一种β-SiC粉体的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种β‑SiC粉体的制备方法，包括：首先将碳源溶液、硅源溶液以及氨水进行混合后，经充分搅拌后形成均一的溶胶，其次，对溶胶进行水浴加热处理以形成湿凝胶，再次，将湿凝胶放入表面改性溶液中进行浸泡交换处理，再次，对湿凝胶进行常压加热干燥处理，以获得干凝胶，最后，将干凝胶放置于石墨烧结炉内进行碳热还原反应，以制备出β‑SiC粉体；本发明专利技术首先通过在湿凝胶置换的溶剂中加入表面改性溶液，能够缩短了β‑SiC粉体的制备周期，同时，经过表面改性后的湿凝胶，在常压干燥过程中产生较低的毛细管张力，使湿凝胶即使在常压干燥过程中也不会产生较大收缩，从而使得碳热还原后产生的β‑SiC粉体的粒径分散更加均匀。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及碳化硅材料，尤其涉及一种β-sic粉体的制备方法。

技术介绍

1、碳化硅(sic)是公认的优良陶瓷材料。它具有高温下强度大、熔点高、硬度高、导热系数高、热稳定性高、抗热震性高、耐磨性好等优异的物理性能。碳化硅具有优异的力学性能，作为结构陶瓷材料越来越受到人们的关注。近年来，碳化硅单晶由于具有较宽的带隙和良好的热稳定性，成为有望取代硅半导体的半导体材料。

2、目前碳化硅粉末的制备方法有固相法、液相法和气相法等。不同的工艺有各自的优势，固相法可制备高纯度sic粉末，制备过程简单，但容易引入杂质，合成的sic粉体中n元素含量较高，无法满足半绝缘单晶衬底的使用要求。气相法可制备高纯度sic粉，但通常粒径在纳米级，不易收集，效率低，成本高。液相法一般采用溶胶凝胶法结合热碳还原法，制备的sic粉体已经可以用于单晶的生长，但是制备周期较长，因此未规模化应用。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于，用于解决现有液相法制备的β-sic粉体的制备周期较长的技术问题。

2、为解决上述技术问题本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种β-SiC粉体的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的β-SiC粉体的制备方法，其特征在于，所述S10步骤中，将正硅酸四乙酯以及正硅酸四甲酯中的任意一种溶解于草酸或者盐酸中，并搅拌10min进行预水解，以形成所述硅源溶液。

3.根据权利要求1所述的β-SiC粉体的制备方法，其特征在于，所述S10步骤中，所述碳源溶液与所述硅源溶液中的C/Si摩尔比为2.2~3.0。

4.根据权利要求1所述的β-SiC粉体的制备方法，其特征在于，所述S10步骤中，所述混合溶液的pH值为6.5~7。

5.根据权利要求1所述的β-SiC粉体...

【技术特征摘要】

1.一种β-sic粉体的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的β-sic粉体的制备方法，其特征在于，所述s10步骤中，将正硅酸四乙酯以及正硅酸四甲酯中的任意一种溶解于草酸或者盐酸中，并搅拌10min进行预水解，以形成所述硅源溶液。

3.根据权利要求1所述的β-sic粉体的制备方法，其特征在于，所述s10步骤中，所述碳源溶液与所述硅源溶液中的c/si摩尔比为2.2~3.0。

4.根据权利要求1所述的β-sic粉体的制备方法，其特征在于，所述s10步骤中，所述混合溶液的ph值为6.5~7。

5.根据权利要求1所述的β-sic粉体的制备方法，其特征在于，所述s20步骤具体包括：

6.根据权利要求1所述的β-sic粉体的制备方法，其特征在于，所述s30步骤中，所述表面改性溶液中的表面改性剂的质量分数占所...

【专利技术属性】
技术研发人员：余金，郑兵，李蓝玲，
申请(专利权)人：吉盛微武汉新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：