【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种用于粘接透射电子显微镜样品的金属栅结构。
技术介绍
1、随着ic(integrated circuit)产业发展，器件的尺寸越来越小，对分析工具解析度的要求就会越来越高，tem(透射电子显微镜)已经演变成一个不可以缺少的分析研究工具。聚焦离子束(focused ion beam，以下简称fib)在半导体芯片制造行业的失效分析领域常用来制备透射电子显微镜(transmission electron microscope，以下简称tem)样品、标记以及进行线路修补。金属栅作为fib样品制备与tem拍摄的共同载体是不可或缺的。传统的金属栅是具有四根粘接位置的平滑结构，最多可容纳8个样品的粘接，使用效率低，另外由于接触面是平滑结构，增加了粘接难度使样品制备的成功率大大降低。
2、为解决上述问题，需要提出一种新型的用于粘接透射电子显微镜样品的金属栅结构。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种用于粘接透射电子显微镜样品的金属栅结构，用于解决现有技术中金属栅是具有四根粘接位置的平滑结构，最多可容纳8个样品的粘接，使用效率低，另外由于接触面是平滑结构，增加了粘接难度使样品制备的成功率大大降低的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种用于粘接透射电子显微镜样品的金属栅结构，包括：
3、金属栅主体，所述金属栅主体的形状与fib制样的样品台相匹配；
4、固定连接于
5、所述柱状体上自下而上形成有至少一面的阶梯状结构；
6、形成于所述阶梯状结构每层阶梯上的凹槽，所述凹槽处为tem样品的粘结位置。
7、优选地，所述金属栅主体和所述柱状体的材料为消磁金属。
8、优选地，所述金属栅主体和所述柱状体的材料为铜或钼。
9、优选地，所述金属栅主体上形成有镂空处，所述柱状体固定连接于所述镂空处。
10、优选地，所述柱状体等间距分布，所述柱状体间的距离为400μm。
11、优选地，所述柱状体的数量为四个。
12、优选地，所述阶梯的高为100μm，宽为50μm。
13、优选地，所述凹槽形成于所述阶梯竖直面靠近中央的位置。
14、优选地，所述凹槽的的开口形状为宽10μm的正方形，深度为1μm。
15、优选地，所述柱状体上自下而上形成有两面相对称的所述阶梯状结构。
16、如上所述，本专利技术的用于粘接透射电子显微镜样品的金属栅结构，具有以下有益效果：
17、本专利技术设计了一种具有凹槽的阶梯状金属栅用于粘接tem样品；阶梯状结构增加了粘接位置，减少了加工的时间，提高工作效率；凹槽结构增大粘接接触面积，提高了tem样品制备的成功率。
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1.一种用于粘接透射电子显微镜样品的金属栅结构，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的用于粘接透射电子显微镜样品的金属栅结构，其特征在于：所述金属栅主体和所述柱状体的材料为消磁金属。
3.根据权利要求3所述的用于粘接透射电子显微镜样品的金属栅结构，其特征在于：所述金属栅主体和所述柱状体的材料为铜或钼。
4.根据权利要求1所述的用于粘接透射电子显微镜样品的金属栅结构，其特征在于：所述金属栅主体上形成有镂空处，所述柱状体固定连接于所述镂空处。
5.根据权利要求1所述的用于粘接透射电子显微镜样品的金属栅结构，其特征在于：所述柱状体等间距分布，所述柱状体间的距离为400μm。
6.根据权利要求1所述的用于粘接透射电子显微镜样品的金属栅结构，其特征在于：所述柱状体的数量为四个。
7.根据权利要求1所述的用于粘接透射电子显微镜样品的金属栅结构，其特征在于：所述阶梯的高为100μm，宽为50μm。
8.根据权利要求1所述的用于粘接透射电子显微镜样品的金属栅结构，其特征在于：所述凹槽形成于所述阶梯竖直面
9.根据权利要求1所述的用于粘接透射电子显微镜样品的金属栅结构，其特征在于：所述凹槽的开口形状为宽10μm的正方形，深度为1μm。
10.根据权利要求1所述的用于粘接透射电子显微镜样品的金属栅结构，其特征在于：所述柱状体上自下而上形成有两面相对称的所述阶梯状结构。
...【技术特征摘要】
1.一种用于粘接透射电子显微镜样品的金属栅结构，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的用于粘接透射电子显微镜样品的金属栅结构，其特征在于：所述金属栅主体和所述柱状体的材料为消磁金属。
3.根据权利要求3所述的用于粘接透射电子显微镜样品的金属栅结构，其特征在于：所述金属栅主体和所述柱状体的材料为铜或钼。
4.根据权利要求1所述的用于粘接透射电子显微镜样品的金属栅结构，其特征在于：所述金属栅主体上形成有镂空处，所述柱状体固定连接于所述镂空处。
5.根据权利要求1所述的用于粘接透射电子显微镜样品的金属栅结构，其特征在于：所述柱状体等间距分布，所述柱状体间的距离为400μm。
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【专利技术属性】
技术研发人员：李丽媛，陈胜，李明，高金德，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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