电路的过电压保护装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种过电压保护装置（２），包括一意欲连接至电源干线（Ａ）的输入（２０），和一意欲连接至被保护的电子系统（３）的输出（２１），所述装置包括：－两个常接通型双向场效应半导体晶体管（Ｔ１，Ｔ２），在输入（２０）和输出（２１）之间串联连接，它们由宽带隙材料制造，并能在限流模式下运行；和－一电阻器（Ｒ１），与所述两个晶体管（Ｔ１，Ｔ２）并联连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种保护电子装置免受供电干线上发生的过电压损害的装置。
技术介绍
文档WO 2006/129005揭示了一种抵抗供电干线产生的过电压的保护装置。该装置包括，特别地，两个串联连接的场效应晶体管(FET)，当电流超过它们的电流限制时能起到限流作用。但是，当供电干线上由于电感性或电容性负载的切换而产生过电压时，每次切换4喿作都可能出现巨大的电压变化。既然现有技术中该装置的输出电压由transil 二极管类型的并联限制方法确定，所有其余的过电压将应用于结型场效应晶体管(JFET)。在切换过电压期间产生的电感性电流可能比JFET的电流限制高很多。在此情况下，穿过系统端子的电压增加得很快，直至一晶体管达到雪崩才莫式而由此不再限制电流。那么晶体管中耗散的能量是相当大的，并且可能导致元件的损坏。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种电子系统的保护装置，能够有效抵抗供电干线上出现的不同类型的过电压，而不论其由主干线上的雷击或是负载切换操作而产生，并且允许达到过电压期间的非破坏性的能量耗散以及标称操作期间很少的能量耗散。上述目标由一种过电压保护装置来实现，其包括一意欲连接至电源干线的输入本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种过电压保护装置（２），包括一意欲连接至电源干线（Ａ）的输入（２０），和一意欲连接至被保护的电子系统（３）的输出（２１），其特征在于包括：　－两个常接通型双向场效应半导体晶体管（Ｔ１，Ｔ２），在输入（２０）和输出（２１）之间串联连接 ，它们由宽带隙材料制造，并能在限流模式下运行；和　－一电阻器（Ｒ１），与所述两个晶体管（Ｔ１，Ｔ２）并联连接。

【技术特征摘要】
FR 2008-5-20 08532521、一种过电压保护装置(2)，包括一意欲连接至电源干线(A)的输入(20)，和一意欲连接至被保护的电子系统(3)的输出(21)，其特征在于包括-两个常接通型双向场效应半导体晶体管(T1，T2)，在输入(20)和输出(21)之间串联连接，它们由宽带隙材料制造，并能在限流模式下运行；和-一电阻器(R1)，与所述两个晶体管(T1，T2)并联连接。2、 如权利要求l所述的装置，其特征在于所述两个半导体晶体管(T1, T2)是JFET晶体管。3、 如权利要求2所述的装置，其特征在于所述半导体晶体管(Tl， T2) 背对背连接，以这种方式，第一半导体晶体管(Tl)的漏极(D)连接至供 电干线(A)，第二半导体晶体管(T2)的漏极(D)连接至被保护的电子系 统(3)，位于下游，所述半导体晶体管(Tl， T2)的源极(S)连接在一起， 并且所述两个半导体晶体管(Tl, T2)的栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：塞巴斯蒂恩卡库特，迪迪尔伦纳德，
申请(专利权)人：施耐德电器工业公司，
类型：发明
国别省市：FR[法国]