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包括纳米光子微透镜阵列的图像传感器以及包括该图像传感器的电子设备制造技术

技术编号:41277029 阅读:26 留言:0更新日期:2024-05-11 09:29
图像传感器包括传感器基板和纳米光子微透镜阵列,传感器基板包括用于感测入射光的多个像素,纳米光子微透镜阵列包括分别与多个像素相对应的多个纳米光子微透镜,其中,多个纳米光子微透镜中的每个纳米光子微透镜包括二维布置的多个纳米结构,以将入射光会聚到相应像素上,跨两个相邻的纳米光子微透镜之间的边界彼此直接面对布置的两个纳米结构之间的间隙大于多个纳米光子微透镜中每个纳米光子微透镜中的多个纳米结构的排列周期。

【技术实现步骤摘要】

一个或多个实施例涉及包括纳米光子微透镜阵列的图像传感器以及包括该图像传感器的电子设备


技术介绍

1、随着图像传感器的分辨率增加,图像传感器中单位像素的尺寸逐渐减小。因此,图像传感器边缘处的主光线角(cra)不断增大。主光线垂直于图像传感器的中心部分入射,同时倾斜于图像传感器的边缘入射。cra朝向图像传感器的边缘而增大。因此,图像传感器的边缘处的灵敏度会降低。由于主光线倾斜,可能会出现串扰问题。


技术实现思路

1、提供了一种包括纳米光子微透镜阵列的图像传感器以及包括该图像传感器的电子设备,该图像传感器能够改善由于主光线角倾斜引起的图像传感器边缘处的灵敏度降低问题和串扰产生问题。

2、附加方面将在以下描述中阐述,基于描述,附加方面对本领域技术人员也是显而易见的,或者可以通过实践本公开所呈现的实施例获知。

3、根据实施例,一种图像传感器包括:传感器基板,包括用于感测入射光的多个像素;以及纳米光子微透镜阵列,包括多个纳米光子微透镜,多个纳米光子微透镜中的每个纳米光子微透镜分别与多个像素中的一个像素相对应,其中,多个纳米光子微透镜中的每个纳米光子微透镜包括二维布置的多个纳米结构,以将入射光会聚到各自对应的像素上,其中,跨两个相邻的纳米光子微透镜之间的边界彼此直接面对布置的两个纳米结构之间的间隙大于多个纳米光子微透镜中每个纳米光子微透镜中的多个纳米结构的排列周期。

4、在纳米光子微透镜阵列的整个区域中,多个纳米光子微透镜中每个纳米光子微透镜中的多个纳米结构的排列周期可以是一致的,并且跨两个相邻的纳米光子微透镜之间的边界彼此直接面对布置的两个纳米结构之间的间隙可以是一致的。

5、在多个纳米光子微透镜中的每个纳米光子微透镜中,多个纳米结构的排列周期从纳米光子微透镜阵列的中心部分可以朝向边缘逐渐减小,并且跨两个相邻的纳米光子微透镜之间的边界彼此直接面对布置的两个纳米结构之间的间隙可以从纳米光子微透镜阵列的中心部分朝向边缘逐渐增大。

6、当一个纳米光子微透镜在第一方向上的宽度为wx,多个纳米光子微透镜中每个纳米光子微透镜中的多个纳米结构在第一方向上的排列周期为px,并且一个纳米光子微透镜中沿第一方向排列的纳米结构的数量为nx时,

7、可以满足等式并且在纳米光子微透镜阵列的外围部分α可以具有大于0的值。

8、当跨两个相邻的纳米光子微透镜之间的边界彼此直接面对布置的两个纳米结构之间在第一方向上的间隙为gx时,

9、可以满足等式gx-px=nx·α。

10、在纳米光子微透镜阵列的整个区域上α的值可以是一致的。

11、在纳米光子微透镜阵列的中心部分处α的值可以为0。

12、多个纳米结构可以被布置为使得α的值与入射到纳米光子微透镜阵列上的入射光的主光线角(cra)成比例,并且α的值可以朝向纳米光子微透镜阵列的边缘逐渐增大或非连续增大。

13、纳米光子微透镜阵列可以包括位于中心部分的第一分区和位于外围部分的第二分区,外围部分围绕第一分区,其中,设置在第二分区中的多个纳米光子微透镜中的多个纳米结构的外围排列周期可以小于设置在第一分区中的多个纳米光子微透镜中的多个纳米结构的中心排列周期,并且其中,第二分区中跨两个相邻的纳米光子微透镜之间的边界彼此直接面对布置的两个纳米结构之间的外围间隙可以大于第一分区中跨两个相邻的纳米光子微透镜之间的边界彼此直接面对布置的两个纳米结构之间的的中心间隙。

14、在第一分区中,多个纳米光子微透镜中每个纳米光子微透镜中的多个纳米结构的中心排列周期以及跨两个相邻的纳米光子微透镜之间的边界彼此直接面对布置的两个纳米结构之间的中心间隙可以是一致的,并且在第二分区中,多个纳米光子微透镜中每个纳米光子微透镜中的多个纳米结构的外围排列周期以及跨两个相邻的纳米光子微透镜之间的边界彼此直接面对布置的两个纳米结构之间的外围间隙可以是一致的

15、在第一分区中,多个纳米光子微透镜中每个纳米光子微透镜中的多个纳米结构的中心排列周期可以等于跨两个相邻的纳米光子微透镜之间的边界彼此直接面对布置的两个纳米结构之间的中心间隙。

16、跨两个相邻的纳米光子微透镜之间的边界彼此直接面对布置的两个纳米结构之间的间隙与多个纳米光子微透镜中每个纳米光子微透镜中的多个纳米结构的排列周期之间的差值可以为大约0nm至大约300nm。

17、跨两个相邻的纳米光子微透镜之间的边界彼此直接面对布置的两个纳米结构之间的间隙与多个纳米光子微透镜中每个纳米光子微透镜中的多个纳米结构的排列周期之间的差值可以大于0并且可以等于或小于每个像素宽度的大约30%。

18、在多个纳米光子微透镜中的每个纳米光子微透镜中,多个纳米结构被布置为使得已经通过该纳米光子微透镜的光具有凸形相位分布。

19、在纳米光子微透镜阵列的中心部分处已经通过多个纳米光子微透镜的光的相位分布可以在第一方向上具有对称形状,并且可以在第二方向上具有对称形状。

20、布置在纳米光子微透镜阵列的外围部分的多个纳米光子微透镜可以被配置为:通过使倾斜入射到纳米光子微透镜阵列上的光偏转,将光会聚到对应像素的中心部分上。

21、已经通过布置在纳米光子微透镜阵列的外围部分的多个纳米光子微透镜的光可以具有其中倾斜线性相位分布和凸形相位分布相加的相位分布。

22、纳米光子微透镜阵列可以包括第一纳米光子微透镜阵列以及设置在第一纳米光子微透镜阵列上的第二纳米光子微透镜阵列,第一纳米光子微透镜阵列可以包括多个第一纳米结构,第二纳米光子微透镜阵列可以包括设置在第一纳米结构上的多个第二纳米结构,并且跨两个相邻的第一纳米光子微透镜之间的边界彼此直接面对布置的两个第一纳米结构之间的第一间隙可以等于跨两个相邻的第二纳米光子微透镜之间的边界彼此直接面对布置的两个第二纳米结构之间的第二间隙。

23、在纳米光子微透镜阵列的外围部分中,多个第二纳米结构可以相对于多个第一纳米结构朝向纳米光子微透镜阵列的中心部分偏移。

24、根据实施例,一种电子设备包括:透镜组件,用于形成对象的光学图像;图像传感器,被配置为将透镜组件形成的光学图像转换为电信号;以及处理器,被配置为对图像传感器生成的信号进行处理,其中,图像传感器包括:传感器基板,包括用于感测入射光的多个像素;以及纳米光子微透镜阵列,包括多个纳米光子微透镜,多个纳米光子微透镜中的每个纳米光子微透镜分别与多个像素中的一个像素相对应,其中,多个纳米光子微透镜中的每个纳米光子微透镜包括二维布置的多个纳米结构,以将入射光会聚到各自对应的像素上,并且其中,跨两个相邻的纳米光子微透镜之间的边界彼此直接面对布置的两个纳米结构之间的间隙大于多个纳米光子微透镜中每个纳米光子微透镜中的多个纳米结构的排列周期。

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【技术保护点】

1.一种图像传感器,包括:

2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,当一个纳米光子微透镜在第一方向上的宽度为Wx,在所述多个纳米光子微透镜中的每个纳米光子微透镜中所述多个纳米结构在所述第一方向上的排列周期为Px,并且在一个纳米光子微透镜中沿所述第一方向布置的纳米结构的数量为Nx时,

3.根据权利要求2所述的图像传感器,其中,当跨两个相邻的纳米光子微透镜之间的边界彼此直接面对布置的两个纳米结构之间的在所述第一方向上的间隙为Gx时,

4.根据权利要求2所述的图像传感器,其中,在所述纳米光子微透镜阵列的整个区域上,α的值是一致的。

5.根据权利要求2所述的图像传感器,其中,

6.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,

7.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,

8.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,

9.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,

10.一种电子设备,包括:

【技术特征摘要】

1.一种图像传感器,包括:

2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,当一个纳米光子微透镜在第一方向上的宽度为wx,在所述多个纳米光子微透镜中的每个纳米光子微透镜中所述多个纳米结构在所述第一方向上的排列周期为px,并且在一个纳米光子微透镜中沿所述第一方向布置的纳米结构的数量为nx时,

3.根据权利要求2所述的图像传感器,其中,当跨两个相邻的纳米光子微透镜之间的边界彼此直接面对布置的两个纳米结构之间的在所述第一方向上的...

【专利技术属性】
技术研发人员:文祥银卢淑英李俊虎
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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