一种陶瓷基板及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种陶瓷基板及其制备方法和应用，涉及陶瓷基板加工处理技术领域；陶瓷基板的制备方法，包括步骤：取粒径为0.1‑10μm的陶瓷粉料，与悬浮分散有粘结剂和增塑剂的水性悬浮液混合并配制成流延浆料，流延成型，得到生坯片；采用100‑400目的网格对所述生坯片进行硫化压制，得到表面印制网纹的网纹坯片；将所述网纹坯片进行常压烧结，即得所述陶瓷基板。本发明专利技术的制备方法，采用粒度分布较宽的陶瓷粉进行制备，利于提高表面粗糙度；同时网格硫化压制出网纹，并优化保压时间，常压烧结后，即可有效提高陶瓷基板的表面粗糙度，能够使铜与陶瓷基板的结合更紧密可有效提高铜箔的剥离强度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及陶瓷基板加工处理，更具体地，涉及一种陶瓷基板及其制备方法和应用。

技术介绍

1、陶瓷基板具有足够高的机械强度，低介电常数，低热膨胀系数，高热导率，良好的化学稳定性等优点，已成为电子电路结构技术和互连
的重要基础材料。

2、陶瓷基板常需要在表面覆铜使用，并可根据电路设计或产品结构蚀刻相应的图案。但是陶瓷基板和铜箔的材料属性差异较大，要保证铜瓷的紧密结合，对陶瓷基板的表面粗糙度具有较高的要求。目前，提高陶瓷基板表面粗糙度的加工方法主要包括喷砂处理和研磨处理；其中，喷砂处理，通常选取30-150目的白刚玉砂或者金刚砂或者碳化硅砂等，通过喷砂机对陶瓷片表面进行喷砂处理，使其粗糙度增大。研磨处理，通常选取30-150目的白刚玉砂或者金刚砂或者碳化硅砂等磨料，通过研磨机对陶瓷片表面进行研磨处理，使其粗糙度增大。但是以上方法的操作较为复杂，生产效率较低。

3、现有技术中提出一种防止氮化硅集成电路板钎焊分层的原料制备方法和设备，其在陶瓷表面添加纹路，在对混合材料进行研磨时，对陶瓷表面进行预处理，在陶瓷表面刻蚀0.05-0.1mm本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种陶瓷基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的陶瓷基板的制备方法，其特征在于：步骤S1中，所述陶瓷粉料中位粒径为3-4μm的粉体占陶瓷粉料总重量的60％-80％，中位粒径为0.1-2μm的粉体占陶瓷粉料总重量的10％-20％，中位粒径为5-10μm的粉体占10％-20％。

3.根据权利要求1所述的陶瓷基板的制备方法，其特征在于：步骤S2中，所述硫化压制的温度为40-70℃。

4.根据权利要求1所述的陶瓷基板的制备方法，其特征在于：步骤S1中，所述流延浆料包括以下质量百分比计的组分：

5.根据权利要求4所述的...

【技术特征摘要】

1.一种陶瓷基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的陶瓷基板的制备方法，其特征在于：步骤s1中，所述陶瓷粉料中位粒径为3-4μm的粉体占陶瓷粉料总重量的60％-80％，中位粒径为0.1-2μm的粉体占陶瓷粉料总重量的10％-20％，中位粒径为5-10μm的粉体占10％-20％。

3.根据权利要求1所述的陶瓷基板的制备方法，其特征在于：步骤s2中，所述硫化压制的温度为40-70℃。

4.根据权利要求1所述的陶瓷基板的制备方法，其特征在于：步骤s1中，所述流延浆料包括以下质量百分比计的组分：

5.根据权利要求4所述的陶瓷基板的制备方法，其特征在于：所述流延浆料在25℃下的粘度为15000-25000cp。

6.根据权利要求4-5任一项所述的陶瓷基...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈志鹏，余明先，吴通榕，佘晓曼，刘隽，刘友昌，戴高环，李毅，
申请(专利权)人：深圳陶陶科技有限公司，
类型：发明
国别省市：