【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电路板制造领域，尤其涉及一种线路板蚀刻液及其使用方法。
技术介绍
1、线路板蚀刻工序主要包括步骤：将蚀刻液经过喷头均匀地喷淋到铜箔表面，药水中的cu2+与没有蚀刻阻剂保护的铜箔发生氧化还原反应；将不需要的铜反应掉，露出基材，再经过剥膜处理后使线路成型。
2、一般情况下，线路板蚀刻过程中容易发生侧蚀的问题，传统的做法是在药水中加入适量的护岸剂，该护岸剂可以吸附于铜箔层的侧壁以形成保护膜，该保护膜可以阻挡部分药水侧向迁移，进而减缓侧向的蚀刻程度，但是，该护岸剂也容易被冲击损坏，导致无法正常阻挡药水，造成对侧蚀程度抑制的能力减弱。
技术实现思路
1、为解决
技术介绍
中的问题，本专利技术的目的在于提供一种线路板蚀刻液。
2、另外，还有必要提供一种线路板蚀刻液的使用方法。
3、一种线路板蚀刻液，包括酸性蚀刻剂，还包括以下摩尔浓度的组分：护岸剂，10-50ppm；缓蚀剂，10-50ppm；表面活性剂，20-100ppm；其中，所述护岸剂的结构式为：所述r1、r2为氢、烷基、苯基、取代苯基或含氮芳香基团中的一种或两种；所述缓蚀剂的结构式为：其中，所述r3为氢、羟基、卤素原子、或者烷基中的一种；
4、所述表面活性剂的结构式为：其中，所述r4为氢或碳原子数为1-9的烷基。
5、进一步地，还包括摩尔浓度为100-1000ppm的有机溶剂，所述有机溶剂包括丙二醇、异丙醇中的至少一种。
6、进一步地，所述酸性蚀刻剂包括
7、进一步地，所述护岸剂的结构式为：
8、
9、进一步地，所述表面活性剂的结构式为：
10、
11、进一步地，所述缓蚀剂的结构式为：
12、
13、一种如上所述的线路板蚀刻液的使用方法，包括步骤：提供待蚀刻基板，所述待蚀刻基板包括铜箔层及设置于所述铜箔层的抗蚀层，所述抗蚀层贯穿设置有开孔，部分所述铜箔层于所述开孔的底部露出。于所述待蚀刻基板喷淋所述线路板蚀刻液，其中，所述酸性蚀刻剂蚀刻于所述开孔露出的部分所述铜箔层以形成开口，所述护岸剂、所述缓蚀剂、以及所述表面活性剂吸附于所述开口的侧壁以形成保护膜，以及移除所述抗蚀刻层。
14、进一步地，所述保护膜包括内侧吸附层、外侧吸附层、以及设于所述内侧吸附层和所述外侧吸附层之间的中间吸附层，所述内侧吸附层包括护岸剂，所述中间吸附层包括缓蚀剂，所述外侧吸附层包括表面活性剂。
15、进一步地，所述线路板蚀刻液的温度为40～60℃，ph值为3～4。
16、进一步地，还包括步骤：清洗所述线路板蚀刻液。
17、本申请提供的线路板蚀刻液通过添加缓蚀剂，使得由护岸剂和亚铜离子配位形成的内侧吸附层得到保护，以及通过添加表面活性剂，使得由缓蚀剂和亚铜离子形成的中间吸附层得到保护，进而有利于减缓双氧水分子向所述开口的侧壁迁移的速率，从而减慢侧蚀的速度，降低侧蚀的程度。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种线路板蚀刻液，包括酸性蚀刻剂，其特征在于，还包括以下摩尔浓度的组分：
2.如权利要求1所述的线路板蚀刻液，其特征在于，还包括摩尔浓度为100-1000ppm的有机溶剂，所述有机溶剂包括丙二醇、异丙醇中的至少一种。
3.如权利要求1所述的线路板蚀刻液，其特征在于，所述酸性蚀刻剂包括硫酸铜、盐酸、以及双氧水，其中，所述硫酸铜的摩尔浓度为400～600ppm，所述盐酸的浓度为1000～3000ppm，所述双氧水的浓度为6～10ppm。
4.如权利要求1所述的线路板蚀刻液，其特征在于，所述护岸剂的结构式为：
5.如权利要求1所述的线路板蚀刻液，其特征在于，所述缓蚀剂的结构式为：
6.如权利要求1所述的线路板蚀刻液，其特征在于，所述表面活性剂的结构式为：
7.一种如权利要求1至6中任意一项所述的线路板蚀刻液的使用方法，其特征在于，包括步骤：
8.如权利要求7所述的使用方法，其特征在于，所述保护膜包括内侧吸附层、外侧吸附层、以及设于所述内侧吸附层和所述外侧吸附层之间的中间吸附层，所述内侧吸附层包括护岸
9.如权利要求7所述的使用方法，其特征在于，所述线路板蚀刻液的温度为40～60℃，pH值为3～4。
10.如权利要求7所述的使用方法，其特征在于，步骤“移除所述抗蚀层”之前还包括步骤：清洗所述线路板蚀刻液。
...【技术特征摘要】
1.一种线路板蚀刻液，包括酸性蚀刻剂，其特征在于，还包括以下摩尔浓度的组分：
2.如权利要求1所述的线路板蚀刻液，其特征在于，还包括摩尔浓度为100-1000ppm的有机溶剂，所述有机溶剂包括丙二醇、异丙醇中的至少一种。
3.如权利要求1所述的线路板蚀刻液，其特征在于，所述酸性蚀刻剂包括硫酸铜、盐酸、以及双氧水，其中，所述硫酸铜的摩尔浓度为400～600ppm，所述盐酸的浓度为1000～3000ppm，所述双氧水的浓度为6～10ppm。
4.如权利要求1所述的线路板蚀刻液，其特征在于，所述护岸剂的结构式为：
5.如权利要求1所述的线路板蚀刻液，其特征在于，所述缓蚀剂的结构式为：
【专利技术属性】
技术研发人员：林美琪，
申请(专利权)人：庆鼎精密电子淮安有限公司，
类型：发明
国别省市：
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