【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电源管理使能电路,具体涉及一种兼容高脉冲和低脉冲电源管理使能电路。
技术介绍
1、现在主流唤醒单片机的方式包括用唤醒源唤醒,另一种是做辅助电源管理,做电源关闭导通,辅助电源管理需要外界唤醒源进行特定的电平才能使电源管理电路导通,一般情况下需要根据高脉冲和低脉冲分别搭建电路,增加了生产方面的成本。
技术实现思路
1、有鉴于此,本技术的主要目的在于提供一种兼容高脉冲和低脉冲电源管理使能电路。
2、为达到上述目的,本技术的技术方案是这样实现的:
3、本技术实施例提供一种兼容高脉冲和低脉冲电源管理使能电路,包括电源输入端、电源输出端、电源开关电路、控制开关电路、异或门电路、单片机,所述异或门电路的输入端用于获取唤醒脉冲信号,所述异或门电路的输出端与控制开关电路的输入端连接,所述控制开关电路的输出端与电源开关电路的控制端连接,用于控制电源开关电路通电,所述电源输入端与电源开关电路的电流输入端连接,所述电源输出端的输入端与电源开关电路的电流输出端连接,所述电源输出端的输出端与单片机的电源输入端连接。
4、上述方案中,所述电源开关电路包括p型mos管、第一电容器、第二电阻器、第三电阻器、第五二极管,所述第五二极管的正极与电源输入端连接,所述第五二极管的负极分别与第三电阻器的第一端和p型mos管的源极连接,所述第三电阻器的第二端分别与第二电阻器的第一端和p型mos管的栅极连接,所述p型mos管的漏极分别与第一电容器的第一端和电源输出端连接,所述第一电容
5、上述方案中,所述控制开关电路包括三极管,所述三极管的集电极与第二电阻器的第二端连接,所述三极管的发射极接地。
6、上述方案中,所述异或门电路包括异或门、第四电阻器、第五电阻器、第二电容器、第四二极管、唤醒脉冲信号端,所述第五电阻器的第一端与三极管的基极连接,所述第五电阻器的第二端与第四二极管的负极连接,所述第四二极管的正极与异或门的y端连接,所述异或门的b端分别与第四电阻器的第一端和唤醒脉冲信号端连接,所述第四电阻器的第二端分别与异或门的a端和第二电容器的第一端连接,所述第二电容器的第二端接地。
7、与现有技术相比,本技术的有益效果:
8、本技术设置异或门,异或门的输入端可输入高脉冲或低脉冲信号,通过异或门将高脉冲或低脉冲改变为电源管理使能源,三极管控制p型mos管导通,使得电源给单片机供电,能够同时兼顾高脉冲或低脉冲,单口即可连接,节约了成本。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种兼容高脉冲和低脉冲电源管理使能电路,其特征在于,包括电源输入端、电源输出端、电源开关电路、控制开关电路、异或门电路、单片机,所述异或门电路的输入端用于获取外界脉冲信号,所述异或门电路的输出端与控制开关电路的输入端连接,所述控制开关电路的输出端与电源开关电路的控制端连接,用于控制电源开关电路通电,所述电源输入端与电源开关电路的电流输入端连接,所述电源输出端的输入端与电源开关电路的电流输出端连接,所述电源输出端的输出端与单片机的电源输入端连接。
2.根据权利要求1所述的一种兼容高脉冲和低脉冲电源管理使能电路,其特征在于,所述电源开关电路包括P型MOS管、第一电容器、第二电阻器、第三电阻器、第五二极管,所述第五二极管的正极与电源输入端连接,所述第五二极管的负极分别与第三电阻器的第一端和P型MOS管的源极连接,所述第三电阻器的第二端分别与第二电阻器的第一端和P型MOS管的栅极连接,所述P型MOS管的漏极分别与第一电容器的第一端和电源输出端连接,所述第一电容器的第二端接地。
3.根据权利要求2所述的一种兼容高脉冲和低脉冲电源管理使能电路,其特征在于,所述控制
4.根据权利要求3所述的一种兼容高脉冲和低脉冲电源管理使能电路,其特征在于,所述异或门电路包括异或门、第四电阻器、第五电阻器、第二电容器、第四二极管、唤醒脉冲信号端,所述第五电阻器的第一端与三极管的基极连接,所述第五电阻器的第二端与第四二极管的负极连接,所述第四二极管的正极与异或门的Y端连接,所述异或门的B端分别与第四电阻器的第一端和电源管理使能脉冲信号端连接,所述第四电阻器的第二端分别与异或门的A端和第二电容器的第一端连接,所述第二电容器的第二端接地。
...【技术特征摘要】
1.一种兼容高脉冲和低脉冲电源管理使能电路,其特征在于,包括电源输入端、电源输出端、电源开关电路、控制开关电路、异或门电路、单片机,所述异或门电路的输入端用于获取外界脉冲信号,所述异或门电路的输出端与控制开关电路的输入端连接,所述控制开关电路的输出端与电源开关电路的控制端连接,用于控制电源开关电路通电,所述电源输入端与电源开关电路的电流输入端连接,所述电源输出端的输入端与电源开关电路的电流输出端连接,所述电源输出端的输出端与单片机的电源输入端连接。
2.根据权利要求1所述的一种兼容高脉冲和低脉冲电源管理使能电路,其特征在于,所述电源开关电路包括p型mos管、第一电容器、第二电阻器、第三电阻器、第五二极管,所述第五二极管的正极与电源输入端连接,所述第五二极管的负极分别与第三电阻器的第一端和p型mos管的源极连接,所述第三电阻器的第二端分别与第二电阻器的第一端...
【专利技术属性】
技术研发人员:王宪超,
申请(专利权)人:深圳市星润达成科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。