使用分立导电层重新选择键合线路径的半导体器件封装制造技术

本发明专利技术公开了一种使用分立导电层重新选择键合线路径的半导体器件封装，其包含一个引线框架，该引线框架具有一个芯片键合衬垫和耦合到第一芯片键合衬垫的若干引脚。一个垂直半导体器件键合到该芯片键合衬垫。该垂直半导体器件具有一个导电衬垫，该导电衬垫通过第一键合线连接一个引脚。在第一半导体器件的导电材料层中形成有一个电绝缘的导电线路。该导电线路提供第一键合线与第二键合线之间的导电路径。或者该导电路径设置在第三键合线下方传导，以此避免了第三键合线和其他键合线之间的交叉，或者导电路径使得第一和第二键合线的长度短于最大的预设长度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件封装，具体来说，是为了避免在半导体器件封装 中导线键合所产生的问题。
技术介绍
半导体器件一般被封装在引线框架的芯片衬垫上。引线框架提供引脚以 实现器件封装与该器件或系统的其它组件之间的电连接。通过键合线实现了 从引线框架的引脚到半导体器件的导电衬底之间的电连接。有大量影响键合 线路径选择的规则。规则之一是两个键合线不能交叉。另外一个规则是键合线必须短于预定的最大长度。 一般情况下，键合线的最大长度是200 300mils。当半导体器件封装由一个制造商制造且所使用两个或两个以上不同 制造商制造的半导体器件组件时，这些规则会产生问题。而电池控制电路就 是会产生此种问题的一个例子。用于便携式电子装置的典型电池包中具有若干裸电池(barecells)、 一个 保护电路模块(PCM)，在该保护电路模块中形成一个控制裸电池充电和放 电的保护电路， 一个终端线，该终端线使裸电池和保护电路彼此电连接。裸 电池、PCM、终端线可在预设的情况下调节。电荷管理系统和电池保护集成电路提供了广泛的电池过电压和过电流 保护，电池预先调整和百分之一的充电电压精确度(charger v本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装组件，其特征在于，包含：　具有第一芯片键合衬垫和若干引脚的引线框架；　一键合到第一芯片键合衬垫的第一半导体器件；所述的第一半导体器件包含一垂直分立半导体器件；以及　一电绝缘导电线路，该电绝缘导电线路由设置在垂 直分立半导体器件顶部的导电材料层中形成；其中，该导电线路被设置为提供第一键合线和第二键合线之间的导电路径；所述的第一键合线将电绝缘导电线路的第一末端连接于若干引脚中的第一引脚，第二键合线连接于电绝缘导电线路的第二末端；所述的导电路径设置在第三键合线的下方传导，以避免第三键合线和其它键合线交叉；或者所述的导电路径使得第一或第二键合线的长度短于...

【技术特征摘要】
US 2008-9-11 12/209,1061.一种半导体封装组件，其特征在于，包含具有第一芯片键合衬垫和若干引脚的引线框架；一键合到第一芯片键合衬垫的第一半导体器件；所述的第一半导体器件包含一垂直分立半导体器件；以及一电绝缘导电线路，该电绝缘导电线路由设置在垂直分立半导体器件顶部的导电材料层中形成；其中，该导电线路被设置为提供第一键合线和第二键合线之间的导电路径；所述的第一键合线将电绝缘导电线路的第一末端连接于若干引脚中的第一引脚，第二键合线连接于电绝缘导电线路的第二末端；所述的导电路径设置在第三键合线的下方传导，以避免第三键合线和其它键合线交叉；或者所述的导电路径使得第一或第二键合线的长度短于预设的最大长度。2. 如权利要求1所述的半导体封装组件，其特征在于，所述的导电线路包 含一金属线路。3. 如权利要求1所述的半导体封装组件，其特征在于，所述的导电线路包 含一导电多晶硅线路。4. 如权利要求1所述的半导体封装组件，其特征在于，还包含一个封装物， 该封装物至少部分的覆盖垂直分立半导体器件和引线框架。5. 如权利要求1所述的半导体封装组件，其特征在于，所述的垂直分立半 导体器件是一个垂直金属氧化物半导体场效应晶体管。6. 如权利要求1所述的半导体封装组件，其特征在于，所述的垂直分立半 导体器件包含双通道共漏金属氧化物半导体场效应晶体管。7. 如权利要求1所述的半导体封装组件，其特征在于，还包含一个第二半导体器件，所述的第二键合线电耦合在导电线路的第二末端和第二半导 体器件之间。8. 如权利要求7所述的半导体封装组件，其特征在于，所述的第二半导体 器件包含一个功率控制集成电路，所述的垂直分立半导体器件包含双通 道共漏金属氧化物场效应晶体管。9. 如权利要求8所述的半导体封装组件，其特征在于，所述的功率控制集 成电路垂直堆栈在双信道共漏金属氧化物场效应晶体管的顶部上方。10. 如权利要求9所述的半导体封装组件，其特征在于，所述的功率控制 集成电路非导电地贴附设置在双通道共漏金属氧化物场效应晶体管的顶 部上方。11. 如权利要求7所述的半导体封装组件，其特征在于，所述的引线框架 还包含一个第二芯片键合衬垫，该第一和第二芯片键合衬垫之间具有一 横向间距，所述的第二半导体器件键合到第二芯片键合衬垫。12. 如权利要求11所述的半导体封装组件，其特征在于，所述的第一半导 体器件是一个垂直分立金属氧化物半导体场效应晶体管。13. 如权利要求12所述的半导体封装组件，其特征在于，所述的第二半导 体器件是一集成电路。14. 如权利要求6所述的半导体封装组件，其特征在于，所述的位于导电 线路下方的双通道共漏金属氧化物场效应晶体管区域还包含无源单元或 者不包含单元。15. 如权利要求7所述的半导体封装组件，其特征在于，所述的第一半导 体器件的制造不需要额外的掩模步骤。16. 如权利要求1所述的半导体封装组件，其特征在于，所述的导电线路 的全部区域少于垂直分立金属氧化物场效应晶体管的所有有源区域的 5%。17. 如权利要求7所述的半导体封装组件，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁军，安荷叭剌，王晓彬，张艾伦，胡满升，张晓天，
申请(专利权)人：万国半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：BM[百慕大]