【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种闪存元胞spice模型的建模方法。
技术介绍
1、spice(simulation program with integrated circuit emphasis，以集成电路为重点的模拟程序)建模是连接半导体工艺制造技术与电路设计的桥梁，它为电路设计者提供电路仿真的器件级模型。一个完整的工艺节点的spice模型一般包括mosfet、bjt以及相关的后端金属互联层电容(mom电容)、mosfet的寄生电阻、mos变容管(mos varactor)等的模型。
2、目前，flash cell(闪存元胞)作为单独器件，并没有专门的spice模型来描述其电性行为；由于floating gate(浮栅)存在及其结构的一体性，它并不能像sram(静态随机存储器)那样，可以分割成基础的pu/pd/pg(上拉晶体管/下拉晶体管/传输晶体管)等基本的mosfet进行建模。
3、在闪存元胞中，浮栅的不同电荷状况反映了不同状态，更加增加了模型建立的复杂度。
4、为解决上述问题，需要提出一种新型的闪存元胞spice模型的建模方法。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种闪存元胞spice模型的建模方法，用于解决现有技术中flash cell(闪存元胞)作为单独器件，并没有专门的spice模型来描述其电性行为；由于floating gate(浮栅)存在及其结构的一体性，它并不能像sram(静态随机存储
2、在闪存元胞中，浮栅的不同电荷状况反映了不同状态，更加增加了模型建立的复杂度的问题。
3、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种闪存元胞spice模型的建模方法，包括：
4、步骤一、获取闪存元胞的模型数据；
5、步骤二、根据所述闪存元胞的各结构建立闪存元胞电路模型；
6、步骤三、根据所述闪存电路模型中所述闪存元胞的不同的操作状态进行参数提取，以获得不同的操作状态对应的子闪存元胞电路模型；
7、步骤四、将各所述子闪存元胞电路模型整合为一个模型文件。
8、优选地，步骤一中的所述闪存元胞包括衬底、沟道区、第一、二浮栅、第一、二控制栅、字线以及第一、二位线。
9、优选地，步骤一中所述获取闪存元胞的模型数据的方法包括：确定所述闪存元胞的的操作状态，确定所述闪存元胞的第一、二控制栅偏置电压；利用所述第一、二控制栅偏置电压模拟所述闪存元胞不同的操作状态，根据所述闪存元胞不同的操作状态收集所述模型数据。
10、优选地，步骤一中所述闪存元胞不同的操作状态包括：ios、01、10和11。
11、优选地，步骤二中所述根据所述闪存元胞的各结构建立闪存元胞电路模型的方法包括：确定所述闪存元胞的结构，根据所述闪存元胞的结构切分出基础单元；利用函数关系式定义出各所述基础单元的耦合关系；将所述函数关系式添加在spice模型中，建立所述闪存元胞电路模型。
12、优选地，步骤二中的所述函数关系式包括各所述基础单元对应的耦合参数，所述耦合参数决定所述闪存元胞的电流大小及整体趋势。
13、优选地，步骤二中的所述基础单元包括衬底、沟道区、第一、二浮栅、控制栅、字线以及第一、二位线；所述第一、二控制栅和所述字线为类似nmos的串联；所述第一、二浮栅作为栅极，所述第一、二浮栅和所述沟道区受到外部加压的耦合影响。
14、优选地，步骤二中以线形的所述函数关系式定义所述耦合影响。
15、优选地，步骤三中所述根据所述闪存电路模型中所述闪存元胞的不同的操作状态进行参数提取的方法包括：建立所述闪存元胞不同的操作状态对应的参数抽取策略；根据所述闪存元胞的操作状态选择对应的所述参数抽取策略。
16、优选地，步骤三中的所述闪存元胞的操作状态为11和iso时，由所述字线决定特性，所述参数抽取策略在于调节所述字线的相关参数；所述闪存元胞的操作状态为10状态时，由所述第二控制栅决定特性，所述参数抽取策略在与调节所述第二控制栅的相关参数；所述闪存元胞的操作状态为01状态时，由所述第一控制栅决定特性，所述参数抽取策略在于调节所述第一控制栅的相关参数。
17、如上所述，本专利技术的闪存元胞spice模型的建模方法，具有以下有益效果：
18、本专利技术为flash cell仿真设计提供模型；为未知形式的cell提供借鉴性的建模方法。
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1.一种闪存元胞SPICE模型的建模方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的闪存元胞SPICE模型的建模方法，其特征在于：步骤一中的所述闪存元胞包括衬底、沟道区、第一、二浮栅、第一、二控制栅、字线以及第一、二位线。
3.根据权利要求2所述的闪存元胞SPICE模型的建模方法，其特征在于：步骤一中所述获取闪存元胞的模型数据的方法包括：确定所述闪存元胞的的操作状态，确定所述闪存元胞的第一、二控制栅偏置电压；利用所述第一、二控制栅偏置电压模拟所述闪存元胞不同的操作状态，根据所述闪存元胞不同的操作状态收集所述模型数据。
4.根据权利要求3所述的闪存元胞SPICE模型的建模方法，其特征在于：步骤一中所述闪存元胞不同的操作状态包括：IOS、01、10和11。
5.根据权利要求4所述的闪存元胞SPICE模型的建模方法，其特征在于：步骤二中所述根据所述闪存元胞的各结构建立闪存元胞电路模型的方法包括：确定所述闪存元胞的结构，根据所述闪存元胞的结构切分出基础单元；利用函数关系式定义出各所述基础单元的耦合关系；将所述函数关系式添加在SPICE
6.根据权利要求5所述的闪存元胞SPICE模型的建模方法，其特征在于：步骤二中的所述函数关系式包括各所述基础单元对应的耦合参数，所述耦合参数决定所述闪存元胞的电流大小及整体趋势。
7.根据权利要求5所述的闪存元胞SPICE模型的建模方法，其特征在于：步骤二中的所述基础单元包括衬底、沟道区、第一、二浮栅、控制栅、字线以及第一、二位线；所述第一、二控制栅和所述字线为类似NMOS的串联；所述第一、二浮栅作为栅极，所述第一、二浮栅和所述沟道区受到外部加压的耦合影响。
8.根据权利要求7所述的闪存元胞SPICE模型的建模方法，其特征在于：步骤二中以线形的所述函数关系式定义所述耦合影响。
9.根据权利要求4所述的闪存元胞SPICE模型的建模方法，其特征在于：步骤三中所述根据所述闪存电路模型中所述闪存元胞的不同的操作状态进行参数提取的方法包括：建立所述闪存元胞不同的操作状态对应的参数抽取策略；根据所述闪存元胞的操作状态选择对应的所述参数抽取策略。
10.根据权利要求9所述的闪存元胞SPICE模型的建模方法，其特征在于：步骤三中的所述闪存元胞的操作状态为11和ISO时，由所述字线决定特性，所述参数抽取策略在于调节所述字线的相关参数；所述闪存元胞的操作状态为10状态时，由所述第二控制栅决定特性，所述参数抽取策略在与调节所述第二控制栅的相关参数；所述闪存元胞的操作状态为01状态时，由所述第一控制栅决定特性，所述参数抽取策略在于调节所述第一控制栅的相关参数。
...【技术特征摘要】
1.一种闪存元胞spice模型的建模方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的闪存元胞spice模型的建模方法，其特征在于：步骤一中的所述闪存元胞包括衬底、沟道区、第一、二浮栅、第一、二控制栅、字线以及第一、二位线。
3.根据权利要求2所述的闪存元胞spice模型的建模方法，其特征在于：步骤一中所述获取闪存元胞的模型数据的方法包括：确定所述闪存元胞的的操作状态，确定所述闪存元胞的第一、二控制栅偏置电压；利用所述第一、二控制栅偏置电压模拟所述闪存元胞不同的操作状态，根据所述闪存元胞不同的操作状态收集所述模型数据。
4.根据权利要求3所述的闪存元胞spice模型的建模方法，其特征在于：步骤一中所述闪存元胞不同的操作状态包括：ios、01、10和11。
5.根据权利要求4所述的闪存元胞spice模型的建模方法，其特征在于：步骤二中所述根据所述闪存元胞的各结构建立闪存元胞电路模型的方法包括：确定所述闪存元胞的结构，根据所述闪存元胞的结构切分出基础单元；利用函数关系式定义出各所述基础单元的耦合关系；将所述函数关系式添加在spice模型中，建立所述闪存元胞电路模型。
6.根据权利要求5所述的闪存元胞spice模型的建模方法，其特征在于：步骤二中的所述函数关系式包括各所述基础单元对应的耦合参数，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：汤茂亮，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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