一种具有红外光开关特性的紫外芯片及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种具有红外光开关特性的紫外芯片，其包括CdS衬底，CdS衬底上沉积有钝化层，钝化层中心开有第一窗口，在第一窗口处沉积VO<subgt;2</subgt;相变薄膜层，钝化层一侧开有第二窗口，第二窗口处沉积有欧姆接触复合电极层，CdS衬底的背面沉积有增透膜层；所述CdS衬底导电类型为N型，所述VO<subgt;2</subgt;相变薄膜层在相变前、后分别与CdS衬底形成同型异质结、肖特基结。同时公开上述具有红外光开关特性的紫外芯片的制备方法。本发明专利技术制备得到的紫外芯片具有红外开关率高、红外开关速度快、响应速度快的优点，兼备抗干扰与抗攻击能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制造，尤其是涉及一种具有红外光开关特性的紫外芯片及其制备方法。

技术介绍

1、随着红外干扰技术的不断发展，3～5μm单波段红外探测技术逐渐难以满足制导武器的应用需求，紫外探测技术由于在抗干扰方面的优势而被应用于红外制导系统中，如图1所示，将紫外芯片1与红外芯片2叠层放置，前置的紫外芯片可以探测紫外波段的信号，后置的红外芯片可以探测透过紫外芯片的红外信号。然而，现有技术中紫外芯片的红外透过率无法根据入射红外光的强度差异而变化，当有高能红外光入射时，很容易损坏后置的红外芯片，造成其功能性退化或者无信号输出而失效。传统的紫外芯片不具备抗攻击能力。

技术实现思路

1、为解决上述问题，本专利技术的目的是提供一种具有红外光开关特性的紫外芯片及其制备方法，所述紫外芯片具有红外开关率高、红外开关速度快、响应速度快的优点，兼备抗干扰与抗攻击能力。

2、为实现上述专利技术目的，本专利技术采用如下技术方案：

3、一种具有红外光开关特性的紫外芯片，其包括cds衬底，cds衬底上沉积有钝化层本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有红外光开关特性的紫外芯片，其特征是：其包括CdS衬底，CdS衬底上沉积有钝化层，钝化层中心开有第一窗口，在第一窗口处沉积VO2相变薄膜层，钝化层一侧开有第二窗口，第二窗口处沉积有欧姆接触复合电极层，CdS衬底的背面沉积有增透膜层；所述CdS衬底导电类型为N型，所述VO2相变薄膜层在相变前、后分别与CdS衬底形成同型异质结、肖特基结。

2.根据权利要求1所述的具有红外光开关特性的紫外芯片，其特征是：其CdS衬底的厚度为200～300μm，VO2相变薄膜层的厚度为100～150nm。

3.根据权利要求1所述的具有红外光开关特性的紫外芯片，其特征是：其钝化层...

【技术特征摘要】

1.一种具有红外光开关特性的紫外芯片，其特征是：其包括cds衬底，cds衬底上沉积有钝化层，钝化层中心开有第一窗口，在第一窗口处沉积vo2相变薄膜层，钝化层一侧开有第二窗口，第二窗口处沉积有欧姆接触复合电极层，cds衬底的背面沉积有增透膜层；所述cds衬底导电类型为n型，所述vo2相变薄膜层在相变前、后分别与cds衬底形成同型异质结、肖特基结。

2.根据权利要求1所述的具有红外光开关特性的紫外芯片，其特征是：其cds衬底的厚度为200～300μm，vo2相变薄膜层的厚度为100～150nm。

3.根据权利要求1所述的具有红外光开关特性的紫外芯片，其特征是：其钝化层的厚度为100～400nm，材料包括但不限于zns、sio2、si3n4。

4.根据权利要求1所述的具有红外光开关特性的紫外芯片，其特征是：其欧姆接触复合电极层包括粘附层和电极层，粘附层的材质为ti或cr，厚度为50～150nm；电极层的材质为au、ni或al，厚度为200～600nm。

5.根据权利要求1所述的具有红外光开关特性的紫外芯片，其特征是：其增透膜层的材质为sio2或mgf2，厚度为500～900nm。

6.一种权利要求1～5中任一权利要求所述的具有红外光开关特性的紫外芯片的制备方法，其特征是：其包括以下步骤：

7.根据权利要求6所述的具...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺琦璐，张向锋，赵东阳，周晓倩，朱旭波，陈刚，张利学，
申请(专利权)人：中航凯迈上海红外科技有限公司，
类型：发明
国别省市：