本发明专利技术公开了一种常压制备厘米级二硫化钼薄膜的方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明专利技术中，设计了一种两阶段生长法，第一阶段使氧化钼融入熔融态的钠钙玻璃；第二阶段在钠离子的催化下，硫粉和氧化钼在熔融态的钠钙玻璃内部反应生成二硫化钼，进而扩散到熔融态玻璃表面，最后在载气带动下，在上方的二氧化硅/硅衬底上沉积形成连续薄膜。本发明专利技术在二氧化硅/硅衬底直接合成的厘米级高质量二硫化钼薄膜，有望促进其在电学器件上的进一步应用。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体材料制备，尤其涉及一种常压制备厘米级二硫化钼薄膜的方法。
技术介绍
1、二维过渡金属硫族化合物(tmdcs)是一类面内以共价键连接、层间以范德华力相互作用的层状材料。二硫化钼(mos2)作为最早被研究的tmdcs之一，因其独特的电学性能被认为是下一代半导体材料的热门候选，因此研究mos2薄膜的制备在基础研究和实际应用上都具有重要的研究意义。
2、研究显示钠(na)离子的存在将有效降低mos2的形成势垒，促进其晶畴的横向生长，从而获得更大晶畴更少缺陷的mos2薄膜。当前在生长中引入na离子辅助mos2生长的方式主要有两种：一是在钼源里加入氯化钠粉末，但制备的mos2薄膜表面往往会残留未反应的过量na2s颗粒，这将影响薄膜性能的均匀性及下一步应用；二是在钠钙玻璃上直接生长mos2薄膜，但之后需要将mos2薄膜转移到二氧化硅/硅(sio2/si)工作衬底上以便进一步应用，转移过程显然将影响薄膜的性能，因此如何在二氧化硅/硅衬底直接生长mos2薄膜的过程中引入na离子的辅助，仍然是一个值得探索的问题。
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【技术保护点】
1.一种通过常压制备厘米级二硫化钼(MoS2)薄膜的方法，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种常压制备厘米级MoS2薄膜的方法，其特征在于：步骤(3)中，此时第一温区只有110℃，意味着硫没有蒸发起来参与反应；第二温区温度为750℃，钠钙玻璃变成熔融状态，由于MoO3放置在钠钙玻璃下面，因此MoO3将融进钠钙玻璃中，不会蒸发到上方的SiO2/Si衬底上。MoO3融入熔融态的钠钙玻璃作为Mo源，有益于步骤(4)中MoS2的反应都在熔融态的钠钙玻璃处发生，以便Na离子起到催化作用。
3.根据权利要求1所述的一种常压制备厘米级MoS2薄膜的方法，其特征在于：步骤...
【技术特征摘要】
1.一种通过常压制备厘米级二硫化钼(mos2)薄膜的方法，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种常压制备厘米级mos2薄膜的方法，其特征在于：步骤(3)中，此时第一温区只有110℃，意味着硫没有蒸发起来参与反应；第二温区温度为750℃，钠钙玻璃变成熔融状态，由于moo3放置在钠钙玻璃下面，因此moo3将融进钠钙玻璃中，不会蒸发到上方的sio2/si衬底上。moo3融入熔融态的钠钙玻璃作为mo源，有益于步骤(4)中mos2的反应都在熔融态的钠钙玻璃处发生，以便na离子起到催化作用。
3.根据权利要求1所述的一种常压制备厘米级mos2薄膜的...
【专利技术属性】
技术研发人员：鄢琳宜，吴潇健，李萍剑，李雪松，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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