碳化硅陶瓷及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种碳化硅陶瓷及其制备方法。碳化硅陶瓷的弯曲强度不低于600MPa，碳化硅陶瓷的断裂韧性不小于10MPa·m<supgt;1/2</supgt;。该碳化硅陶瓷不仅具有高的强度，还具有高的韧性，可应用于航空航天、机械工业、电子器件等诸多领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于碳化硅陶瓷烧结领域，具体涉及一种碳化硅陶瓷及其制备方法。

技术介绍

1、碳化硅陶瓷具有高温力学性能优异、硬度高、抗热冲击性强、热导率高以及抗氧化和耐化学腐蚀等优点，是非常重要的高温结构材料，在航空航天、机械工业、电子器件以及核反应堆领域有广泛的应用前景。然而阻碍碳化硅陶瓷广泛应用的主要障碍是陶瓷的脆性，导致其在使用过程中容易发生突然断裂现象。陶瓷材料的脆性主要是由它的物质结构的特点所决定。在物质结构方面，陶瓷材料都是由强固的离子键和共价键所组成的多晶结构，它缺乏能促使材料变形的滑移系统。因此，现有的碳化硅陶瓷有待改进。

技术实现思路

1、本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种碳化硅陶瓷及其制备方法。所述碳化硅陶瓷的弯曲强度不低于600mpa，所述碳化硅陶瓷的断裂韧性不小于10mpa·m1/2。

2、在本专利技术的一个方面，本专利技术提出了一种碳化硅陶瓷。根据本专利技术的实施例，所述碳化硅陶瓷的弯曲强度不低于600mpa，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅陶瓷，其特征在于，所述碳化硅陶瓷的弯曲强度不低于600MPa，所述碳化硅陶瓷的断裂韧性不小于10MPa·m1/2。

2.根据权利要求1所述的碳化硅陶瓷，其特征在于，所述碳化硅陶瓷的致密度不小于98％。

3.一种制备权利要求1或2所述的碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述碳化硅粉体的粒径为1μm～5μm。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，基于所述原料粉体的总质量，所述烧结助剂的质量占比为1wt％～10wt％；

6.根据权利要求5所述...

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅陶瓷，其特征在于，所述碳化硅陶瓷的弯曲强度不低于600mpa，所述碳化硅陶瓷的断裂韧性不小于10mpa·m1/2。

2.根据权利要求1所述的碳化硅陶瓷，其特征在于，所述碳化硅陶瓷的致密度不小于98％。

3.一种制备权利要求1或2所述的碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述碳化硅粉体的粒径为1μm～5μm。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，基于所述原料粉体的总质量，所述烧结助剂的质量占比为1wt％～10wt％；

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述金属单质烧结助剂包括铝、铁、银和镁中的至少之一；

7.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘荣正，赵健，徐志彤，刘马林，邵友林，刘兵，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：