【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于变压器设备，具体涉及一种抗高频干扰的励磁变压器。
技术介绍
1、通常，变压器的高、低压绕组是电解铜或无氧铜杆等电阻率较低的铜制材料绕制而成，高、低压绕组之间用绝缘纸或电工纸板等绝缘材料来实现高、低压绕组之间的电压绝缘。
2、现有技术中，变压器是铁芯先套装低压绕组，再套装高压绕组。变压器的高、低压绕组既有磁的联系又有电的联系，而且原边、副边的电容量通常为几千皮法。进一步地，低压绕组因工程的需求需要设置多个电压挡位来调整试验回路电压，容易因绕组安匝不平衡引起的横向漏磁而导致静电屏局部发热，甚至烧毁。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种结构紧凑、涡流电流小、电磁干扰小、运行可靠的抗高频干扰的励磁变压器。
2、为解决上述技术问题，本专利技术采用以下技术方案：
3、一种抗高频干扰的励磁变压器，包括：铁芯、高压绕组和低压绕组，所述铁芯外侧依次套设有第一绝缘筒和第一隔离筒，所述高压绕组绕制在第一隔离筒外侧，高压绕组外侧依次套设有第二绝缘筒和第二隔离筒，所述低压绕组绕制在第二隔离筒外侧，低压绕组外侧依次套设有第三绝缘筒和第三隔离筒。
4、作为本专利技术的进一步改进，所述高压绕组和低压绕组的出线处均设有收头部件和起头部件，所述收头部件和起头部件上均包裹非线性材料或半导体材料，以实现高压绕组与低压绕组之间的电容量控制在0.5pf以下。
5、作为本专利技术的进一步改进，所述高压绕组的收头部件
6、作为本专利技术的进一步改进，所述低压绕组的收头部件和起头部件设置在低压绕组的同一端部的不同方向。
7、作为本专利技术的进一步改进，所述第一隔离筒、第二隔离筒和第三隔离筒均采用闭口结构，且闭口结构中通过插入绝缘纸或绝缘膜以进行重叠。
8、作为本专利技术的进一步改进，所述高压绕组采用连续式的绕制方式。
9、作为本专利技术的进一步改进，所述低压绕组采用螺旋换位式绕制方式，且主副线圈正反调。
10、作为本专利技术的进一步改进，所述铁芯为冷轧晶粒取向硅钢片，采用全斜接缝叠接制备得到。
11、作为本专利技术的进一步改进，所述硅钢片浸泽绝缘漆。
12、作为本专利技术的进一步改进，所述第一隔离筒、第二隔离筒和第三隔离筒均采用非线性材料或半导体材料制备得到。
13、作为本专利技术的进一步改造，所述励磁变压器的两端部均设有端部屏蔽件，所述端部屏蔽件由非线性材料或半导体材料制备得到，端部屏蔽件用于支撑所述高压绕组和低压绕组的两端部，并屏蔽铁芯对收头部件和起头部件的电磁。
14、与现有技术相比，本专利技术的优点在于：
15、本专利技术的抗高频干扰的励磁变压器，通过在铁芯外侧依次套设第一绝缘筒和第一隔离筒，将高压绕组绕制在第一隔离筒外侧，并在高压绕组外侧依次套设第二绝缘筒和第二隔离筒，再将低压绕组绕制在第二隔离筒外侧，最后在低压绕组外侧依次套设第三绝缘筒和第三隔离筒，具有结构紧凑、制作简单的特点，本专利技术不但实现了励磁变压器的高、低压绕组只有磁的联系，隔绝电的联系；而且保证在高频率运行时，控制原边、副边的电容量很小，甚至小于0.5pf；同时在不增加其他零部件的情况下，通过自身工艺材料的改变及绕组电磁屏蔽结构的设置来减小涡流电流，达到了降低励磁变压器损耗的目的。
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1.一种抗高频干扰的励磁变压器，其特征在于，包括：铁芯（1）、高压绕组（4）和低压绕组（7），所述铁芯（1）外侧依次套设有第一绝缘筒（2）和第一隔离筒（3），所述高压绕组（4）绕制在第一隔离筒（3）外侧，高压绕组（4）外侧依次套设有第二绝缘筒（5）和第二隔离筒（6），所述低压绕组（7）绕制在第二隔离筒（6）外侧，低压绕组（7）外侧依次套设有第三绝缘筒（8）和第三隔离筒（9）。
2.根据权利要求1所述的抗高频干扰的励磁变压器，其特征在于，所述高压绕组（4）和低压绕组（7）的出线处均设有收头部件（10）和起头部件（11），所述收头部件（10）和起头部件（11）上均包裹非线性材料或半导体材料，以实现高压绕组（4）与低压绕组（7）之间的电容量控制在0.5pF以下。
3.根据权利要求2所述的抗高频干扰的励磁变压器，其特征在于，所述高压绕组（4）的收头部件（10）和起头部件（11）分别设置在高压绕组（4）的两端部的不同方向。
4.根据权利要求2所述的抗高频干扰的励磁变压器，其特征在于，所述低压绕组（7）的收头部件（10）和起头部件（11）设置在低压绕组（7
5.根据权利要求2所述的抗高频干扰的励磁变压器，其特征在于，所述第一隔离筒（3）、第二隔离筒（6）和第三隔离筒（9）均采用闭口结构，且闭口结构中通过插入绝缘纸或绝缘膜以进行重叠。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的抗高频干扰的励磁变压器，其特征在于，所述高压绕组（4）采用连续式的绕制方式。
7.根据权利要求1至5中任意一项所述的抗高频干扰的励磁变压器，其特征在于，所述低压绕组（7）采用螺旋换位式绕制方式，且主副线圈正反调。
8.根据权利要求1至5中任意一项所述的抗高频干扰的励磁变压器，其特征在于，所述铁芯（1）为冷轧晶粒取向硅钢片，采用全斜接缝叠接制备得到。
9.根据权利要求1至5中任意一项所述的抗高频干扰的励磁变压器，其特征在于，所述第一隔离筒（3）、第二隔离筒（6）和第三隔离筒（9）均采用非线性材料或半导体材料制备得到。
10.根据权利要求2至5中任意一项所述的抗高频干扰的励磁变压器，其特征在于，所述励磁变压器的两端部均设有端部屏蔽件（12），所述端部屏蔽件（12）由非线性材料或半导体材料制备得到，端部屏蔽件（12）用于支撑所述高压绕组（4）和低压绕组（7）的两端部，并屏蔽铁芯（1）对收头部件（10）和起头部件（11）的电磁。
...【技术特征摘要】
1.一种抗高频干扰的励磁变压器，其特征在于，包括：铁芯（1）、高压绕组（4）和低压绕组（7），所述铁芯（1）外侧依次套设有第一绝缘筒（2）和第一隔离筒（3），所述高压绕组（4）绕制在第一隔离筒（3）外侧，高压绕组（4）外侧依次套设有第二绝缘筒（5）和第二隔离筒（6），所述低压绕组（7）绕制在第二隔离筒（6）外侧，低压绕组（7）外侧依次套设有第三绝缘筒（8）和第三隔离筒（9）。
2.根据权利要求1所述的抗高频干扰的励磁变压器，其特征在于，所述高压绕组（4）和低压绕组（7）的出线处均设有收头部件（10）和起头部件（11），所述收头部件（10）和起头部件（11）上均包裹非线性材料或半导体材料，以实现高压绕组（4）与低压绕组（7）之间的电容量控制在0.5pf以下。
3.根据权利要求2所述的抗高频干扰的励磁变压器，其特征在于，所述高压绕组（4）的收头部件（10）和起头部件（11）分别设置在高压绕组（4）的两端部的不同方向。
4.根据权利要求2所述的抗高频干扰的励磁变压器，其特征在于，所述低压绕组（7）的收头部件（10）和起头部件（11）设置在低压绕组（7）的同一端部的不同方向。
5.根据权利要求2所述的抗高频干扰的励磁...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘卫东，邓维，康文，黄江岸，刘又超，夏建勋，刘要峰，张寒，李威，周展帆，
申请(专利权)人：国网湖南省电力有限公司，
类型：发明
国别省市：
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