【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及一种半导体装置。
技术介绍
1、在诸如逻辑电路和存储器的各种半导体装置中，诸如源极和漏极的有源区域经由接触结构连接到后端制程(beol)的金属线。期望一种方案，该方案用于将beol的至少一些线(例如，电力线)设置在半导体基底的背侧上并形成被构造为穿透半导体基底以连接所述线的导电贯通结构。
技术实现思路
1、本专利技术构思的一方面在于提供一种半导体装置，该半导体装置具有在有限空间中有效布置的电力输送结构。
2、根据本专利技术构思的一方面，一种半导体装置包括：基底，具有彼此背对的第一表面和第二表面；第一鳍式有源图案，在所述基底的所述第一表面上在第一方向上纵向延伸并且在与所述第一方向相交的第二方向上具有第一宽度；第二鳍式有源图案，在所述第一方向上与所述第一鳍式有源图案间隔开，在所述基底的所述第一表面上在所述第一方向上纵向延伸，并且在所述第二方向上具有第二宽度，所述第二宽度小于所述第一宽度；器件隔离图案，设置在所述第一鳍式有源图案和所述第二鳍式有源图案之间；第一栅极结构和第二栅极结构，在所述第二方向上延伸，并且分别与所述第一鳍式有源图案和所述第二鳍式有源图案交叉；第一源/漏区域，在所述第一栅极结构的至少一侧上设置在所述第一鳍式有源图案上；第二源/漏区域，在所述第二栅极结构的至少一侧上设置在所述第二鳍式有源图案上；层间绝缘部分，设置在所述基底的所述第一表面上，并且覆盖所述第一源/漏区域和所述第二源/漏区域；第一接触结构和第二接触结构，分别在所述层间绝缘部分中连接
3、根据本专利技术构思的一方面，一种半导体装置包括：基底，具有第一表面和第二表面，所述第一表面具有在第一方向上布置的第一单元区域和第二单元区域，所述第二表面与所述第一表面背对；第一鳍式有源图案，在所述基底的所述第一单元区域中在第一方向上纵向延伸并且在与所述第一方向相交的第二方向上具有第一宽度；第二鳍式有源图案，在所述基底的所述第二单元区域中在所述第一方向上与所述第一鳍式有源图案叠置，在所述第一方向上纵向延伸，并且在所述第二方向上具有第二宽度，所述第二宽度小于所述第一宽度；器件隔离图案，沿着所述第一单元区域和所述第二单元区域之间的边界设置在所述第一鳍式有源图案和所述第二鳍式有源图案之间；第一栅极结构和第二栅极结构，分别设置在所述第一单元区域和所述第二单元区域中，并且在所述第二方向上纵向延伸以分别与所述第一鳍式有源图案和所述第二鳍式有源图案交叉；第一源/漏区域，在所述第一栅极结构的至少一侧上设置在所述第一鳍式有源图案上；第二源/漏区域，在所述第二栅极结构的至少一侧上设置在所述第二鳍式有源图案上；第一接触结构和第二接触结构，分别连接到所述第一源/漏区域和所述第二源/漏区域，并且在垂直于所述基底的所述第一表面的方向上延伸；栅极隔离结构，位于所述第一单元区域的在所述第二方向上与所述第一鳍式有源图案相邻的边界处，并且在所述第一方向上延伸，同时接触所述第一栅极结构的一个端表面；掩埋导电结构，位于所述第二单元区域的在所述第二方向上与所述第二鳍式有源图案相邻的边界处，在所述第一方向上延伸，同时接触所述栅极隔离结构的一个端表面，并且连接到所述第二接触结构；导电贯通结构，从所述基底的所述第二表面朝向所述基底的所述第一表面延伸，并且连接到所述掩埋导电结构；第一布线结构，具有连接所述第一接触结构与所述掩埋导电结构的第一布线层；以及第二布线结构，设置在所述基底的所述第二表面上，并且具有连接到所述导电贯通结构的第二布线层。
4、根据本专利技术构思的一方面，一种半导体装置包括：基底，具有彼此背对的第一表面和第二表面；鳍式有源图案，在所述基底的所述第一表面上在第一方向上纵向延伸，并且包括第一鳍部分和第二鳍部分，所述第一鳍部分在与所述第一方向相交的第二方向上具有第一宽度，所述第二鳍部分在所述第二方向上具有第二宽度，所述第二宽度小于所述第一宽度；第一栅极结构和第二栅极结构，在与所述第一方向相交的第二方向上纵向延伸，并且分别与所述第一鳍部分和所述第二鳍部分交叉；栅极隔离结构，在所述第二方向上与所述鳍式有源图案相邻地定位，并且在所述第一方向上延伸以隔离所述第一栅极结构和所述第二栅极结构中的每个；第一源/漏区域，在所述第一栅极结构的至少一侧上设置在所述第一鳍部分上；第二源/漏区域，在所述第二栅极结构的至少一侧上设置在所述第二鳍部分上；层间绝缘部分，设置在所述基底的所述第一表面上，并且覆盖所述第一源/漏区域和所述第二源/漏区域；第一接触结构和第二接触结构，穿透所述层间绝缘部分，并且分别连接到所述第一源/漏区域和所述第二源/漏区域；掩埋导电结构，设置在其中所述栅极隔离结构的与所述第一鳍部分相邻的至少一部分被去除的区域中，并且连接到所述第二接触结构；导电贯通结构，从所述基底的所述第二表面朝向所述基底的所述第一表面延伸，并且连接到所述掩埋导电结构；以及第一布线结构，设置在所述层间绝缘部分上，并且具有连接到所述第一接触结构和所述掩埋导电结构的第一布线层。
5、根据本专利技术构思的一方面，一种半导体装置包括：第一鳍式有源图案，在第一方向上纵向延伸，并且在与所述第一方向相交的第二方向上具有第一宽度；第二鳍式有源图案，在所述第一方向上与所述第一鳍式有源图案间隔开，在所述第一方向上纵向延伸，并且在所述第二方向上具有第二宽度，所述第二宽度小于所述第一宽度；器件隔离图案，设置在所述第一鳍式有源图案和所述第二鳍式有源图案之间，并且在所述第二方向上延伸；第一栅极结构和第二栅极结构，均在所述第二方向上纵向延伸，并且分别与所述第一鳍式有源图案和所述第二鳍式有源图案交叉；第一源/漏区域，在所述第一栅极结构的至少一侧上设置在所述第一鳍式有源图案上；第二源/漏区域，在所述第二栅极结构的至少一侧上设置在所述第二鳍式有源图案上；层间绝缘部分，围绕所述第一鳍式有源图案和所述第二鳍式有源图案，并且覆盖所述第一栅极结构和所述第二栅极结构以及所述第一源/漏区域和所述第二源/漏区域；第一接触结构和第二接触结构，分别在所述层间绝缘部分中连接到所述第一源/漏区域和所述第二源/漏区域；栅极隔离结构，在所述第二方向上与所述第一鳍式有源图案相邻地位于所述层间绝缘部分中，并且在所述第一方向上延伸，同时接触所述第一栅极结构的一个端表面；掩埋导电结构，在所述第一方向上延伸，同时在所述层间绝缘部分中接触所述栅极隔离结构的一个端表面，并且连接到所述第二接触结构；第一布线结构，设置在所述层间绝缘部分上，并且具有电连接到所述本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述掩埋导电结构在所述第二方向上的宽度大于所述栅极隔离结构在所述第二方向上的宽度。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述掩埋导电结构在所述第二方向上的宽度Wb满足以下式(1)：
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一接触结构具有在所述第二方向上延伸的第一延伸部分，并且
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第一接触结构的所述第一延伸部分与所述栅极隔离结构的一部分叠置。
7.根据权利要求5所述的半导体装置，
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述第二金属过孔连接到所述掩埋导电结构和所述第二延伸部分两者。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述导电贯通结构穿透所述基底并且延伸到所述层间绝缘部分中，并且在所述层间绝缘部分中连接到所述掩埋导电结构。
10.根据权利要求9所述的半导体装置，
11.根据权利要
12.根据权利要求11所述的半导体装置，
13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述导电贯通结构具有在所述第一方向上延伸的沟槽结构。
14.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
15.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
16.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
17.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
18.根据权利要求17所述的半导体装置，其中，所述掩埋导电结构在所述第二方向上的宽度大于所述栅极隔离结构在所述第二方向上的宽度，并且所述掩埋导电结构在所述第一方向上的长度小于所述第二鳍式有源图案在所述第一方向上的长度。
19.根据权利要求17所述的半导体装置，
20.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述掩埋导电结构在所述第二方向上的宽度大于所述栅极隔离结构在所述第二方向上的宽度。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述掩埋导电结构在所述第二方向上的宽度wb满足以下式(1)：
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一接触结构具有在所述第二方向上延伸的第一延伸部分，并且
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第一接触结构的所述第一延伸部分与所述栅极隔离结构的一部分叠置。
7.根据权利要求5所述的半导体装置，
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述第二金属过孔连接到所述掩埋导电结构和所述第二延伸部分两者。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述导电贯通结构穿透所述基底并且延伸到所述层间绝缘部分中，并且在所述层间绝缘部分中连接到所述掩埋导电结构。
10...
【专利技术属性】
技术研发人员：金菊喜，李敬雨，罗相喆，郭珉灿，金荣佑，金昊俊，李东翼，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。