一种微带-同轴-波导转换结构及W频段射频前端组件制造技术

技术编号:41190023 阅读:2 留言:0更新日期:2024-05-07 22:20
本技术公开了一种微带‑同轴‑波导转换结构及W频段射频前端组件,包括拐波导、阶梯转换结构和气密型同轴连接器,其中,所述拐波导包括相垂直的水平端和竖直端;所述阶梯转换结构为腔体结构,位于水平端的端部内,且位于拐波导长边的中心位置,包括高度由第一级逐级递减的三级阶梯;所述气密型同轴连接器的内导体一端与微带线相连接。该微带‑同轴‑波导转换结构及W频段射频前端组件,通过采用气密型同轴连接器连接微带线与阶梯转换结构,射频信号通过气密型同轴连接器由平面传输转换为同轴传输,通过阶梯转换结构由同轴输出转换为波导传输,从而在保证密封性的前提下,实现信号的转换,以满足现有微波频射系统中的性能指标要求。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种微带-同轴-波导转换结构及w频段射频前端组件,属于高频段射频微波。


技术介绍

1、同轴-波导转换器是微波系统中非常重要的元器件。通过该结构,能够解决微波信号从同轴传输转换成波导传输的问题;

2、微带-波导转换电路需满足以下几种基本要求:1、低的插入损耗和高的回波损耗;2、宽频带特性;3、制造工艺简单,误差容忍度高,可靠性高;4、方便装卸。根据以上的基本要求,目前已经提出了多种微带-波导转换方式。主要有微带-脊波导-波导过渡结构、微带-对极鳍线-波导过渡结构、微带-探针-波导过渡结构、微带-同轴线-波导过渡结构。

3、在高频段,尤其是毫米波频段以上的微波射频系统中,现有的封装技术主要还是采用裸芯片和wire-bond技术实现。由于裸芯片需要进行密封保护,波导又属于非密封结构,现有的微带波导结构也并未设置能够保证气密性的密封结构,因此,目前并没有比较合适的满足w频段射频前端组件内裸芯片气密要求的方案。

4、可见,为了解决上述技术问题,以满足微波射频系统中对w频段射频前端组件的性能指标要求,亟需一种微带-同轴-波导转换结构及w频段射频前端组件。


技术实现思路

1、本技术的目的在于克服现有技术中的不足,提供一种微带-同轴-波导转换结构及w频段射频前端组件,通过采用气密型同轴连接器连接微带线与阶梯转换结构,以实现与拐波导间的连接,射频信号通过气密型同轴连接器由平面传输转换为同轴传输,通过阶梯转换结构由同轴输出转换为波导传输,从而在保证密封性的前提下,实现信号的转换,以满足现有微波频射系统中的性能指标要求。

2、为达到上述目的/为解决上述技术问题,本技术是采用下述技术方案实现的:

3、第一方面,本技术提供一种微带-同轴-波导转换结构,包括拐波导、阶梯转换结构和气密型同轴连接器,其中,

4、所述拐波导包括相垂直的水平端和竖直端;

5、所述阶梯转换结构为腔体结构,位于水平端的端部内,且位于拐波导长边的中心位置,包括高度由第一级逐级递减的三级阶梯;

6、所述气密型同轴连接器的内导体一端与微带线相连接,另一端与阶梯转换结构的第一级阶梯相连接,通过阶梯转换结构将射频信号由同轴输出转换为波导传输。

7、进一步的,所述气密型同轴连接器为玻璃绝缘子,玻璃体加外层金属直径为1.73mm,长度为1.4mm,内导体的直径为0.23mm,内导体一端长度为0.76mm,另一端长度为1mm,短的一端与微带线相连,长的一端与阶梯转换结构相连。

8、进一步的,所述阶梯转换结构的三级阶梯宽度相同,均为1mm,第一级阶梯高度为0.8mm,长度为1.3mm,第二级阶梯高度为0.25mm,长度为0.1mm,第三级阶梯高度为0.2mm,长度为1mm。

9、进一步的,所述第一级阶梯在高度0.45mm的位置开设有一圆柱形空腔,空腔的直径为0.25mm,长度为1mm,气密型同轴连接器内导体长的一端伸入圆柱形空腔内。

10、进一步的,所述阶梯转换结构距离波导口0.15mm。

11、进一步的,所述拐波导的截面为wr-10,长边为2.54mm,宽边为1.27mm,水平端和竖直端拐角处有一倒角,倒角长度为1.015mm。

12、第二方面,本技术提供一种w频段射频前端组件,包括第一方面所述的微带-同轴-波导转换结构。

13、与现有技术相比,本技术所达到的有益效果:

14、本技术提供的微带-同轴-波导转换结构,通过采用气密型同轴连接器连接微带线与阶梯转换结构,以实现与拐波导间的连接,射频信号通过气密型同轴连接器由平面传输转换为同轴传输,通过阶梯转换结构由同轴输出转换为波导传输,从而在保证密封性的前提下,实现信号的转换,以满足现有微波频射系统中的性能指标要求;

15、本技术提供的w频段射频前端组件,通过适配上述的微带-同轴-波导转换结构,能够解决w频段射频前端项目中微带传输转换为波导传输的难题,达到了w射频前端组件内裸芯片气密要求及工艺方案简化两者兼顾的效果。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种微带-同轴-波导转换结构,其特征在于,包括拐波导(1)、阶梯转换结构(2)和气密型同轴连接器(3),其中,

2.根据权利要求1所述的微带-同轴-波导转换结构,其特征在于,所述气密型同轴连接器(3)为玻璃绝缘子,玻璃体加外层金属直径为1.73mm,长度为1.4mm,内导体的直径为0.23mm,内导体一端长度为0.76mm,另一端长度为1mm,短的一端与微带线相连,长的一端与阶梯转换结构(2)相连。

3.根据权利要求2所述的微带-同轴-波导转换结构,其特征在于,所述阶梯转换结构(2)的三级阶梯宽度相同,均为1mm,第一级阶梯高度为0.8mm,长度为1.3mm,第二级阶梯高度为0.25mm,长度为0.1mm,第三级阶梯高度为0.2mm,长度为1mm。

4.根据权利要求3所述的微带-同轴-波导转换结构,其特征在于,所述第一级阶梯在高度0.45mm的位置开设有一圆柱形空腔,空腔的直径为0.25mm,长度为1mm,气密型同轴连接器(3)内导体长的一端伸入圆柱形空腔内。

5.根据权利要求1所述的微带-同轴-波导转换结构,其特征在于,所述阶梯转换结构(2)距离波导口0.15mm。

6.根据权利要求1所述的微带-同轴-波导转换结构,其特征在于,所述拐波导(1)的截面为WR-10,长边为2.54mm,宽边为1.27mm,水平端和竖直端拐角处有一倒角,倒角长度为1.015mm。

7.一种W频段射频前端组件,其特征在于,包括权利要求1-6任一项所述的微带-同轴-波导转换结构。

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【技术特征摘要】

1.一种微带-同轴-波导转换结构,其特征在于,包括拐波导(1)、阶梯转换结构(2)和气密型同轴连接器(3),其中,

2.根据权利要求1所述的微带-同轴-波导转换结构,其特征在于,所述气密型同轴连接器(3)为玻璃绝缘子,玻璃体加外层金属直径为1.73mm,长度为1.4mm,内导体的直径为0.23mm,内导体一端长度为0.76mm,另一端长度为1mm,短的一端与微带线相连,长的一端与阶梯转换结构(2)相连。

3.根据权利要求2所述的微带-同轴-波导转换结构,其特征在于,所述阶梯转换结构(2)的三级阶梯宽度相同,均为1mm,第一级阶梯高度为0.8mm,长度为1.3mm,第二级阶梯高度为0.25mm,长度为0.1mm,第三级阶梯高度为0.2mm,长度为...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘栋材
申请(专利权)人:航天科工微系统技术有限公司
类型:新型
国别省市:

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