【技术实现步骤摘要】
本申请涉及芯片封装，尤其涉及一种芯片封装结构、电子设备及芯片封装结构的制备方法。
技术介绍
1、随着高速数据通信和人工智能对算力的需求激增，芯片集成度进一步提升。其中，多芯片合封技术被广泛采用。多芯片合封也可以被称为多芯片模组(multi-chip module，mcm)封装，mcm封装可以有效地缩短传统单芯片之间的互联走线长度，为高密度和高可靠性封装提供了可行性。
2、图1示例性地给出了包括两个芯片2的mcm封装结构，两个芯片2被集成在电路结构1上，比如，被集成在封装基板上；另外，两个芯片2被填充层3包裹。
3、为了达到高速的互连传输，芯片2之间的间隙gap越小越好。这样，很容易在芯片与芯片之间产生应力集中，在该应力作用下，填充层3非常容易与芯片2的侧壁(sidewall)之间发生脱层，产生的裂缝易朝电路结构1方向扩展延伸，可能使得电路结构断裂，造成严重失效。
技术实现思路
1、本申请提供一种芯片封装结构、电子设备及芯片封装结构的制备方法。主要目的是提升芯片封装结构中填充层与芯片界面结合力，降低界面分层的风险。
2、为达到上述目的，本申请的实施例采用如下技术方案：
3、一方面，本申请提供了一种芯片封装结构，该芯片封装结构是一种多芯片模组mcm封装结构。
4、该芯片封装结构可以包括：电路结构、集成在电路结构上的至少两个芯片，比如，包括第一芯片和第二芯片；第一芯片和第二芯片设置在电路结构的同一表面上，第一芯片和第二芯片相对的
5、本申请给出的芯片封装结构中，由于位于第一芯片和第二芯片之间的间隙内的填充层，与芯片侧面之间还设置有增黏层，该增黏层起到黏附力增强的作用。如此设计，即使芯片与芯片之间由于间距很小，产生较大的应力集中，或者，当该芯片封装结构由于尺寸较大，产生较大翘曲时，在该增黏层的较强粘接力作用下可以降低填充层与芯片脱层的风险，进而，有效降低裂缝延伸至电路结构上的几率，保护电路结构。
6、因此，该种芯片封装结构可以被应用在芯片集成密度较大、封装尺寸较大的场景中，以提升该芯片封装结构的使用性能。
7、在一种可以实现的方式中，第一芯片的具有微凸块的表面朝向电路结构，并通过微凸块设置在电路结构上；第一芯片的具有微凸块的表面被增黏层覆盖，且微凸块的背离第一芯片的端面暴露在增黏层外。
8、通过在芯片具有微凸块的表面上设置增黏层，同样的，可以提升该表面与填充层的粘接力，进一步，提升该芯片封装结构的使用可靠性。
9、在一种可以实现的方式中，第一芯片的相对第二芯片的侧面被增黏层覆盖，增黏层与第一芯片之间的粘接力，以及增黏层与填充层之间的粘接力，均大于第一芯片与填充层之间的粘接力。
10、这样的话，通过增黏层可以提升芯片与填充层之间的贴合力，降低出现界面分层的风险。
11、在一种可以实现的方式中，增黏层的玻璃化温度tg大于或等于200℃。
12、那么，当芯片在工作过程中，或者芯片在封装过程，又或者芯片在性能测试时，不会因为高温出现增黏层发生玻璃化转变而软化的现象，保障了增黏层的使用性能。
13、比如，增黏层的玻璃化温度tg可以大于或等于250℃。
14、在一种可以实现的方式中，增黏层的材料包括聚酰胺、聚酰亚胺、聚苯醚、聚苯硫醚、聚砜、聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯中的至少一种。
15、比如，可以是聚酰胺和聚酰亚胺的组合，或者，又比如，可以是聚酰胺和聚苯硫醚的组合。
16、在一种可以实现的方式中，增黏层中可以包含有补强剂，补强剂的材料包含二氧化硅、三氧化二铝、炭黑、碳酸钙、滑石粉中的至少一种。
17、通过在增黏层中增加补强剂，该补强剂可以降低该增黏层的热膨胀系数cte，进而，减小增黏层与芯片之间的热膨胀失配度，进一步降低封装脱层风险。
18、在一种可以实现的方式中，该电路结构为封装基板、重布线层或者中介层。
19、在一种可以实现的方式中，当所述电路结构为重布线层或中介层时，芯片封装结构还包括封装基板；承载有第一芯片和第二芯片的电路结构，通过电连接结构设置在封装基板上。
20、另一方面，本申请还提供一种芯片封装结构的制备方法，该制备方法包括：
21、在第一芯片和第二芯片中的至少一个芯片的侧面设置增黏层；
22、将包含有增黏层的第一芯片和第二芯片，并排设置在电路结构的同一表面上，且侧面被增黏层覆盖的第一芯片和第二芯片之间具有间隙；
23、设置填充层，使得第一芯片和第二芯片之间的间隙被填充层填充。
24、本申请给出的芯片封装结构的制备方法中，先给一个或多个芯片的侧面上形成增黏层；然后，再将被增黏层覆盖的芯片集成在电路结构上；再采用填充层将芯片与芯片之间的间隙填满。这样制得的多芯片封装结构中，填充层与芯片侧面之间具有增黏层，该增黏层起到黏附力增强的作用，可以使得填充层比较牢固稳定地包覆芯片，降低芯片侧面脱层的风险，提升该芯片封装结构的可靠性。
25、在一种可以实现的方式中，在第一芯片和第二芯片中的至少一个芯片的侧面设置增黏层，包括：第一芯片通过临时键合层设置在载板上；设置增黏层，以使得第一芯片的侧面和主动面被增黏层包裹；从载板上将被至少侧面被增黏层覆盖的第一芯片取下。
26、也就是说，在将芯片集成在载板上之后，可以涂覆增黏层，再将至少侧面被增黏层覆盖的芯片从载板上移除，以制得侧面具有增黏层的芯片。
27、在一种可以实现的方式中，第一芯片通过临时键合层设置在载板上包括：将第一芯片的背离微凸块的表面，通过临时键合层设置在载板上。
28、在一种可以实现的方式中，设置增黏层之后，从载板上取下第一芯片之前，制备方法还包括：去除第一芯片的具有微凸块的表面上的增黏层；或者，保留第一芯片的具有微凸块的表面上的增黏层，并使得微凸块的背离第一芯片的端面暴露在增黏层外。
29、这样的话，可以制得两种不同结构的芯片封装结构，一种是仅仅是芯片的侧面被增黏层覆盖，而具有微凸块的表面完全暴露，另一种是不仅芯片的侧面被增黏层覆盖，具有微凸块的表面也要被增黏层覆盖，为了实现微凸块芯片与外部的电连接，只需要微凸块的端面暴露在外即可。
30、在一种可以实现的方式中，增黏层的材料包括聚酰胺、聚酰亚胺、聚苯醚、聚苯硫醚、聚砜、聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯中的至少一种。
31、在一种可以实现的方式中，电路结构为封装基板或者重布线层或者中介层。设置所述填充层之后，当所述电路结构为重布线层或中介层时，制备方法还包括：采用电连接结构，将承载有第一芯片和第二芯片的电路结构设置在封装基板上。
32、这样，就可以形成不同类型的芯片封装结构，比如，2.5d扇出型封装，3d扇出型封装等。
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【技术保护点】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一芯片的具有微凸块的表面朝向所述电路结构，并通过所述微凸块设置在所述电路结构上；
3.根据权利要求1或2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一芯片的相对所述第二芯片的侧面被所述增黏层覆盖，且所述增黏层与所述第一芯片之间的粘接力，以及所述增黏层与所述填充层之间的粘接力，均大于所述第一芯片与所述填充层之间的粘接力。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述增黏层的玻璃化温度Tg大于或等于200℃。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述增黏层的材料包括聚酰胺、聚酰亚胺、聚苯醚、聚苯硫醚、聚砜、聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯中的至少一种。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述增黏层中包含有补强剂，所述补强剂的材料包含二氧化硅、三氧化二铝、炭黑、碳酸钙、滑石粉中的至少一种。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所
8.根据权利要求1-6中任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述电路结构为封装基板；
9.一种芯片封装结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
10.根据权利要求9所述的芯片封装结构的制备方法，其特征在于，在所述第一芯片和所述第二芯片中的至少一个芯片的侧面设置所述增黏层，包括：
11.根据权利要求10所述的芯片封装结构的制备方法，其特征在于，设置所述增黏层之后，从所述载板上取下所述第一芯片之前，所述制备方法还包括：
12.根据权利要求9-11中任一项所述的芯片封装结构的制备方法，其特征在于，所述增黏层的材料包括聚酰胺、聚酰亚胺、聚苯醚、聚苯硫醚、聚砜、聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯中的至少一种。
13.根据权利要求9-12中任一项所述的芯片封装结构的制备方法，其特征在于，所述电路结构为封装基板、重布线层或者中介层；
14.一种电子设备，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一芯片的具有微凸块的表面朝向所述电路结构，并通过所述微凸块设置在所述电路结构上；
3.根据权利要求1或2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一芯片的相对所述第二芯片的侧面被所述增黏层覆盖，且所述增黏层与所述第一芯片之间的粘接力，以及所述增黏层与所述填充层之间的粘接力，均大于所述第一芯片与所述填充层之间的粘接力。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述增黏层的玻璃化温度tg大于或等于200℃。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述增黏层的材料包括聚酰胺、聚酰亚胺、聚苯醚、聚苯硫醚、聚砜、聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯中的至少一种。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述增黏层中包含有补强剂，所述补强剂的材料包含二氧化硅、三氧化二铝、炭黑、碳酸钙、滑石粉中的至少一种。
7.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡崇宣，蒋尚轩，赵南，李磊，王赵南，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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