【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电器件领域，尤其用于一种光刻胶图形化方法。
技术介绍
1、纳米级图形化技术有基于曝光的，如激光直写，干涉曝光，euv等，还有基于硬质接触的如纳米压印。然而基于曝光的图形化技术往往需要昂贵的光学设备，纳米压印也有不好脱模，容易出现缺陷的问题。
2、腔室等离子体技术在半导体工艺中也有很多应用，如去胶机和氧表面处理。然而，腔室等离子体在刻蚀中由于没有初速度，表现为各向同性刻蚀，这会降低图形精度，导致图案变化。
3、大气压等离子体射流，相比于腔室等离子体具有非常高的电子速度，因此有一些将其收束于纳米尺度，进行纳米级，点或者线刻蚀的先例。【kakei,ryota,et al."production of ultrafine atmospheric pressure plasma jet with nano-capillary."thin solid films 518.13(2010):3457-3460.】【yamamoto,sho,et al."fine processingof polymer surface by irradiating local atmospheric pressure plasma jetsusing helium source gas mixed with water vapor."2017international symposiumon micro-nanomechatronics and human science(mhs).ieee,2017.】尽管高速射流等
技术实现思路
1、有鉴于现有技术的上述缺陷，本专利技术所要解决的技术问题是如何提供一种光刻图形化装置，使得能够进行厘米级图案图形化的各向异性光刻胶刻蚀，并且使用方便，设备造价较为低廉。
2、针对以上的现有技术问题，本专利技术提供一种光刻胶图形化装置，包括一低压腔室，所述低压腔室内部设置有光刻胶刻蚀定位装置，所述低压腔室外部联通一等离子体输入管道，所述等离子体输入管道延伸至所述低压腔室内部，并与所述光刻胶刻蚀定位装置间隔。
3、较优的，所述低压腔室内部的等离子体输入管道靠近所述光刻胶刻蚀定位装置以对准其拟进行刻蚀的光刻胶。
4、较优的，所述光刻胶刻蚀定位装置上设置有光刻胶蚀刻装置，包括基底、光刻胶和光刻图形模板。
5、较优的，所述等离子体输入管道内部设置有高压电极，所述高压电极连接有高压电源。
6、较优的，所述等离子体输入管道连通惰性气体流入源，所述惰性气体流入源上设置有质量流量计。
7、较优的，所述惰性气体流入源设置为气瓶，所述质量流量计设置在所述气瓶上。
8、较优的，所述低压腔室连接抽空装置，所述低压腔室内部设置有气压感应装置，所述气压感应装置外部连接压强显示计。
9、本专利技术还提供一种光刻胶图形化方法，包括以下步骤：
10、1)采用如前所述的光刻胶图形化装置，调节所述低压腔室气压至预设值；
11、2)在所述光刻胶刻蚀定位装置上放置预设尺寸基底、光刻胶以及光刻图形模板；
12、3)利用等离子体输入管道以预设初速度输入等离子体；
13、4)利用等离子体输入管道末端的湍流扩束效应所述光刻图形模板上的光刻胶进行刻蚀。
14、较优的，所述低压腔室压强设置为0.2atm。
15、较优的，所述等离子体输入管道设置为毫米内径石英管。
16、本专利技术的有益效果是：本技术提供了一种创新的可以简单地应用于厘米尺寸，百纳米精度的光刻胶图形化装置以及光刻胶图形化方法，采用低压腔室使得等离子气流进行湍流扩束，可以实现大范围的光刻胶图形化，氮化硅模板的设置，可以使得光刻胶实现各项异向刻蚀，并且，氮化硅模板可以重复使用。该技术不需要复杂的光学模块，同时可以做到大面积无缺陷的纳米级图形制备。并同时具备，腔室等离子体的大面积刻蚀和大气压等离子体的各向异性刻蚀两个优点，能够实现现有技术缺陷的克服。
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1.一种光刻胶图形化装置，其特征是：包括一低压腔室，所述低压腔室内部设置有光刻胶刻蚀定位装置，所述低压腔室外部联通一等离子体输入管道，所述等离子体输入管道延伸至所述低压腔室内部，并与所述光刻胶刻蚀定位装置间隔。
2.如权利要求1所述的光刻胶图形化装置，其特征是：所述低压腔室内部的等离子体输入管道靠近所述光刻胶刻蚀定位装置以对准其拟进行刻蚀的光刻胶。
3.如权利要求1所述的光刻胶图形化装置，其特征是：所述光刻胶刻蚀定位装置上设置有光刻胶蚀刻装置，包括基底、光刻胶和光刻图形模板。
4.如权利要求1所述的光刻胶图形化装置，其特征是：所述等离子体输入管道内部设置有高压电极，所述高压电极连接有高压电源。
5.如权利要求1所述的光刻胶图形化装置，其特征是：所述等离子体输入管道连通惰性气体流入源，所述惰性气体流入源上设置有质量流量计。
6.如权利要求5所述的光刻胶图形化装置，其特征是：所述惰性气体流入源设置为气瓶，所述质量流量计设置在所述气瓶上。
7.如权利要求1所述的光刻胶图形化装置，其特征是：所述低压腔室连接抽空装置，
8.一种光刻胶图形化方法，其特征是：包括以下步骤：
9.如权利要求8所述的光刻胶图形化方法，其特征是：所述低压腔室压强设置为0.2atm。
10.如权利要求9所述的光刻胶图形化方法，其特征是：所述等离子体输入管道设置为毫米内径石英管。
...【技术特征摘要】
1.一种光刻胶图形化装置，其特征是：包括一低压腔室，所述低压腔室内部设置有光刻胶刻蚀定位装置，所述低压腔室外部联通一等离子体输入管道，所述等离子体输入管道延伸至所述低压腔室内部，并与所述光刻胶刻蚀定位装置间隔。
2.如权利要求1所述的光刻胶图形化装置，其特征是：所述低压腔室内部的等离子体输入管道靠近所述光刻胶刻蚀定位装置以对准其拟进行刻蚀的光刻胶。
3.如权利要求1所述的光刻胶图形化装置，其特征是：所述光刻胶刻蚀定位装置上设置有光刻胶蚀刻装置，包括基底、光刻胶和光刻图形模板。
4.如权利要求1所述的光刻胶图形化装置，其特征是：所述等离子体输入管道内部设置有高压电极，所述高压电极连接有高压电源。
5.如权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：程鑫，刘羽，庄鑫，陈宇龙，曾晓怡，高诗阳，刘红均，陈日飞，
申请(专利权)人：南方科技大学，
类型：发明
国别省市：
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