Micro-LED及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种Micro‑LED及其制备方法，涉及半导体发光器件技术领域，包括衬底、反射层、电极、GaN结构层、像素间隔网格、光提取层、光防护层和增透层，通过在衬底上设置反射层，可对GaN结构层在电极的作用下发出的大角度的光束进行较高效的反射，在出光面设置了由周期排列微型透镜阵列构成的光提取层，以达到较优的汇聚光线的作用，且每个透镜对应一个像素，透镜间设置有像素间隔网格，从而可有效减少光串扰影响，提高出射光束的颜色纯度；并在光提取层上涂敷一层纳米ZnO结构作为光防护层，防止外来光线对像素的损伤，同时增透层位于光防护层表面，可以减少提取光线时透过光提取层的光损耗，解决了现有的Micro‑LED显示效果低的问题，本发明专利技术适用于显示设备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体发光器件，特别是micro-led及其制备方法。

技术介绍

1、micro-led是自发光的微米量级的高密度led阵列的显示设备，具有自发光、高分辨率、高稳定性、小体积等特点，但是micro-led在发光时会因其较大的光分布角度，使得一部分光束散射到反射层上造成光能量的损失，同时还因存在像素间串扰，严重影响显示效果；此外，外来紫外线和近红外线也会对micro-led像素元件产生损害从而影响光能利用率。

技术实现思路

1、本专利技术所解决的技术问题：本专利技术提供一种micro-led及其制备方法解决现有的micro-led显示效果低。

2、本专利技术解决上述技术问题采用的技术方案：micro-led，包括衬底、反射层、电极、gan结构层、像素间隔网格、光提取层、光防护层和增透层；所述衬底、反射层、电极、gan结构层、光提取层、光防护层和增透层依次排列，所述光提取层包括透镜阵列，每个透镜对应一个像素点，所述像素间隔网络用于隔离相邻透镜，所述gan结构层包括n-gan层、量子阱和p本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.Micro-LED，其特征在于，包括衬底(111)、反射层(120)、电极(112)、GaN结构层(113)、像素间隔网格(130)、光提取层(140)、光防护层(150)和增透层(160)；所述衬底(111)、反射层(120)、电极(112)、GaN结构层(113)、光提取层(140)、光防护层(150)和增透层(160)依次排列，所述光提取层(140)包括透镜阵列，每个透镜对应一个像素点，所述像素间隔网络(130)用于隔离相邻透镜，所述GaN结构层(113)包括N-GaN层、量子阱和P-GaN层，用于在电极的作用下发光。

2.根据权利要求1所述的Micro-LED，其...

【技术特征摘要】

1.micro-led，其特征在于，包括衬底(111)、反射层(120)、电极(112)、gan结构层(113)、像素间隔网格(130)、光提取层(140)、光防护层(150)和增透层(160)；所述衬底(111)、反射层(120)、电极(112)、gan结构层(113)、光提取层(140)、光防护层(150)和增透层(160)依次排列，所述光提取层(140)包括透镜阵列，每个透镜对应一个像素点，所述像素间隔网络(130)用于隔离相邻透镜，所述gan结构层(113)包括n-gan层、量子阱和p-gan层，用于在电极的作用下发光。

2.根据权利要求1所述的micro-led，其特征在于，所述反射层(120)包括sio2纳米管层(121)和涂敷在sio2纳米管层(121)上方的ag层(122)。

3.micro-led制备方法，应用于权利要求2所述的micro-led，其特征在于，包括以下步骤：

4.根据权利要求3所述的micro-led制备方法，其特征在于，s1中，sio2纳米管悬浮液的制备方法为：将20mol/l的碳酸钙和无水乙醇充分混合，得到碱式碳酸钙模板溶液，在模版溶液中加入10ml-15ml的氨水和80ml-100ml的去离子水，均匀混合后再在溶液中逐滴滴加teos，并在离心机中使用500r/min的转速充分反应，经静置、洗涤、过滤、干燥后制得sio2/caco3包覆体；之后使用3mol/l的hci...

【专利技术属性】
技术研发人员：何龙，黎垚，曾超，张寅瑞，陈宁，
申请(专利权)人：四川启睿克科技有限公司，
类型：发明
国别省市：