【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及移动智能设备领域，具体涉及一种氧化锆复合陶瓷及其制备方法和应用。
技术介绍
1、随着5g技术的发展，移动智能设备对其后盖材料的性能提出了新的要求，特别是对其后盖材料的信号通过性能有更高的要求。传统的金属材料会产生电磁屏蔽效应，不能满足移动智能设备对其后盖材料的性能要求，氧化锆陶瓷材料具有良好的力学性能，温润的手感，以及优异的信号穿透性能，在5g通讯领域得到越来越多的应用。然而，在很多使用场景中，氧化锆陶瓷在跌落、挤压时容易出现破损。
2、因此，氧化锆陶瓷材料有待提高。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出氧化锆复合陶瓷及其制备方法和应用。采用该氧化锆复合陶瓷可以提高氧化锆陶瓷材料的断裂韧性和强度，有效解决氧化锆陶瓷在跌落、挤压时容易出现破损的问题，在移动智能设备领域具有广阔的应用前景。
2、在本专利技术的第一个方面，本专利技术提出了一种氧化锆复合陶瓷，根据本专利技术的实施例，所...
【技术保护点】
1.一种氧化锆复合陶瓷，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的氧化锆复合陶瓷，其特征在于，所述氧化锆强化层中单斜相氧化锆占所述氧化锆强化层的含量高于所述氧化锆陶瓷基质层中单斜相氧化锆占所述氧化锆陶瓷基质层的含量。
3.根据权利要求2所述的氧化锆复合陶瓷，其特征在于，所述氧化锆陶瓷基质层中单斜相氧化锆占所述氧化锆陶瓷基质层的含量为0.1～5wt％。
4.根据权利要求1所述的氧化锆复合陶瓷，其特征在于，所述氧化锆陶瓷基质层中所述氧化锆和稳定剂的摩尔比为(90～99):(1～10)。
5.根据权利要求1所述的氧化锆复合陶...
【技术特征摘要】
1.一种氧化锆复合陶瓷，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的氧化锆复合陶瓷，其特征在于，所述氧化锆强化层中单斜相氧化锆占所述氧化锆强化层的含量高于所述氧化锆陶瓷基质层中单斜相氧化锆占所述氧化锆陶瓷基质层的含量。
3.根据权利要求2所述的氧化锆复合陶瓷，其特征在于，所述氧化锆陶瓷基质层中单斜相氧化锆占所述氧化锆陶瓷基质层的含量为0.1～5wt％。
4.根据权利要求1所述的氧化锆复合陶瓷，其特征在于，所述氧化锆陶瓷基质层中所述氧化锆和稳定剂的摩尔比为(90～99):(1～10)。
5.根据权利要求1所述的氧化锆复合陶瓷，其特征在于，所述氧化锆复合陶瓷的厚度为0.4～1mm。
6.根据权利要求1所述的氧化锆复合陶瓷，其特征在于，所述氧化锆强化层中所述氧化锆和稳定剂的摩尔比为(95～99):(1～5)。
7.根据权利要求1所述的氧化锆复合陶瓷，其特征在于，所述氧化锆强化层的厚度为0.5～50μm。
8.根据权利要求1所述的氧化锆复合陶瓷，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：李和祯，林信平，杨清平，江品颐，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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