【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于激光器元器件，涉及一种调q开关的晶体预配对方法。
技术介绍
1、电光调q技术在脉冲激光器中广泛应用，其中配对型调q开关，如rtp、ktp、kn、bnn、铌酸锂等晶体制作的开关，具有半波电压低，温度稳定性好的优势。但是由于存在自然双折射，需要将两块晶体进行配对，实现温度补偿。
2、在配对型开关制作过程中，需确保两块晶体的光程差的相互补偿，这就对晶体的内部均匀性和加工精度提出较高的要求。为此，各研究单位在晶体加工、开关结构、封装方式、配对组装工装、安全测试等方面提出了相应的专利专利技术。
3、2009年邱港等提出一种《激光调q器件中使用的配对晶体的加工方法》，用以确保配对晶体之间的侧面垂直度、通光方向角度的一致性。2014年赵海泉等提出《一种配对晶体电光开关的测试支架》，可避免测试人员与裸露电极的无接触，提高安全性。2015年何小玲等提出一种《电光调q开关双晶体配对夹持工装及其使用方法》，专利技术了一种稳定的固定v型支架，用于方便晶体位置调整，通过调整使得只有一个透射光斑，确保两块配对晶体主轴平行。2016年吴文渊等提出《一种全封闭的双晶光电调q开关》专利技术了一种全封闭的调q开关封装方式，改善晶体散热条件，并且避免晶体裸露空气，有效保护晶体端面。2017陈建荣等提出《一种双轴晶电光调q开关及其制备》，采用两块等同晶体和中间相位补偿波片的结构，刻蚀、键合等方式一体成型，可提高调q开关的温度稳定性并保证固有消光比。2020年师瑞泽提出《一种双晶电光开关组装系统、组装方法及双晶电光开关》，采用激光正
4、在配对过程中，通常需要加工多块晶体，然后利用上述配对组装工装进行挑选，选择配对效果较好的晶体对实现配对。该挑选过程较为盲目，只是通过不断选择两块晶体进行组合尝试，再考虑到晶体可前后翻转，这个组合数目随着晶体数量的增大而变得非常巨大，工作量很大，效率较低。
技术实现思路
1、(一)专利技术目的
2、本专利技术的目的是：利用存在自然双折射的电光晶体制作调q开关时，需不断挑选两块晶体进行配对尝试，该过程较盲目，尝试组合数较大，效率低下；因此，需要一种预配对方法，可以直接断言哪些晶体对之间配对可能性较大，然后有针对性的进行配对，可大大提高配对效率。
3、(二)技术方案
4、为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种调q开关的晶体预配对方法，包括以下步骤：
5、1)、测试并标记出所有晶体的+z方向。
6、2)、统一将晶体+z面朝上放置，并用箭头标明透光方向，测试光程差分布情况。
7、3)、根据每块晶体的光程差分布情况进行预配对。
8、3.1)、根据中心区域光程差将晶体分为多组，同一组中晶体的中心区域光程差相近，差值不超过设定阈值。
9、若同一组中的两块晶体的均匀性满足设定要求，光程差分布梯度小于设定值，可直接进行配对。
10、3.2)、对于分布梯度超过设定值的晶体，分布梯度方向可能存在多种情况，对于两块晶体之间的不同分布关系，选择相应的配对操作。
11、(三)有益效果
12、上述技术方案所提供的调q开关的晶体预配对方法，使晶体组合对的选择更加有针对性，可大大提高配对效率和成功率。
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1.一种调Q开关的晶体预配对方法，其特征在于，调Q开关的两块晶体正交放置，两块晶体相并联的电极之间的Z面异号；预配对方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的调Q开关的晶体预配对方法，其特征在于，步骤S1中，+Z方向的判断方法为：压电系数d33，或者测试施加电压后光程差增大的方向。
3.如权利要求2所述的调Q开关的晶体预配对方法，其特征在于，步骤S3的过程为：根据中心区域光程差将晶体分为多组，同一组中晶体的中心区域光程差相近，差值不超过设定阈值；若同一组中的两块晶体的均匀性满足设定要求，光程差分布梯度小于设定值，直接进行配对；对于分布梯度超过设定值的晶体，根据同一组中两块晶体之间分布梯度方向的不同分布关系，进行配对操作。
4.如权利要求3所述的调Q开关的晶体预配对方法，其特征在于，步骤S3中，两块晶体最终配对后的放置方式设置为：晶体1的+Z面朝上，晶体2的+Z面朝右。
5.如权利要求4所述的调Q开关的晶体预配对方法，其特征在于，步骤S3中，根据同一组中两块晶体之间分布梯度方向的不同分布关系，进行配对操作的过程为：
6.一
7.根据权利要求6所述的调Q开关的晶体预配对方法，其特征在于，步骤S1中，+Z方向的判断方法为：压电系数d33，或者测试施加电压后光程差增大的方向。
8.根据权利要求7所述的调Q开关的晶体预配对方法，其特征在于，步骤S3中，两块晶体最终配对后的放置方式设置为：晶体1的+Z面朝上，晶体2的+Z面朝右。
9.一种调Q开关的晶体预配对方法，其特征在于，若调Q开关的两块等同晶体Z方向同向放置并在中间插入半波片；预配对方法包括以下步骤：
10.根据权利要求9所述的调Q开关的晶体预配对方法，其特征在于，步骤S1中，+Z方向的判断方法为：压电系数d33，或者测试施加电压后光程差增大的方向；步骤S3中，两块晶体最终配对后的放置方式设置为：晶体1的+Z面朝上，晶体2的+Z面朝右。
...【技术特征摘要】
1.一种调q开关的晶体预配对方法，其特征在于，调q开关的两块晶体正交放置，两块晶体相并联的电极之间的z面异号；预配对方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的调q开关的晶体预配对方法，其特征在于，步骤s1中，+z方向的判断方法为：压电系数d33，或者测试施加电压后光程差增大的方向。
3.如权利要求2所述的调q开关的晶体预配对方法，其特征在于，步骤s3的过程为：根据中心区域光程差将晶体分为多组，同一组中晶体的中心区域光程差相近，差值不超过设定阈值；若同一组中的两块晶体的均匀性满足设定要求，光程差分布梯度小于设定值，直接进行配对；对于分布梯度超过设定值的晶体，根据同一组中两块晶体之间分布梯度方向的不同分布关系，进行配对操作。
4.如权利要求3所述的调q开关的晶体预配对方法，其特征在于，步骤s3中，两块晶体最终配对后的放置方式设置为：晶体1的+z面朝上，晶体2的+z面朝右。
5.如权利要求4所述的调q开关的晶体预配对方法，其特征在于，步骤s3中，根据同一组中两块晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁松林，杨永强，郭春艳，张辉荣，李斌，张祖邦，孙志成，姚德武，李世杰，
申请(专利权)人：西南技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：
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