一种基于热导率的热测试芯片及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种基于热导率的热测试芯片及其制备方法，包括预处理衬底，预处理衬底包括衬底，衬底内间隔布设有多个P型区域，位于中心区域的P型区域内设有N型区域，各P型区域内设有两间隔设置的P+欧姆接触，N型区域内设有两个间隔设置的N+欧姆接触；预处理衬底上间隔设有第一金属层和二氧化硅，二氧化硅上设有第二金属层，第二金属层上设有氮化硅层和第三金属层,预处理衬底背面设有多个下注入槽，多个下注入槽底部与对应的第二金属层连通，下注入槽设有多晶硅，各下注入槽的槽口覆盖有第四金属层；通过基于热导率的热测试芯片的结构设计以可以模拟真实环境，对热界面材料(TIM)进行热导率测试。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及封装测试，尤其是涉及一种基于热导率的热测试芯片及其制备方法。

技术介绍

1、在电子设备的散热管理中，热界面材料(tim)起着至关重要的作用。它在组件间传递热量，确保设备能在最佳工作温度下运行。为了确保设备性能的最佳化，准确地测量tim材料的热导率变得尤为关键。

2、然而，许多传统的热导率测试方法基于理想或标准化的条件进行，这导致测试结果可能无法真实反应tim材料在时间使用中的性能。这些方法的主要挑战在于如何模拟真实的工作环境与条件，并确保测试结果的一致性与可重复性。很多时候，这些方法没有充分考虑到在实际应用中，tim材料可能会受到热阻、热扩散和其他复杂热动力学过程的影响。

3、随着电子器件性能的持续提升和体积的进一步缩小，高效的热管理已经成为至关重要的议题。在这背景下，热界面材料(tim)扮演了核心角色。热导率是tim材料的关键性能指标，它决定了热传递的效率，为了保证tim材料能够满足预期标准，对其热导率的精准测量变得尤为重要。

4、但是，许多传统的测试方法在标准化或理想条件下进行，这往往会忽略真实应用环境本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于热导率的热测试芯片的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的基于热导率的热测试芯片的制备方法，其特征在于：第一金属层的厚度为600-1500nm；第二金属层的厚度为600-1500nm；第三金属层的厚度为200-2000nm；第四金属层的厚度为200-2000nm；氮化硅层的厚度为1000-3000nm。

3.根据权利要求1所述的基于热导率的热测试芯片的制备方法，其特征在于：二氧化硅的厚度为500nm-600nm。

4.根据权利要求1所述的基于热导率的热测试芯片的制备方法，其特征在于：氮化硅层的厚度为1000-3000...

【技术特征摘要】

1.一种基于热导率的热测试芯片的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的基于热导率的热测试芯片的制备方法，其特征在于：第一金属层的厚度为600-1500nm；第二金属层的厚度为600-1500nm；第三金属层的厚度为200-2000nm；第四金属层的厚度为200-2000nm；氮化硅层的厚度为1000-3000nm。

3.根据权利要求1所述的基于热导率的热测试芯片的制备方法，其特征在于：二氧化硅的厚度为500nm-600nm。

4.根据权利要求1所述的基于热导率的热测试芯片的制备方法，其特征在于：氮化硅层的厚度为1000-3000nm-2400nm。

5.根据权利要求1所述的基于热导率的热测试芯片的制备方法，其特征在于：第一金属层和第二金属层的材质均为铝；第三金属层的材质为钛、镍或银...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶怀宇，王少刚，薛云，苏瑞盈，
申请(专利权)人：纳宇半导体材料深圳有限责任公司，
类型：发明
国别省市：