【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，具体涉及一种显示面板及其制备方法。
技术介绍
1、随着显示技术的发展，液晶显示器、有机发光二极管显示器等平面显示装置被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，具有广阔的市场前景。
2、无论是液晶显示器，还是有机发光二极管显示器，其均需要用到薄膜晶体管(英文全称：thin film transistor，简称：tft)。
3、但目前的薄膜晶体管的开态电流较小、尺寸较大，无法满足平面显示装置的高刷新率、低能耗、高开口率、窄边框等需求，此问题亟待解决。
技术实现思路
1、本申请提供一种显示面板及其制备方法，能够有效解决现有的薄膜晶体管的开态电流较小、尺寸较大，无法满足平面显示装置的高刷新率、低能耗、高开口率、窄边框的需求的技术问题。
2、第一方面，本申请提供一种显示面板，所述显示面板包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极；有源层，设置在所述栅极的一侧，并包括沟道和位于所述沟道两侧的第一电极欧姆接触部和第二电极欧姆接触部；其中，所述第一电极欧姆接触部朝向所述第二电极欧姆接触部的方向为第一方向，所述栅极在所述第一方向上具有第一宽度，所述沟道在所述第一方向上具有第二宽度，且所述第一宽度为所述第二宽度的两倍以上。
3、可选的，所述薄膜晶体管还包括：第一电极，所述第一电极设置在所述第一电极欧姆接触部背离所述栅极的一侧；第二电极，所述第二电极设置在所述第二电极欧姆接触部背离所述栅极的
4、可选的，所述薄膜晶体管还包括：变质层，设置在所述第一电极欧姆接触部背离所述栅极的一侧，并覆盖所述第一电极欧姆接触部；非变质层，设置在所述第二电极欧姆接触部背离所述栅极的一侧，并覆盖所述第二电极欧姆接触部；第一电极，设置在所述变质层背离所述第一电极欧姆接触部的一侧；第二电极，设置在所述非变质层背离所述第二电极欧姆接触部的一侧；其中，所述变质层和所述非变质层之间具有第二间隙，所述第二间隙暴露所述沟道，且所述变质层和所述非变质层均为导体，所述变质层的蚀刻速率小于所述非变质层的蚀刻速率；其中，所述第一电极和所述第二电极之间具有第三间隙，所述第三间隙暴露所述沟道、至少部分所述变质层和至少部分所述非变质层。
5、可选的，所述薄膜晶体管还包括：变质层，设置在所述第一电极欧姆接触部背离所述栅极的一侧，并覆盖所述第一电极欧姆接触部；非变质层，设置在所述第二电极欧姆接触部背离所述栅极的一侧，并覆盖所述第二电极欧姆接触部；其中，所述变质层和所述非变质层之间具有第四间隙，所述第四间隙暴露所述沟道，且所述变质层和所述非变质层均为导体，所述变质层的蚀刻速率小于所述非变质层的蚀刻速率。
6、可选的，所述薄膜晶体管还包括：变质层，设置在所述第一电极欧姆接触部朝向所述栅极的一侧；非变质层，设置在所述第二电极欧姆接触部朝向所述栅极的一侧；第一电极，设置在所述第一电极欧姆接触部背离所述变质层的一侧；第二电极，设置在所述第二电极欧姆接触部背离所述非变质层的一侧；其中，所述变质层和所述非变质层之间具有第五间隙，所述沟道填充所述第五间隙，且所述变质层和所述非变质层均为导体，所述变质层的蚀刻速率小于所述非变质层的蚀刻速率；其中，所述第一电极和所述第二电极之间具有第六间隙，所述第六间隙暴露所述沟道、至少部分所述第一电极欧姆接触部和至少部分所述第二电极欧姆接触部。
7、可选的，所述薄膜晶体管还包括：第一电极，所述第一电极设置在所述第一电极欧姆接触部背离所述栅极的一侧；第二电极，所述第二电极设置在所述第二电极欧姆接触部背离所述栅极的一侧；变质层，设置在所述第一电极背离所述第一电极欧姆接触部的一侧；非变质层，设置在所述第二电极背离所述第二电极欧姆接触部的一侧；其中，所述第一电极和所述第二电极之间具有第七间隙，所述第七间隙暴露所述沟道、至少部分所述第一电极欧姆接触部和至少部分所述第二电极欧姆接触部；其中，所述变质层覆盖所述第一电极和至少部分所述第一电极欧姆接触部，所述非变质层覆盖所述第二电极和至少部分所述第二电极欧姆接触部，所述变质层和所述非变质层之间具有第八间隙，所述第八间隙暴露所述沟道，且所述变质层和所述非变质层均为导体，所述变质层的蚀刻速率和所述非变质层的蚀刻速率不同。
8、可选的，所述变质层能够由所述非变质层通过变质处理得到。
9、可选的，所述薄膜晶体管还包括：变质层或蚀刻阻挡层，设置在所述沟道背离所述栅极的一侧，并覆盖所述沟道；其中，所述变质层和所述蚀刻阻挡层为绝缘材质，所述变质层能够由非变质层通过变质处理得到，且所述变质层的蚀刻速率小于所述非变质层的蚀刻速率。
10、可选的，所述第二宽度为0.1～1.5微米。
11、第二方面，本申请提供一种显示面板的制备方法，所述显示面板的制备方法包括以下步骤：
12、提供一衬底，在所述衬底上形成图案化的栅极；
13、在所述栅极背离所述衬底的一侧形成与所述栅极相对应的有源层；
14、在所述有源层背离所述栅极的一侧形成覆盖所述有源层的未变质层，所述未变质层包括第一区域和位于所述第一区域两侧的第二区域和第三区域；
15、在所述未变质层的第一区域和第三区域形成光阻；
16、对所述未变质层进行变质处理，以使所述第二区域的未变质层转化为变质层；
17、去除所述第一区域的所述光阻；
18、对所述变质层和所述非变质层进行蚀刻，所述变质层的蚀刻速率小于所述非变质层的蚀刻速率，以去除所述第一区域的所述非变质层，暴露与所述第一区域对应的所述有源层；
19、去除所述第三区域的所述光阻；
20、其中，对应所述第一区域的所述有源层为沟道，对应所述第二区域的所述有源层为第一电极欧姆接触部和第二电极欧姆接触部中的一个，对应所述第三区域的所述有源层为第一电极欧姆接触部和第二电极欧姆接触部中的另一个。
21、第三方面，本申请提供一种显示面板的制备方法，所述显示面板的制备方法包括以下步骤：
22、提供一衬底，在所述衬底上形成图案化的栅极；
23、在所述栅极背离所述衬底的一侧形成与所述栅极相对应的有源层；
24、在所述有源层背离所述栅极的一侧形成覆盖所述有源层的未变质层，所述未变质层包括第一区域和位于所述第一区域两侧的第二区域和第三区域；
25、在所述未变质层背离所述有源层的一侧形成牺牲层，并在对应所述第一区域和所述第三区域的所述牺牲层背离所述未变质层的一侧形成光阻；
26、去除所述第二区域和所述第一区域的所述牺牲层，以暴露所述第二区域和所述第一区域的所述未变质层；
27、对所述未变质层进行处理，以使所述第二区域的所述未变质层转化为变质层；
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1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二宽度为0.1～1.5微米。
8.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述显示面板的制备方法包括以下步骤：
9.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述显示面板的制备方法包括以下步骤：
10.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述显示面板的制备方法包括：
【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：
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【专利技术属性】
技术研发人员：刘念，卢马才，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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