【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电力用半导体装置以及电力用半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、在专利文献1中公开了一种带散热片的半导体装置。在专利文献1的结构中，散热片通过以覆盖于导热脂的周围的方式使用的高分子类粘结剂而粘结至内部装有半导体的封装件之上。
2、专利文献1：日本实开平02-000737号公报
技术实现思路
1、在散热片与导热脂之间隔着高分子类粘结剂的情况下，由于粘结剂的导热率低，因此从半导体元件进行散热的散热性恶化。
2、本专利技术是为了解决如上所述的问题而提出的，其目的在于提供一种从半导体元件进行散热的散热性高的电力用半导体装置。
3、本专利技术的电力用半导体装置具有半导体装置；散热片；油脂；粘结剂；以及端子座，半导体装置具有半导体元件、对半导体元件进行封装的封装材料以及与半导体元件电连接的电力端子，半导体装置的下表面的选择性的区域即第1区域与散热片通过粘结剂而粘结，半导体装置在半导体装置的下表面中的除选择性的区域之外的区域即第2区域处经由油脂而与散热片相接，端子座在上表面具有电极，半导体装置的电力端子与端子座相固定并且与端子座的电极电连接。
4、专利技术的效果
5、根据本专利技术，提供了一种从半导体元件进行散热的散热性高的电力用半导体装置。
6、另外，与在本申请说明书中公开的技术相关联的目的、特征、方案以及优点通过以下示出的详细说明和附图而变得更加明确。
【技术保护点】
1.一种电力用半导体装置，其具有：
2.根据权利要求1所述的电力用半导体装置，其中，
3.根据权利要求1或2所述的电力用半导体装置，其中，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电力用半导体装置，其中，
5.根据权利要求1至4中任一项所述的电力用半导体装置，其中，
6.根据权利要求1至5中任一项所述的电力用半导体装置，其中，
7.根据权利要求1至6中任一项所述的电力用半导体装置，其中，
8.根据权利要求1至7中任一项所述的电力用半导体装置，其中，
9.根据权利要求8所述的电力用半导体装置，其中，
10.根据权利要求1至9中任一项所述的电力用半导体装置，其中，
11.根据权利要求1至10中任一项所述的电力用半导体装置，其中，
12.根据权利要求1至11中任一项所述的电力用半导体装置，其中，
13.一种电力用半导体装置的制造方法，其制造权利要求1至12中任一项所述的电力用半导体装置，其中，
14.一种电力用半导体装置的制造方法，其制
15.根据权利要求14所述的电力用半导体装置的制造方法，其中，
16.根据权利要求14或15所述的电力用半导体装置的制造方法，其中，
17.一种电力用半导体装置的制造方法，其制造权利要求1至12中任一项所述的电力用半导体装置，其中，
18.根据权利要求16或17所述的电力用半导体装置的制造方法，其中，
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种电力用半导体装置，其具有：
2.根据权利要求1所述的电力用半导体装置，其中，
3.根据权利要求1或2所述的电力用半导体装置，其中，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电力用半导体装置，其中，
5.根据权利要求1至4中任一项所述的电力用半导体装置，其中，
6.根据权利要求1至5中任一项所述的电力用半导体装置，其中，
7.根据权利要求1至6中任一项所述的电力用半导体装置，其中，
8.根据权利要求1至7中任一项所述的电力用半导体装置，其中，
9.根据权利要求8所述的电力用半导体装置，其中，
10.根据权利要求1至9中任一项所述的电力用半导体装置，其中，
11.根据权利要求...
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