System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind()
【技术实现步骤摘要】
本专利技术关于一种声学装置与一种托座,尤指一种用以平坦化频率响应的声学装置与托座。
技术介绍
1、由于包括微机电系统(micro electro mechanical system,mems)声学元件(如,mems发声元件或mems麦克风)的声学装置因为其尺寸小而可用于各种电子装置,因此,声学装置近年来发展迅速。一般而言,声学装置的性能相关于声学装置的频率响应。因此,为了使声学装置具有高性能,需要对声学装置进行设计以使其具有适合的频率响应。
技术实现思路
1、因此,本专利技术的主要目的是提供一种用以平坦化频率响应的声学装置与托座。
2、本专利技术的一实施例提供了一种声学装置,其包括第一发声元件与背腔结构。第一发声元件具有第一正面与第一背面,其中第一发声元件为高频发声单元,第一正面面对声学装置的声音传播开口。背腔结构连接第一发声元件的第一背面。第一发声元件从第一正面向声音传播开口产生第一声波,第一发声元件从第一背面向背腔结构的背腔产生第二声波。背腔结构用以使第一发声元件的频率响应的峰或谷变平。
3、本专利技术的另一实施例提供了一种托座,其设置在声学装置内或将要设置在声学装置内。托座包括背腔结构,形成在托座内。当托座设置在声学装置内时,第一发声元件设置在托座上,背腔结构连接第一发声元件的第一背面,第一发声元件从第一正面向声学装置的声音传播开口产生第一声波,第一发声元件从第一背面向背腔结构的背腔产生第二声波。第一发声元件为高频发声单元。背腔内的声学路径的长度为一频
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种用以平坦化频率响应的声学装置,其特征在于,所述声学装置包括:
2.如权利要求1所述的用以平坦化频率响应的声学装置,其特征在于,所述声学装置包括一第二发声元件,所述第二发声元件为一低频发声单元。
3.如权利要求1所述的用以平坦化频率响应的声学装置,其特征在于,所述声学装置包括一第二发声元件,所述背腔结构在所述第二发声元件与所述第一发声元件之间。
4.如权利要求1所述的用以平坦化频率响应的声学装置,其特征在于,所述声学装置包括一托座,具有所述背腔结构,所述第一发声元件设置在所述托座的一第一容置侧。
5.如权利要求4所述的用以平坦化频率响应的声学装置,其特征在于,所述声学装置包括一第二发声元件,设置在所述托座的一第二容置侧,所述第二容置侧相反于所述第一容置侧。
6.如权利要求5所述的用以平坦化频率响应的声学装置,其特征在于,
7.如权利要求1所述的用以平坦化频率响应的声学装置,其特征在于,所述第一声波与所述第二声波之间的相位差为180度。
8.如权利要求1所述的用以平坦化频率响应的声学装置,其特
9.如权利要求8所述的用以平坦化频率响应的声学装置,其特征在于,所述背腔结构产生共振以使所述第一发声元件的所述频率响应的所述峰或所述谷变平。
10.如权利要求1所述的用以平坦化频率响应的声学装置,其特征在于,一第一波长对应所述第一发声元件的所述频率响应的所述峰或所述谷,所述背腔结构包括一第一子部,所述第一子部的尺寸对应所述第一波长的一半或所述第一波长的四分之一。
11.如权利要求1所述的用以平坦化频率响应的声学装置,其特征在于,所述背腔结构包括一第一子部与一第二子部,所述第一子部的尺寸不同于所述第二子部的尺寸。
12.如权利要求1所述的用以平坦化频率响应的声学装置,其特征在于,所述背腔结构包括一空气通道。
13.如权利要求12所述的用以平坦化频率响应的声学装置,其特征在于,所述空气通道的一端连接所述第一发声元件的所述第一背面,所述空气通道的另一端面对所述声学装置的所述声音传播开口。
14.如权利要求12所述的用以平坦化频率响应的声学装置,其特征在于,所述背腔结构的所述空气通道对应一第一波长;
15.如权利要求12所述的用以平坦化频率响应的声学装置,其特征在于,该声学装置包括一第二发声元件,用以向所述声音传播开口产生一第三声波,所述第三声波通过所述背腔结构的所述空气通道的至少一部分。
16.如权利要求1所述的用以平坦化频率响应的声学装置,其特征在于,所述第一发声元件为一微型扬声器。
17.如权利要求1所述的用以平坦化频率响应的声学装置,其特征在于,所述第一发声元件为一MEMS微型扬声器。
18.如权利要求1所述的用以平坦化频率响应的声学装置,其特征在于,所述第一发声元件的一振膜共振频率大于13kHz。
19.如权利要求1所述的用以平坦化频率响应的声学装置,其特征在于,
20.如权利要求1所述的用以平坦化频率响应的声学装置,其特征在于,所述第一发声元件的纵横比或所述第一发声元件的一振膜的纵横比大于2。
21.如权利要求1所述的用以平坦化频率响应的声学装置,其特征在于,所述声学装置为一耳机。
22.一种托座,其特征在于,所述托座设置在一声学装置内或将要设置在所述声学装置内,所述托座包括:
23.如权利要求22所述的托座,其特征在于,所述背腔结构包括一密封背部容积。
24.如权利要求22所述的托座,其特征在于,
25.如权利要求22所述的托座,其特征在于,所述背腔结构的形状为螺旋状。
26.如权利要求22所述的托座,其特征在于,所述背腔结构包括一空气通道。
27.如权利要求26所述的托座,其特征在于,所述空气通道的一端连接所述第一发声元件的所述第一背面,所述空气通道的另一端面对所述声学装置的所述声音传播开口。
28.如权利要求26所述的托座,其特征在于,所述空气通道为U型。
29.如权利要求22所述的托座,其特征在于,
30.如权利要求22所述的托座,其特征在于,所述声学装置为一耳机。
...【技术特征摘要】
1.一种用以平坦化频率响应的声学装置,其特征在于,所述声学装置包括:
2.如权利要求1所述的用以平坦化频率响应的声学装置,其特征在于,所述声学装置包括一第二发声元件,所述第二发声元件为一低频发声单元。
3.如权利要求1所述的用以平坦化频率响应的声学装置,其特征在于,所述声学装置包括一第二发声元件,所述背腔结构在所述第二发声元件与所述第一发声元件之间。
4.如权利要求1所述的用以平坦化频率响应的声学装置,其特征在于,所述声学装置包括一托座,具有所述背腔结构,所述第一发声元件设置在所述托座的一第一容置侧。
5.如权利要求4所述的用以平坦化频率响应的声学装置,其特征在于,所述声学装置包括一第二发声元件,设置在所述托座的一第二容置侧,所述第二容置侧相反于所述第一容置侧。
6.如权利要求5所述的用以平坦化频率响应的声学装置,其特征在于,
7.如权利要求1所述的用以平坦化频率响应的声学装置,其特征在于,所述第一声波与所述第二声波之间的相位差为180度。
8.如权利要求1所述的用以平坦化频率响应的声学装置,其特征在于,所述背腔结构具有一连接口,所述连接口连接所述第一发声元件,所述背腔仅透过所述连接口连接所述背腔结构的外部。
9.如权利要求8所述的用以平坦化频率响应的声学装置,其特征在于,所述背腔结构产生共振以使所述第一发声元件的所述频率响应的所述峰或所述谷变平。
10.如权利要求1所述的用以平坦化频率响应的声学装置,其特征在于,一第一波长对应所述第一发声元件的所述频率响应的所述峰或所述谷,所述背腔结构包括一第一子部,所述第一子部的尺寸对应所述第一波长的一半或所述第一波长的四分之一。
11.如权利要求1所述的用以平坦化频率响应的声学装置,其特征在于,所述背腔结构包括一第一子部与一第二子部,所述第一子部的尺寸不同于所述第二子部的尺寸。
12.如权利要求1所述的用以平坦化频率响应的声学装置,其特征在于,所述背腔结构包括一空气通道。
13.如权利要求12所述的用以平坦化频率响应的声学装置,其特征在于,所述空气通道的一端连接所述第一发声元件的所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈昭瑜,罗烱成,梁振宇,陈文健,任颉,
申请(专利权)人:知微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。