【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体器件中的存储器件领域，具体涉及一种用于存储的三栅可重构场效应晶体管。
技术介绍
1、随着信息技术的飞速发展，对数据存储器件的性能要求不断提高，尤其是在集成度、数据保持时间以及读取速度方面。现有技术中的无电容动态随机存取存储器（1t-dram）由于缺乏电容元件，在布局密度上有优势，但在数据保持时间和稳定读取方面存在局限。由于读取操作可能导致存储在晶体管中的电荷状态丢失，因此需要频繁地刷新，增加了功耗，现有1t-dram技术在读取逻辑状态时的电流差异小，限制了其在高速和低功耗电路中的应用。
2、三栅可重构场效应晶体管（rfet）结构具有一定的优势，其包含两个极性栅极及一个控制栅极，用于写入和维持数据状态。极性栅极调控沟道中的空穴流动以写入逻辑状态，而控制栅极在读取时利用沟道中存储的空穴和势垒调制电子电流。三栅可重构场效应晶体管设有非门控区域，该区域有效隔离极性栅与控制栅极，增加了数据保持时间，并提升了读取电流的区分度。
3、然而，现有的三栅rfet在写入数据时，面临着空穴仅限于栅极下方沟道表面积累，造成读取电流差异性小的技术瓶颈。这一限制降低了数据的稳定性，并缩短了数据的保持时间，影响了其在广泛应用中的可行性。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是针对现有的无电容动态随机存储器集成密度低（1t-dram），保持时间短，两种状态读取差别小等问题，提出一种用于存储的三栅可重构场效应晶体管，通过改变控制栅下存储空穴数目，降低读取逻辑状态“0”时的电
2、为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：
3、一种用于存储的三栅可重构场效应晶体管，特点是：它包括：
4、本征硅沟道；
5、两端向内对称间隔环绕设于本征硅沟道上的数道隔墙、边墙；
6、设于中部、隔墙之间环绕本征硅沟道的锗硅材料；
7、设于与边墙、隔墙接触、环绕本征硅沟道以及锗硅材料的栅极氧化物；
8、设于本征硅沟道左右两端与本征硅沟道接触的硅化镍；
9、对称设置于边墙、隔墙间的环绕栅极氧化物的极性栅极；
10、设于隔墙间环绕栅极氧化物的控制栅极。
11、所述隔墙、边墙为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃或硼磷硅玻璃；
12、所述锗硅材料为锗硅纳米片（锗组分约为10%）；
13、所述栅极氧化物为二氧化硅或二氧化铪；
14、所述硅化镍为源端和漏端；
15、所述极性栅极和控制栅极为光刻、刻蚀后形成的铝、铜、多晶硅或氮化钛。
16、本专利技术提出的用于存储的三栅可重构场效应晶体管，相比于一般三栅可重构场效应晶体管，具有以下优点：
17、控制栅极下方由禁带宽度小的锗硅材料环绕硅纳米片，写入“1”状态可积累更多的空穴，增强读取状态“1”电流；写入“0”可降低空穴数目，降低读取状态“0”电流，增大电流读取差异，增大保持时间，降低功耗。
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1.一种用于存储的三栅可重构场效应晶体管，其特征在于，它包括：
2.根据权利要求1所述的用于存储的三栅可重构场效应晶体管，其特征在于，所述隔墙、边墙（2）为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃或硼磷硅玻璃；
【技术特征摘要】
1.一种用于存储的三栅可重构场效应晶体管，其特征在于，它包括：
2.根据权利要求1所述的用于存储的...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙亚宾，邹欣宇，石艳玲，李小进，
申请(专利权)人：华东师范大学，
类型：发明
国别省市：
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