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本发明涉及一种基于热导率的热测试芯片及其制备方法，包括预处理衬底，预处理衬底包括衬底，衬底内间隔布设有多个P型区域，位于中心区域的P型区域内设有N型区域，各P型区域内设有两间隔设置的P+欧姆接触，N型区域内设有两个间隔设置的N+欧姆接触；预...
该专利属于纳宇半导体材料（深圳）有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过纳宇半导体材料（深圳）有限责任公司授权不得商用。

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