System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种无金属离子型硅晶片清洗剂及其制备方法技术_技高网

一种无金属离子型硅晶片清洗剂及其制备方法技术

技术编号:41259815 阅读:5 留言:0更新日期:2024-05-11 09:18
本发明专利技术涉及硅晶片清洗剂技术领域,尤其涉及一种无金属离子型硅晶片清洗剂,由以下重量份的物质组成:异构醇聚氧乙烯醚5~10份、脂肪醇烷氧基醚3~5份、马来酸‑丙烯酸共聚物15~25份、过氧化氢1~3份、乙二醇丁醚5~10份、单乙醇胺4~12份、纤维素浮选剂8~12份和去离子水30~40份,本发明专利技术提出的硅晶片清洗剂,不含有强酸和强碱,且不含有金属离子,清洗过程中不会引入新的金属离子杂质,保证清洗效果不受不良影响,本发明专利技术提出的硅晶片清洗剂,含有单乙醇胺代替传统的氢氧化钠,对硅晶片表面具有一定的腐蚀作用,配合其它组分,能够有效的将杂质从硅晶片表面去除。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅晶片清洗剂,尤其涉及一种无金属离子型硅晶片清洗剂及其制备方法


技术介绍

1、在太阳能级硅单晶制造过程中,需要将原生多晶硅或再生硅料作为原料,在单晶炉中熔化后拉制成单晶棒。拉制单晶棒的硅料其纯度要求较高,但是硅料在加工、运输、储存过程中表面会污染;因此在使用这些硅原料之前必须对它进行表面清洗,主要是清除有机物、氧化层和金属离子的玷污,尤其是要求最大限度地不残留任何金属杂质。

2、传统的硅料清洗方法主要是采用强酸(hf、hno3)或强碱等强腐蚀的化学试剂,将硅料表层腐蚀、剥离达到去除杂质的效果。传统清洗方法中用到的强酸、强碱腐蚀性强,对操作人员危害大,废气、废液后处理繁琐,对环境污染较严重,另一方面,含有强碱的硅晶片清洗剂中涉及到多种包含钠的金属离子,清洗结束后容易产生金属离子残留,从而影响清洗效果。

3、因此,我们提出了一种无金属离子型硅晶片清洗剂及其制备方法用于解决上述问题。


技术实现思路

1、本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种无金属离子型硅晶片清洗剂及其制备方法。

2、一种无金属离子型硅晶片清洗剂,由以下重量份的物质组成:异构醇聚氧乙烯醚5~10份、脂肪醇烷氧基醚3~5份、马来酸-丙烯酸共聚物15~25份、过氧化氢1~3份、乙二醇丁醚5~10份、单乙醇胺4~12份、纤维素浮选剂8~12份和去离子水30~40份。

3、由以下重量份的物质组成:异构醇聚氧乙烯醚7份、脂肪醇烷氧基醚4份、马来酸-丙烯酸共聚物20份、过氧化氢2份、乙二醇丁醚6份、单乙醇胺8份、纤维素浮选剂10份和去离子水35份。

4、所述纤维素浮选剂的制备方法包括以下步骤:按4~6:1的质量比将改性纤维素与腐殖酸置于研钵中,直接进行研磨混匀,即制得改性纤维素。

5、所述改性纤维素为羧甲基纤维素和羟乙基纤维素的混合物,羧甲基纤维素和羟乙基纤维素的质量比为(0.5~3):1。

6、一种无金属离子型硅晶片清洗剂的制备方法,包括以下步骤:

7、步骤1、向反应容器中加入异构醇聚氧乙烯醚、脂肪醇烷氧基醚、马来酸-丙烯酸共聚物和乙二醇丁醚,搅拌至均匀,得到基底溶液;

8、步骤2、将纤维素浮选剂与单乙醇胺置入混合器中充分混合,得到混合基料;

9、步骤3、向步骤1中得到的基底溶液中边搅拌边加入去离子水,搅拌时间30~60mim,搅拌完毕后加入混合基料和过氧化氢,继续搅拌2~3h,得到硅晶片清洗剂。

10、所述步骤1中,搅拌温度为10~40℃;所述步骤2中,混合温度为20~45℃,所述步骤3中,搅拌温度为5~30℃

11、本专利技术的有益效果是:

12、1、本专利技术提出的硅晶片清洗剂,不含有强酸和强碱,且不含有金属离子,清洗过程中不会引入新的金属离子杂质,保证清洗效果不受不良影响。

13、2、本专利技术提出的硅晶片清洗剂,含有单乙醇胺代替传统的氢氧化钠,对硅晶片表面具有一定的腐蚀作用,配合羧基异构醇乙氧基化合物表面活性剂,脂肪醇烷氧基醚表面活性剂,马来酸-丙烯酸共聚物络合剂和过氧化氢氧化剂能够有效的将杂质从硅晶片表面去除。

14、3、本专利技术提出的硅晶片清洗剂,含有纤维素浮选剂,纤维素浮选剂以改性纤维素为基础,负载了腐殖酸,其中腐殖酸对金属离子有良好的络合能力,辅助马来酸-丙烯酸共聚物对金属离子进行络合,改性纤维素对硅晶片表面的细小颗粒具有良好的吸附作用,避免了清洗液中的碳化硅、硅粉等小颗粒再次附着在硅晶片表面,提高清洗效果。

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【技术保护点】

1.一种无金属离子型硅晶片清洗剂,其特征在于,由以下重量份的物质组成:异构醇聚氧乙烯醚5~10份、脂肪醇烷氧基醚3~5份、马来酸-丙烯酸共聚物15~25份、过氧化氢1~3份、乙二醇丁醚5~10份、单乙醇胺4~12份、纤维素浮选剂8~12份和去离子水30~40份。

2.根据权利要求1所述的一种无金属离子型硅晶片清洗剂,其特征在于,由以下重量份的物质组成:异构醇聚氧乙烯醚7份、脂肪醇烷氧基醚4份、马来酸-丙烯酸共聚物20份、过氧化氢2份、乙二醇丁醚6份、单乙醇胺8份、纤维素浮选剂10份和去离子水35份。

3.根据权利要求1所述的一种无金属离子型硅晶片清洗剂,其特征在于,所述纤维素浮选剂的制备方法包括以下步骤:按4~6:1的质量比将改性纤维素与腐殖酸置于研钵中,直接进行研磨混匀,即制得改性纤维素。

4.根据权利要求3所述的一种无金属离子型硅晶片清洗剂,其特征在于,所述改性纤维素为羧甲基纤维素和羟乙基纤维素的混合物,羧甲基纤维素和羟乙基纤维素的质量比为(0.5~3):1。

5.一种根据权利要求1~4任一所述的无金属离子型硅晶片清洗剂的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

6.根据权利要求5所述的一种无金属离子型硅晶片清洗剂的制备方法,其特征在于,所述步骤1中,搅拌温度为10~40℃;所述步骤2中,混合温度为20~45℃,所述步骤3中,搅拌温度为5~30℃。

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【技术特征摘要】

1.一种无金属离子型硅晶片清洗剂,其特征在于,由以下重量份的物质组成:异构醇聚氧乙烯醚5~10份、脂肪醇烷氧基醚3~5份、马来酸-丙烯酸共聚物15~25份、过氧化氢1~3份、乙二醇丁醚5~10份、单乙醇胺4~12份、纤维素浮选剂8~12份和去离子水30~40份。

2.根据权利要求1所述的一种无金属离子型硅晶片清洗剂,其特征在于,由以下重量份的物质组成:异构醇聚氧乙烯醚7份、脂肪醇烷氧基醚4份、马来酸-丙烯酸共聚物20份、过氧化氢2份、乙二醇丁醚6份、单乙醇胺8份、纤维素浮选剂10份和去离子水35份。

3.根据权利要求1所述的一种无金属离子型硅晶片清洗剂,其特征在于,所述纤维素浮选剂的...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴伟峰陆由东毛科人
申请(专利权)人:常州君合科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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