一种氧化锡基靶材及其制备方法和应用技术

本发明专利技术属于靶材技术领域，具体公开了一种氧化锡基靶材及其制备方法和应用。本发明专利技术的氧化锡基靶材的制备原料按质量份数计包括：氧化锡91～95份、氧化钽1.5～3.5份、氧化锌1.5～3.5份、氧化钨0.5～2份、氧化钆0.3～1.5，此外还包括粘结剂和增塑剂。本发明专利技术还提供该氧化锡基靶材的制备方法和应用。本发明专利技术提供的氧化锡基靶材具有高致密度和极低的电阻率，其密度≥6.5g/m3，电阻率≤1×10‑2Ω·cm，因此该氧化锡基靶材能适用于DC直流电源磁控溅射镀膜；此外，本发明专利技术的氧化锡基靶材还因为具有良好的光透过率、低电阻率的优势，能提高电池转换效率，可以应用于光伏异质结电池以及钙钛矿电池。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及靶材，尤其是涉及一种氧化锡基靶材及其制备方法和应用。

技术介绍

1、锡掺杂氧化铟(ito)因其在可见光范围具有高透光率，同时具有非常低的电阻(通常1～2×10-4ω·cm)，被视作为最有效的透明导电氧化物(transparent conductiveoxide，tco)薄膜制造材料。然而，由于铟的自然储量非常低，全球供应有限，对资源控制的竞争也比较激烈，因此铟的供应有限，成本也较高。尤其是欧盟完全依赖铟的进口供应，这意味着欧盟内部的tco制造以及其他依赖铟的低碳技术都面临着严重的铟供应风险。而锡的自然储量丰富，价格相对便宜，因此常被开发用于替代ito材料，氧化锡(sno2)的光学带隙约为3.5～4.0ev，当存在锡间隙或氧空位时显示出简并的n型半导体特性，因其具有良好的化学稳定性、较高的可见光透过性和相对较低的电阻率，广泛应用于太阳能电池、气体传感器等光电器件领域。

2、sno2是一种n型半导体，其导电性主要依赖于价带和导带之间的电子转移。在纯净的sno2中，其带隙宽度较大，这意味着电子需要较大的能量才能从价带跃迁到导带，因此其固本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种氧化锡基靶材，其特征在于，制备原料按质量份数计包括：氧化锡91～95份、氧化钽1.5～3.5份、氧化锌1.5～3.5份、氧化钨0.5～2份、氧化钆0.3～1.5。

2.根据权利要求1所述的氧化锡基靶材，其特征在于，所述制备原料还包括粘结剂、增塑剂；

3.根据权利要求2所述的氧化锡基靶材，其特征在于，制备原料按质量份数计包括：氧化锡91.5～94.5份、氧化钽2～3份、氧化锌2～3份、氧化钨1～1.5份、氧化钆0.5～1份、粘结剂0.5～2份、增塑剂0.5～1.5。

4.根据权利要求3所述的氧化锡基靶材，其特征在于，所述氧化锡基靶材的密度≥6.5...

【技术特征摘要】

1.一种氧化锡基靶材，其特征在于，制备原料按质量份数计包括：氧化锡91～95份、氧化钽1.5～3.5份、氧化锌1.5～3.5份、氧化钨0.5～2份、氧化钆0.3～1.5。

2.根据权利要求1所述的氧化锡基靶材，其特征在于，所述制备原料还包括粘结剂、增塑剂；

3.根据权利要求2所述的氧化锡基靶材，其特征在于，制备原料按质量份数计包括：氧化锡91.5～94.5份、氧化钽2～3份、氧化锌2～3份、氧化钨1～1.5份、氧化钆0.5～1份、粘结剂0.5～2份、增塑剂0.5～1.5。

4.根据权利要求3所述的氧化锡基靶材，其特征在于，所述氧化锡基靶材的密度≥6.5g/m3。

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【专利技术属性】
技术研发人员：高钰航，陈露，葛春桥，
申请(专利权)人：中山智隆新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：