一种用于溅射薄膜晶体管的掺杂IZO靶材及其制备方法技术

本申请涉及溅射靶材技术领域，具体公开了一种用于溅射薄膜晶体管的掺杂IZO靶材及其制备方法。一种用于溅射薄膜晶体管的掺杂IZO靶材，包括多元氧化物粉末、粘结剂和增塑剂；所述多元氧化物粉末包括以下重量份的原料：氧化铟86‑89.6份，氧化锌9.5‑12.8份，氧化锆0.5‑1.2份，氧化铊0.1‑0.4份，所述多元氧化物粉末的比表面积为8 m2/g‑20m2/g，松装密度为0.91g/cm3‑1.55g/cm3。本申请的用于溅射薄膜晶体管的掺杂IZO靶材，通过锆、铊元素添加到多元氧化物粉末中，利用氧化铊低熔点形成液相反应，与氧化锆形成低熔共晶物，和氧化铟、氧化锌复配，能够减少靶材气孔率、降低靶材电阻率，进而提高溅射薄膜的电学和光学稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及靶材，更具体地说，它涉及一种用于溅射薄膜晶体管的掺杂izo靶材及其制备方法。

技术介绍

1、薄膜晶体管(tft)作为当前平板显示器有源驱动的开关元件，其性能决定着显示器性能的好坏。tft器件溅射成膜所需要的溅射基材—靶材性能的好坏直接决定了溅射后薄膜的质量。靶材的性能影响着镀膜效果，致密度高、靶材晶粒均匀、电阻率低和强度高的靶材能助力提升溅射镀膜后薄膜的性能。显示技术不断更新迭代，许多面板厂商都朝着大尺寸，超高清方向技术发展，超高清、超大尺寸显示器件对tft器件的性能提出了更高要求。

2、非晶铟镓锌氧化物(igzo)薄膜具有可见光范围内透过率高、可低温制备、制备成本较低、因非晶态使得薄膜具有较好的均匀性等优异性能，已经逐渐实现商业化量产，但是仍应用在小尺寸以及柔性显示领域居多，而在超大尺寸、超高显示领域则需要比igzo薄膜更高的迁移率以及更高的光学、电学稳定性来代替。

3、izo薄膜国内外对此已经有较多的研究，虽然其迁移率高，但由于缺少氧空位抑制剂，氧空位浓度高，薄膜中载流子浓度变高，造成tft器件的阈值电压负漂，溅射的i本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于溅射薄膜晶体管的掺杂IZO靶材，其特征在于，包括多元氧化物粉末、粘结剂和增塑剂；所述多元氧化物粉末包括以下重量份的原料：氧化铟86-89.6份，氧化锌9.5-12.8份，氧化锆0.5-1.2份，氧化铊0.1-0.4份，所述多元氧化物粉末的比表面积为8 m2/g-20m2/g，松装密度为0.91g/cm3-1.55g/cm3。

2.根据权利要求1所述的用于溅射薄膜晶体管的掺杂IZO靶材，其特征在于，所述多元氧化物粉末D50≤80%。

3.根据权利要求1所述的用于溅射薄膜晶体管的掺杂IZO靶材，其特征在于，所述粘结剂质量为多元氧化物粉末质量的0.2-1.2...

【技术特征摘要】

1.一种用于溅射薄膜晶体管的掺杂izo靶材，其特征在于，包括多元氧化物粉末、粘结剂和增塑剂；所述多元氧化物粉末包括以下重量份的原料：氧化铟86-89.6份，氧化锌9.5-12.8份，氧化锆0.5-1.2份，氧化铊0.1-0.4份，所述多元氧化物粉末的比表面积为8 m2/g-20m2/g，松装密度为0.91g/cm3-1.55g/cm3。

2.根据权利要求1所述的用于溅射薄膜晶体管的掺杂izo靶材，其特征在于，所述多元氧化物粉末d50≤80%。

3.根据权利要求1所述的用于溅射薄膜晶体管的掺杂izo靶材，其特征在于，所述粘结剂质量为多元氧化物粉末质量的0.2-1.2%，所述增塑剂质量为多元氧化物粉末质量的0.2-1.5%。

4.根据权利要求1所述的用于溅射薄膜晶体管的掺杂izo靶材，其特征在于，所述粘结剂为聚乙烯醇、羧甲基纤维素钠、聚氯乙烯和羟丙基甲基纤维素中的一种。

5.根据权利要求1所述的用于溅射薄膜晶体管的掺杂izo靶材，其特征在于，所述增塑剂为聚乙二醇。

6.一种如权利要求1-5任一项所述的用于溅射薄膜晶体管的掺杂izo靶材的制备方法，其特征在于，包括以下具体步骤：

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【专利技术属性】
技术研发人员：钟威平，葛春桥，李强，
申请(专利权)人：中山智隆新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：