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一种存储器结构及其形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成源漏层结构，所述源漏层结构包括：源漏叠层和第一隔离层，至少三个所述源漏叠层沿垂直衬底表面的方向依次堆叠，所述源漏叠层包括两个源漏掺杂层和位于所述源漏掺杂层...
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