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本发明提供一种Micro‑LED及其制备方法，涉及半导体发光器件技术领域，包括衬底、反射层、电极、GaN结构层、像素间隔网格、光提取层、光防护层和增透层，通过在衬底上设置反射层，可对GaN结构层在电极的作用下发出的大角度的光束进行较高效的反...
该专利属于四川启睿克科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过四川启睿克科技有限公司授权不得商用。

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