【技术实现步骤摘要】
本技术涉及显示，具体涉及一种共晶焊接技术的高功率led。
技术介绍
1、采用垂直结构的led，因其衬底可以置换成散热性和导热性良好的材料(例如：si，cuw等)，并且垂直结构无电流拥挤效应，电流可以很好的扩展，所以可以操作在超高电流密度下，实现大功率高亮度led。然而在垂直结构芯片驱动电流密度不断提升的应用环境中，芯片单位面积内功率相应增加，产热进一步增大，对于led的散热性能则提出了更大的挑战。
技术实现思路
1、基于现有技术中存在的上述问题，本技术提供了一种在高电流密度下具有优异散热性能的高功率led。
2、本技术为解决其技术问题而采用的技术方案是：提供一种共晶焊接技术的高功率led，包括发光外延叠层和用于安装所述发光外延叠层的驱动基板，所述发光外延叠层和所述驱动基板之间设置有第一绝缘层和第一导热层，所述第一导热层设置在所述第一绝缘层的下表面，所述发光外延叠层包括第一半导体层、与所述第一半导体层对应的第二半导体层，以及设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源层，所述发光外延叠层上设置有自所述第一半导体下表面延伸并凸出于所述第一导热层的第一电极，所述发光外延叠层上还设置有自所述第二半导体内延伸并凸出于所述第一导热层的第二电极，所述第一电极与所述第二电极的侧壁与所述第一导热层接触，所述驱动基板内还设置有第二导热层。
3、进一步的，所述第一电极和所述第二电极远离所述发光外延叠层的一端设置有焊接金属层。
4、进一步的，所述发光外延叠层上设置
5、进一步的，所述第一电极槽由所述第二半导体的下表面延伸至所述第一半导体的下表面，所述第二电极槽由所述第二半导体的下表面延伸至所述第二半导体内部。
6、进一步的，所述第一绝缘层由所述第二半导体层的下表面沿所述第一电极槽的内壁延伸至所述第一半导体层的下表面。
7、进一步的，所述第一电极设置在所述第一电极槽内部，所述第一绝缘层位于所述第一电极与所述发光外延叠层之间。
8、进一步的，所述驱动基板上设置有与所述第一电极对应的第一凹槽，和与所述第二电极对应的第二凹槽。
9、进一步的，所述驱动基板内设置有与所述第一凹槽对应的第一电路层和与所述第二凹槽对应的第二电路层。
10、进一步的，所述第二导热层与所述第一电路层和所述第二电路层接触。
11、本技术的有益效果是：本技术提供的一种共晶焊接技术的高功率led，包括发光外延叠层和用于安装所述发光外延叠层的驱动基板，所述发光外延叠层和所述驱动基板之间设置有第一绝缘层和第一导热层，所述第一导热层设置在所述第一绝缘层的下表面，所述发光外延叠层包括第一半导体层、与所述第一半导体层对应的第二半导体层，以及设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源层，所述发光外延叠层上设置有自所述第一半导体下表面延伸并凸出于所述第一导热层的第一电极，所述发光外延叠层上还设置有自所述第二半导体内延伸并凸出于所述第一导热层的第二电极，所述第一电极与所述第二电极的侧壁与所述第一导热层接触，所述驱动基板内还设置有第二导热层。高功率led在高密度电流下工作时产生的热量，通过第一电极和第二电极传导至第一导热层，然后由第一导热层传导离发光外延叠层或由第二次导热层传导离发光外延叠层，从而实现高效散热，避免热量集聚。
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1.一种共晶焊接技术的高功率LED，其特征在于：包括发光外延叠层和用于安装所述发光外延叠层的驱动基板，所述发光外延叠层和所述驱动基板之间设置有第一绝缘层和第一导热层，所述第一导热层设置在所述第一绝缘层的下表面，所述发光外延叠层包括第一半导体层、与所述第一半导体层对应的第二半导体层，以及设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源层，所述发光外延叠层上设置有自所述第一半导体下表面延伸并凸出于所述第一导热层的第一电极，所述发光外延叠层上还设置有自所述第二半导体内延伸并凸出于所述第一导热层的第二电极，所述第一电极与所述第二电极的侧壁与所述第一导热层接触，所述驱动基板内还设置有第二导热层。
2.根据权利要求1所述的共晶焊接技术的高功率LED，其特征在于：所述第一电极和所述第二电极远离所述发光外延叠层的一端设置有焊接金属层。
3.根据权利要求2所述的共晶焊接技术的高功率LED，其特征在于：所述发光外延叠层上设置有第一电极槽和第二电极槽。
4.根据权利要求3所述的共晶焊接技术的高功率LED，其特征在于：所述第一电极槽由所述第二半导体的下表面延伸至所述
5.根据权利要求4所述的共晶焊接技术的高功率LED，其特征在于：所述第一绝缘层由所述第二半导体层的下表面沿所述第一电极槽的内壁延伸至所述第一半导体层的下表面。
6.根据权利要求5所述的共晶焊接技术的高功率LED，其特征在于：所述第一电极设置在所述第一电极槽内部，所述第一绝缘层位于所述第一电极与所述发光外延叠层之间。
7.根据权利要求3所述的共晶焊接技术的高功率LED，其特征在于：所述驱动基板上设置有与所述第一电极对应的第一凹槽，和与所述第二电极对应的第二凹槽。
8.根据权利要求7所述的共晶焊接技术的高功率LED，其特征在于：所述驱动基板内设置有与所述第一凹槽对应的第一电路层和与所述第二凹槽对应的第二电路层。
9.根据权利要求8所述的共晶焊接技术的高功率LED，其特征在于：所述第二导热层与所述第一电路层和所述第二电路层接触。
...【技术特征摘要】
1.一种共晶焊接技术的高功率led，其特征在于：包括发光外延叠层和用于安装所述发光外延叠层的驱动基板，所述发光外延叠层和所述驱动基板之间设置有第一绝缘层和第一导热层，所述第一导热层设置在所述第一绝缘层的下表面，所述发光外延叠层包括第一半导体层、与所述第一半导体层对应的第二半导体层，以及设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源层，所述发光外延叠层上设置有自所述第一半导体下表面延伸并凸出于所述第一导热层的第一电极，所述发光外延叠层上还设置有自所述第二半导体内延伸并凸出于所述第一导热层的第二电极，所述第一电极与所述第二电极的侧壁与所述第一导热层接触，所述驱动基板内还设置有第二导热层。
2.根据权利要求1所述的共晶焊接技术的高功率led，其特征在于：所述第一电极和所述第二电极远离所述发光外延叠层的一端设置有焊接金属层。
3.根据权利要求2所述的共晶焊接技术的高功率led，其特征在于：所述发光外延叠层上设置有第一电极槽和第二电极槽。
4.根据权利要求3所述的共晶焊接技术的高功率led，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐楹昌，廖勇军，张诺寒，岳俊跃，张喜光，李文庭，吴宪军，范春凤，
申请(专利权)人：信阳市谷麦光电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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