一种微米花状1T/2H相二硫化钼吸波材料的制备方法技术

一种微米花状1T/2H相二硫化钼吸波材料的制备方法，本发明专利技术涉及电磁波吸收材料的制备技术领域。本发明专利技术要解决过渡金属硫化物吸波材料的介电调控机制不清晰，电磁波吸收频带窄，吸收强度弱的技术问题。方法：水热法合成高纯度的1T‑MoS<subgt;2</subgt;；通过控制热处理温度和时间，使MoS<subgt;2</subgt;的相组成逐渐由1T相转变向2H相。本发明专利技术利用MoS<subgt;2</subgt;的两种物相之间的巨大的介电性质差异和稳定性差异来实现增强吸波性能。与现有技术相比，该材料制备工艺简单，原料成本较低，能够实现规模化生产。与其他纯TMDs吸波材料相比，本发明专利技术的复合吸波材料具有轻质、强吸收、宽频带和匹配厚度薄的特点。本发明专利技术方法制备的微米花状1T/2H相二硫化钼吸波材料应用于电磁波吸收材料领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电磁波吸收与电磁污染防治的复合材料制备领域。

技术介绍

1、吸波材料的研究与发展是推动雷达隐身技术的关键。吸波收材能够有效吸收入射的电磁波并将电磁能转化成热能耗散掉。在日益重要的雷达隐身和电磁兼容技术中，吸波材料的作用和地位十分突出，研究和开发高性能的吸波材料成为各国军事领域中的一个重大课题。除军用领域外，吸波材料在5g网络、卫星通讯、人工智能、可穿戴电子产品、自动驾驶汽车与飞机、医疗防护、电磁污染治理等领域，都扮演者不可或缺的重要角色。无线技术的发展提高了我们的生活质量，同时也不可避免地造成了严重的电磁污染，一方面对人类的身体健康，尤其是心脑血管健康造成负面影响；另一方面对电子设备造成电磁干扰，导致信号丢失或中断。限制先进电子产品的性能，造成严重的经济损失。例如无线充电技术、自动驾驶技术等，都严重受制于电磁干扰的影响，难以进入快速发展阶段。而这些问题的解决，都依赖于吸波材料的快速发展和关键性突破。

技术实现思路

1、本专利技术要解决过渡金属硫化物吸波材料的介电调控机制不清晰，电磁波吸收频带窄，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种微米花状1T/2H相二硫化钼吸波材料的制备方法，其特征在于该方法是按下述步骤进行的：

2.根据权利要求1所述的一种微米花状1T/2H相二硫化钼吸波材料的制备方法，其特征在于步骤一所述反应液中Mo元素和S元素的摩尔比为1：5，其中Mo元素的浓度为0.1～0.3mol/L。

3.根据权利要求1所述的一种微米花状1T/2H相二硫化钼吸波材料的制备方法，其特征在于步骤一控制搅拌时间为30～40min，搅拌速度为300～500rpm。

4.根据权利要求1所述的一种微米花状1T/2H相二硫化钼吸波材料的制备方法，其特征在于步骤二所述所述水热反应控制加热温度...

【技术特征摘要】

1.一种微米花状1t/2h相二硫化钼吸波材料的制备方法，其特征在于该方法是按下述步骤进行的：

2.根据权利要求1所述的一种微米花状1t/2h相二硫化钼吸波材料的制备方法，其特征在于步骤一所述反应液中mo元素和s元素的摩尔比为1：5，其中mo元素的浓度为0.1～0.3mol/l。

3.根据权利要求1所述的一种微米花状1t/2h相二硫化钼吸波材料的制备方法，其特征在于步骤一控制搅拌时间为30～40min，搅拌速度为300～500rpm。

4.根据权利要求1所述的一种微米花状1t/2h相二硫化钼吸波材料的制备方法，其特征在于步骤二所述所述水热反应控制加热温度为160～200℃，保温时间为12～24h。

5.根据权利要求1所述的一种微米花状1t/2h相二硫化钼吸波材料的制备方法，其特征在于步骤二所述的洗涤过程采用去离子水洗涤2～3次，然后...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄小萧，闫岳峰，张凯丽，秦光宇，周玉，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：