一种核磁共振测井仪发射驱动电路制造技术

本技术提出一种核磁共振测井仪发射驱动电路，本方案的驱动电路为小型化、耐高温、高可靠、模块式的核磁发射电路，采用新一代大功率SiC MOSFET，空间上大大缩小，性能上由于驱动芯片本身具有防止共导的功能，在很大程度上解决了驱动电路设计复杂。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及核磁共振测井仪电路设计，尤其涉及一种核磁共振测井仪发射驱动电路。

技术介绍

1、核磁共振测井仪发射驱动电路要求在高压(直流最大600v)、高频(500～800khz)、高温(175℃)极其恶劣的环境下工作，耐高温、高可靠、小型化是测井仪器电路研制的发展趋势。现有核磁共振测井仪器发射驱动电路采用上世纪九十年代的电路技术，为了满足大功率发射要求，大功率mosfet选型受到诸多限制，匹配的驱动电路设计复杂，导致电路占用空间大、高温可靠性不高，极易因为mos管共导短路导致测井失败。

技术实现思路

1、有鉴于此，本技术所要解决的技术问题是：如何提供一种核磁共振测井仪发射驱动电路以简化电路设计空间并提高电路稳定性。

2、为实现上述目的，本技术提供一种核磁共振测井仪发射驱动电路，其特征在于，其包括：

3、vcci为数字电源，gnd为数字地；

4、两路数字信号ina与inb互为反相信号且分别通过电阻r28和r27作为驱动芯片u7的ina与inb信号，同时作为驱动芯片u8的inb与ina信号从而使得三极管q5与三极管q8均导通的同时三极管q6与三极管q7关断，三极管q6与三极管q7均导通的同时三极管q5与三极管q8关断；

5、dis为驱动芯片的使能端并以低电平正常工作，高电平时禁止outa与outb输出；vdda、vddb分别为芯片隔离的驱动器a、b的电源；

6、vss和vssb分别为芯片隔离的驱动器a和驱动器b的电源；

<p>7、当低端sic mosfet导通且高端sic mosfet关断时，电容c13、c15与c47、c49分别由vdd通过rd1、d1与rd2、d2充电；

8、当低端sic mosfet关断且高端sic mosfet导通时，二极管d1与d2反相截止，电容c13、c15与c47、c49为高端驱动电路提供能量；

9、电阻r38、r40、r54、r56为驱动芯片输出通道到sic mosfet栅极驱动电阻；

10、二极管d2、d3、d4、d5分别与电阻r37、r39、r53、r55反向串联从而限制sic mosfet释放的电流。

11、进一步地，电阻r38、r40、r54、r56为驱动芯片输出通道到sic mosfet栅极驱动电阻用于保护sic mosfet以限制栅极电流变化率。

12、进一步地，v+到vssb之间最高为600v直流电压。

13、与相关技术相比，本技术提出的一种核磁共振测井仪发射驱动电路，其有益效果在于：本方案的驱动电路为小型化、耐高温、高可靠、模块式的核磁发射电路，采用新一代大功率sic mosfet，空间上大大缩小，性能上由于驱动芯片本身具有防止共导的功能，在很大程度上解决了驱动电路设计复杂。

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【技术保护点】

1.一种核磁共振测井仪发射驱动电路，其特征在于，其包括：

2.如权利要求1所述的核磁共振测井仪发射驱动电路，其特征在于，电阻R38、R40、R54、R56为驱动芯片输出通道到SiC MOSFET栅极驱动电阻用于保护SiC MOSFET以限制栅极电流变化率。

3.如权利要求1所述的核磁共振测井仪发射驱动电路，其特征在于，V+到VSSB之间最高为600V直流电压。

【技术特征摘要】

1.一种核磁共振测井仪发射驱动电路，其特征在于，其包括：

2.如权利要求1所述的核磁共振测井仪发射驱动电路，其特征在于，电阻r38、r40、r54、r56为驱动芯片输出通道到sic ...

【专利技术属性】
技术研发人员：左希光，段亚东，严露肖，董晓飞，潘雅敏，
申请(专利权)人：青岛海博瑞微电子研究所有限公司，
类型：新型
国别省市：