缩部的净电荷;(c)改变所述收缩部中的氨基酸残基的氢键合特性;(d)将通过离域电子π系统相互作用的一个或多个化学基团引入到所述收缩部或从所述收缩部中去除所述一个或多个化学基团;和/或(e)改变所述收缩部的结构。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述变体包括在seq id no:1的位于约v111与约t158之间的区中的一个或多个位置处的一个或多个修饰。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述变体包括在seq id no:1的位于以下之间的区中的一个或多个修饰:位于约v111与约s131之间;和/或位于约s135与约t158之间。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述变体包括在seq id no:1的位于以下之间的区中的一个或多个修饰:位于约s119与约g126之间,优选地位于s121与g125之间;和/或位于约a143与约s150之间,优选地位于t144与t148之间。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述变体包括在seq id no:1的位于以下之间的区中的一个或多个修饰:位于约g126与约v132之间,优选地位于s127与s131之间;和/或位于约p137与约a143之间,优选地位于s138与g142之间。

11.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述变体包括在seq id no:1的位于以下之间的区中的一个或多个修饰:位于约n109与约t117之间,优选地位于v111与t115之间;和/或位于约s152与约y160之间,优选地位于s154与t158之间。

12.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述单体包括在seq id no:1的以下位置中的一个或多个位置处的修饰:e113、t115、t117、s119、s121、q123、g125、s127、k129、s131、v132、t133、p134、s135、g136、p137、s138、e140、g142、t144、q146、t148、s150、s152、s154和k156。

13.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述变体独立地包括在所述一个或多个位置处的一个或多个氨基酸取代、添加和/或缺失。

14.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述变体包括一个或多个氨基酸取代,并且被取代到所述变体中的氨基酸选自天冬氨酸、谷氨酸、丝氨酸、苏氨酸、天冬酰胺、谷氨酰胺、甘氨酸、丙氨酸、缬氨酸、亮氨酸、异亮氨酸、半胱氨酸、精氨酸、赖氨酸和苯丙氨酸。

15.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述单体包括选自以下的一个或多个修饰:

16.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述单体包括以下中的一个或多个处的修饰:e113、q123、k129、e140、q146和k156。

17.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述单体包括q123和/或q146处的修饰。

18.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述单体包括k129和/或e140处的修饰。

19.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述单体包括e113和/或k156处的修饰。

20.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述单体包括以下处的修饰:

21.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述单体包括以下处的修饰:(i)e113和/或k156;(ii)q123和/或q14...

【专利技术属性】
技术研发人员:伊丽莎白·杰恩·华莱士马克·约翰·布鲁斯
申请(专利权)人:牛津纳米孔科技公开有限公司
类型:发明
国别省市:

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