【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体器件，特别是涉及一种体二极管的脉冲电流试验条件确定方法、装置和设备。
技术介绍
1、体二极管（例如碳化硅金属氧化物场效应晶体管）反向恢复时间短、恢复损耗小，具有很好的正向工作特性。但是，由于某些体二极管的衬底上存在基平面位错缺陷，当电流持续流过体二极管时，缺陷会继续生长，导致体二极管参数会随时间而发生双极退化，使体二极管在工作时的损耗变大。所以对体二极管进行双击退化可靠性试验是必要的。
2、目前，体二极管双极退化可靠性试验可以采用脉冲电流应力，通过给体二极管施加一段时间的脉冲电流，以测试器件的特性参数。然而，现有的脉冲电流试验标准中并未给出明确的试验条件，在缺乏明确试验条件的情况下，无法根据试验标准开展准确试验。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种体二极管的脉冲电流试验条件确定方法、装置和设备，能够为体二极管的脉冲电流试验提供明确的试验条件，保证试验准确进行。
2、第一方面，本申请提供了一种体二极管的脉冲电流试验条件确定方法，脉冲电流试验条件包括对体二极管进行脉冲电流试验时所施加的试验脉冲电流的参数信息，包括：
3、根据所述体二极管的器件特性参数，确定所述参数信息中的目标电流幅值；
4、基于所述目标电流幅值，确定所述体二极管在不同结温下的电压和所述体二级管在不同脉冲宽度下的电压信息；
5、根据所述体二极管在不同结温下的电压和所述体二级管在不同脉冲宽度下的电压信息，确定所述参数信息中的
6、基于所述目标电流幅值和所述目标脉冲宽度，确定所述体二极管在不同占空比下的电压变化信息；
7、根据所述体二极管在不同结温下的电压和所述体二极管在不同占空比下的电压变化信息，确定所述参数信息中的目标占空比。
8、在其中一个实施例中，基于所述目标电流幅值，确定所述体二极管在不同结温下的电压和所述体二级管在不同脉冲宽度下的电压信息，包括：
9、在所述体二极管处于不同结温下，依次向所述体二极管施加第一单脉冲电流，得到所述体二极管在不同结温下的电压；其中，所述第一单脉冲电流的电流幅值为所述目标电流幅值且脉冲宽度为固定脉冲宽度；
10、在所述体二极管处于固定壳温下，依次向所述体二极管施加不同脉冲宽度的第二单脉冲电流，得到所述体二级管在不同脉冲宽度下的电压信息；其中，所述第二单脉冲电流的电流幅值为所述目标电流幅值。
11、在其中一个实施例中，根据所述体二极管在不同结温下的电压和所述体二级管在不同脉冲宽度下的电压信息，确定所述参数信息中的目标脉冲宽度，包括：
12、根据所述体二极管在不同结温下的电压和所述体二级管在不同脉冲宽度下的电压信息，得到脉冲宽度和结温温升之间的对应关系；
13、根据脉冲宽度和结温温升之间的对应关系，确定所述参数信息中的目标脉冲宽度。
14、在其中一个实施例中，根据脉冲宽度和结温温升之间的对应关系，确定所述参数信息中的目标脉冲宽度，包括：
15、基于脉冲宽度和结温温升之间的对应关系，根据固定壳温，确定脉冲宽度和最大结温之间的对应关系；其中，所述最大结温根据结温温升和固定壳温确定；
16、根据脉冲宽度和最大结温之间的对应关系，确定所述参数信息中的目标脉冲宽度。
17、在其中一个实施例中，基于所述目标电流幅值和所述目标脉冲宽度，确定所述体二极管在不同占空比下的电压变化信息，包括：
18、在所述体二极管处于固定壳温下，依次向所述体二极管施加不同占空比的周期脉冲电流，得到所述体二极管在不同占空比下的电压变化信息；其中，所述周期脉冲电流的电流幅值为所述目标电流幅值且脉冲宽度为所述目标脉冲宽度。
19、在其中一个实施例中，根据所述体二极管在不同结温下的电压和所述体二极管在不同占空比下的电压变化信息，确定所述参数信息中的目标占空比，包括：
20、根据所述体二极管在不同占空比下的电压变化信息和所述体二极管在不同结温下的电压，得到不同占空比下的结温变化规律；
21、根据不同占空比下的结温变化规律，确定所述参数信息中的目标占空比。
22、在其中一个实施例中，根据不同占空比下的结温变化规律，确定所述参数信息中的目标占空比，包括：
23、从不同占空比下的结温变化规律中，选取结温波动最小的结温变化规律；
24、将所选取的结温变化规律对应的占空比，作为所述参数信息中的目标占空比。
25、第二方面，本申请还提供了一种体二极管的脉冲电流试验条件确定装置，脉冲电流试验条件包括对体二极管进行脉冲电流试验时所施加的试验脉冲电流的参数信息，包括：
26、幅值确定模块，用于根据所述体二极管的器件特性参数，确定所述参数信息中的目标电流幅值；
27、关系确定模块，用于基于所述目标电流幅值，确定所述体二极管在不同结温下的电压和所述体二级管在不同脉冲宽度下的电压信息；
28、宽度确定模块，用于根据所述体二极管在不同结温下的电压和所述体二级管在不同脉冲宽度下的电压信息，确定所述参数信息中的目标脉冲宽度；
29、信息确定模块，用于基于所述目标电流幅值和所述目标脉冲宽度，确定所述体二极管在不同占空比下的电压变化信息；
30、占空比确定模块，用于根据所述体二极管在不同结温下的电压和所述体二极管在不同占空比下的电压变化信息，确定所述参数信息中的目标占空比。
31、第三方面，本申请还提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现以下步骤：
32、根据所述体二极管的器件特性参数，确定所述参数信息中的目标电流幅值；
33、基于所述目标电流幅值，确定所述体二极管在不同结温下的电压和所述体二级管在不同脉冲宽度下的电压信息；
34、根据所述体二极管在不同结温下的电压和所述体二级管在不同脉冲宽度下的电压信息，确定所述参数信息中的目标脉冲宽度；
35、基于所述目标电流幅值和所述目标脉冲宽度，确定所述体二极管在不同占空比下的电压变化信息；
36、根据所述体二极管在不同结温下的电压和所述体二极管在不同占空比下的电压变化信息，确定所述参数信息中的目标占空比。
37、第四方面，本申请还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
38、根据所述体二极管的器件特性参数，确定所述参数信息中的目标电流幅值；
39、基于所述目标电流幅值，确定所述体二极管在不同结温下的电压和所述体二级管在不同脉冲宽度下的电压信息；
40、根据所述体二极管在不同结温下的电压和所述体二级管在不同脉冲宽度下的电压信息，确定所述参数信息中的目标脉冲宽度；
41、基于所述目标电流幅值和所述目标脉冲本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种体二极管的脉冲电流试验条件确定方法，其特征在于，所述脉冲电流试验条件包括对体二极管进行脉冲电流试验时所施加的试验脉冲电流的参数信息，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述目标电流幅值，确定所述体二极管在不同结温下的电压和所述体二级管在不同脉冲宽度下的电压信息，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述体二极管在不同结温下的电压和所述体二级管在不同脉冲宽度下的电压信息，确定所述参数信息中的目标脉冲宽度，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据脉冲宽度和结温温升之间的对应关系，确定所述参数信息中的目标脉冲宽度，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述目标电流幅值和所述目标脉冲宽度，确定所述体二极管在不同占空比下的电压变化信息，包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述体二极管在不同结温下的电压和所述体二极管在不同占空比下的电压变化信息，确定所述参数信息中的目标占空比，包括：
7.根据权利要求6所
8.根据权利要求1-7任一项所述的方法，其特征在于，所述体二极管为SiC MOSFET体二极管。
9.一种体二极管的脉冲电流试验条件确定装置，其特征在于，脉冲电流试验条件包括对体二极管进行脉冲电流试验时所施加的试验脉冲电流的参数信息，所述装置包括：
10.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至8中任一项所述的方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种体二极管的脉冲电流试验条件确定方法，其特征在于，所述脉冲电流试验条件包括对体二极管进行脉冲电流试验时所施加的试验脉冲电流的参数信息，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述目标电流幅值，确定所述体二极管在不同结温下的电压和所述体二级管在不同脉冲宽度下的电压信息，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述体二极管在不同结温下的电压和所述体二级管在不同脉冲宽度下的电压信息，确定所述参数信息中的目标脉冲宽度，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据脉冲宽度和结温温升之间的对应关系，确定所述参数信息中的目标脉冲宽度，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述目标电流幅值和所述目标脉冲宽度，确定所述体二极管在不同占空比下的电压...
【专利技术属性】
技术研发人员：侯波，陈义强，陈媛，王力纬，
申请(专利权)人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所工业和信息化部电子第五研究所中国赛宝实验室，
类型：发明
国别省市：
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