【技术实现步骤摘要】
本技术涉及芯片，尤其涉及一种led芯片封装结构。
技术介绍
1、现有的led(light-emitting diode，发光二极管)芯片，被用作传感器使用的光源，由于其封装方式导致出光面的光学扩展量远大于芯片发光面的光学扩展量，在与光纤进行耦合时，由于封装导致的光学扩展量与光纤的光学扩展量不匹配，严重约束了耦合效率，为提高光源与光纤的耦合效率，需要对基于该led芯片进行封装上的改进。
技术实现思路
1、本技术提供一种led芯片封装结构，其主要目的在于改进led封装结构，提高光源与光纤的耦合效率。
2、本技术实施例提供一种led芯片封装结构，包括：
3、基板，led芯片贴装与所述基板上；
4、封装透镜，所述封装透镜设置于所述基板的一侧，所述封装透镜包括圆柱体和凸球面，所述圆柱体和所述凸球面均为实心结构，所述圆柱体的底部与所述led芯片的出光面平行设置，所述圆柱体的底部与所述led芯片的出光面距离预设距离，所述凸球面设置于所述圆柱体顶部。
5、进一步地，所述封装透镜为pmma材料。
6、进一步地，所述预设距离位于0.06mm和0.09mm之间。
7、进一步地，所述圆柱体的直径为0.378mm。
8、进一步地，所述凸球面的半径位于0.267mm和0.280mm之间。
9、进一步地，所述封装透镜的厚度位于0.633mm和0.733mm之间。
10、进一步地，所述封装透镜的圆锥系数位于
11、进一步地，所述led芯片和所述封装透镜同轴封装。
12、本技术提出的一种led芯片封装结构，提供一款封装透镜，透镜平面面向led芯片的出光面，且透镜轴与led芯片的出光面中心轴进行同轴封装。在光纤与本技术实施例提供的一种led芯片封装结构进行耦合连接时，则耦合效率可以达到90％以上，大大提高了耦合效率。
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1.一种LED芯片封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述封装透镜为PMMA材料。
3.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述预设距离位于0.06mm和0.09mm之间。
4.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述圆柱体的直径为0.378mm。
5.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述凸球面的半径位于0.267mm和0.280mm之间。
6.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述封装透镜的厚度位于0.633mm和0.733mm之间。
7.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述封装透镜的圆锥系数位于-0.49和-0.498之间。
8.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述LED芯片和所述封装透镜同轴封装。
【技术特征摘要】
1.一种led芯片封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的led芯片封装结构，其特征在于，所述封装透镜为pmma材料。
3.根据权利要求1所述的led芯片封装结构，其特征在于，所述预设距离位于0.06mm和0.09mm之间。
4.根据权利要求1所述的led芯片封装结构，其特征在于，所述圆柱体的直径为0.378mm。
5.根据权利要求1所述的led芯片封装结构，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘征平，赵爱伦，叶立平，唐可信，
申请(专利权)人：深圳市志奋领科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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