【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种改善后段一体化刻蚀中应力迁移的方法。
技术介绍
1、随着集成电路向高密度化和高性能化方向发展，电路特征尺寸不断缩小，互连层数不断上升，由于cu的电阻率较低，抗电迁移和应力迁移能力强，cu互连取代al互连成为新型主导互连技术，但也由此引发了一系列的互连可靠性问题，应力诱生空洞是铜互连失效的重要现象之一。
2、应力梯度导致金属和通孔附近较容易发生应力迁移从而导致应力迁移失效。
3、应力诱生空洞多发生在通孔附近和金属连线边缘，与互连结构，应力以及应力梯度密切相关。
4、为解决上述问题，需要提出一种新型的改善后段一体化刻蚀中应力迁移的方法。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种改善后段一体化刻蚀中应力迁移的方法，用于解决现有技术中应力梯度导致金属和通孔附近较容易发生应力迁移从而导致应力迁移失效的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种改善后段一体化刻蚀中应力迁移的方法，包括：
3、步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成集成电路器件；
4、在所述半导体衬底上形成互连结构，其中，所述互连结构包括与所述集成电路器件连接的多个导电部件；
5、在所述互连结构上形成第一层间介质层；
6、步骤二、利用第一次一体化刻蚀在所述第一层间介质层上形成第一沟槽和第一通孔，所述第一沟槽和所述第一通孔的底部与对应的所述导电部件连通；<...
【技术保护点】
1.一种改善后段一体化刻蚀中应力迁移的方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的改善后段一体化刻蚀中应力迁移的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(SOI)衬底。
3.根据权利要求1所述的改善后段一体化刻蚀中应力迁移的方法，其特征在于：步骤一中的所述互连结构包括第二层间介质层，其用于分离和隔离各种导电部件。
4.根据权利要求1所述的改善后段一体化刻蚀中应力迁移的方法，其特征在于：步骤一中的所述导电部件包括：接触件；金属线；和第二通孔。
5.根据权利要求1所述的改善后段一体化刻蚀中应力迁移的方法，其特征在于：步骤一中的所述导电部件还包括第一阻挡层。
6.根据权利要求1所述的改善后段一体化刻蚀中应力迁移的方法，其特征在于：步骤一中的所述第一层间介质层的材料为二氧化硅或低k介电材料。
7.根据权利要求3所述的改善后段一体化刻蚀中应力迁移的方法，其特征在于：步骤一中的所述第二层间介质层的材料为二氧化硅或低k介电材料。
8.根据权利要求1所述的改善后段一体化刻蚀中应
9.根据权利要求1所述的改善后段一体化刻蚀中应力迁移的方法，其特征在于：步骤四中在形成所述金属层前，还包括形成第二阻挡层的步骤。
10.根据权利要求1所述的改善后段一体化刻蚀中应力迁移的方法，其特征在于：步骤四中所述在所述沟槽和所述第一通孔中形成金属层的方法包括：形成所述金属层；研磨所述金属层至所需高度。
...【技术特征摘要】
1.一种改善后段一体化刻蚀中应力迁移的方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的改善后段一体化刻蚀中应力迁移的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(soi)衬底。
3.根据权利要求1所述的改善后段一体化刻蚀中应力迁移的方法，其特征在于：步骤一中的所述互连结构包括第二层间介质层，其用于分离和隔离各种导电部件。
4.根据权利要求1所述的改善后段一体化刻蚀中应力迁移的方法，其特征在于：步骤一中的所述导电部件包括：接触件；金属线；和第二通孔。
5.根据权利要求1所述的改善后段一体化刻蚀中应力迁移的方法，其特征在于：步骤一中的所述导电部件还包括第一阻挡层。
6.根据权利要求1所述的改善后段一体化刻蚀中应力迁移的方法，其特征在于：步骤...
【专利技术属性】
技术研发人员：于双，何亚川，黄鹏，郭振强，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。