存储器结构及其形成方法技术

一种存储器结构及其形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成源漏层结构，所述源漏层结构包括：源漏叠层和第一隔离层，至少三个所述源漏叠层沿垂直衬底表面的方向依次堆叠，所述源漏叠层包括两个源漏掺杂层和位于所述源漏掺杂层之间的第二隔离层，所述第一隔离层位于相邻两个源漏叠层之间；形成沿垂直衬底表面的方向贯穿所述源漏层结构的栅极结构以及位于栅极结构和任一源漏叠层之间的沟道层，沿朝向所述栅极结构的方向，所述第一隔离层的端部凸出于所述源漏叠层的端部以实现相邻沟道层之间的电绝缘。所述沿垂直衬底表面的方向依次堆叠的源漏叠层、沿垂直衬底表面的方向贯穿所述源漏层结构的栅极结构以及位于所述栅极结构侧壁和任一源漏叠层之间的沟道层的存储器结构增大了存储器结构的存储容量，并且所述源漏层结构在平行于衬底表面方向的占用面积仅为1个源漏叠层在平行于衬底表面方向的占用面积，所述存储器结构在增大存储容量时不增大在平行于衬底表面方向的面积，提升了存储器的存储密度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造工艺，具体涉及一种存储器结构及其形成方法。

技术介绍

1、随着半导体集成电路(integrated circuit，ic)产业的快速成长，半导体技术在摩尔定律的驱动下持续地朝更小的工艺节点迈进，使得集成电路朝着体积更小、电路精密度更高、电路复杂度更高的方向发展。集成电路发展过程中，通常功能密度逐渐增加的同时，几何尺寸逐渐减小，增加了集成电路制造的难度和复杂度。

2、闪存作为当今主流的存储载体得到迅速的推广，其技术也得到了迅猛的发展。闪存分为或非(not or，nor)型闪存和与非(not and，nand)型闪存。或非型闪存作为闪存的一种，由于具有高效的编程速度和擦除能力，得到了广泛的关注。

3、采用1t(1-transistor)器件结构的或非型闪存阵列的闪存技术被广泛用于各种嵌入式消费类电子产品等应用中。1t结构由于没有选择栅晶体管，因此拥有更小的比特(bit)面积，提高了存储集成密度即节省芯片面积、降低制造成本。或非型闪存阵列由于每一个比特的源漏都直接通过金属引出，因此可实现每一个比特位的直接访问，因此本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述源漏掺杂层背向所述衬底一侧的表面具有连接区，所述连接区暴露于上层的部分源漏掺杂层。

3.如权利要求2所述的存储器结构，其特征在于，所述连接区位于所述源漏掺杂层远离所述栅极结构的一端。

4.如权利要求2所述的存储器结构，其特征在于，还包括：位于所述源漏层结构上的缓冲层以及位于所述缓冲层上的顶部隔离层；

5.如权利要求4所述的存储器结构，其特征在于，还包括：位于所述阻挡层上覆盖所述源漏层结构、所述缓冲层以及顶部隔离层的层间介质层。>

6.如权利要...

【技术特征摘要】

1.一种存储器结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述源漏掺杂层背向所述衬底一侧的表面具有连接区，所述连接区暴露于上层的部分源漏掺杂层。

3.如权利要求2所述的存储器结构，其特征在于，所述连接区位于所述源漏掺杂层远离所述栅极结构的一端。

4.如权利要求2所述的存储器结构，其特征在于，还包括：位于所述源漏层结构上的缓冲层以及位于所述缓冲层上的顶部隔离层；

5.如权利要求4所述的存储器结构，其特征在于，还包括：位于所述阻挡层上覆盖所述源漏层结构、所述缓冲层以及顶部隔离层的层间介质层。

6.如权利要求5所述的存储器结构，其特征在于，还包括：位于所述层间介质层内的互连结构。

7.如权利要求6所述的存储器结构，其特征在于，所述互连结构包括：位于所述层间介质层内的第一导电插塞和第二导电插塞以及位于所述层间介质层上的金属层，所述第一导电插塞电连接所述连接区和所述金属层；所述第二导电插塞电连接所述栅极结构和所述金属层。

8.如权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述阻挡层还延伸至所述栅极结构和所述衬底之间。

9.如权利要求8所述的存储器结构，其特征在于，沿朝向所述衬底的方向，所述栅极结构延伸入所述阻挡层内。

10.一种存储器结构的形成方法，其特征在于，包括：

11.如权利要求10所述的存储器结构的形成方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：许昭昭，张引桐，刘冬华，钱文生，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：