【技术实现步骤摘要】
本申请涉及玻璃领域，具体涉及一种三维微晶玻璃及其制备方法和应用。
技术介绍
1、盖板玻璃经过了从2d到2.5d到3d（三维）的发展过程，和传统2.5d玻璃、陶瓷盖板和金属背板相比，3d玻璃能够与柔性oled屏相结合，且其具有抗摔、耐磨、透明洁净、抗指纹、防眩光、耐候性佳的优点，因此已被广泛用作3c产品如智能手机、智能手表、平板电脑、仪表板和其他可穿戴产品的屏幕盖板。
2、但传统3d微晶玻璃在应用于盖板领域时，会存在光学性能变差的问题，且传统3d微晶玻璃在热弯晶化过程中会发生比较大的体积变化，进而导致3d微晶玻璃的翘曲较高。目前，解决3d微晶玻璃的翘曲问题，主要是通过“先污染，后治理”的方式，例如通过如单面抛光来修复形变，该方式虽然能够降低微晶玻璃的翘曲值，但抛光处理会导致微晶玻璃的强度降低。
技术实现思路
1、基于此，本申请提供一种三维微晶玻璃及其制备方法和应用。本申请提供的三维微晶玻璃具有优异的光学性能，且本申请从三维微晶玻璃内部组分的角度出发，使其能够获得翘曲值小的三维微晶玻璃，进而能够有效避免抛光处理所导致微晶玻璃强度降低。
2、本申请的第一方面，提供一种三维微晶玻璃，以质量百分数计，包括以下化学组分：sio2 65%~75%、al2o3 5%~11 %、li2o 7%~15%、b2o3 0.1%~1%、p2o5 0.5%~5%、zro2 0.5%~7%、na2o 0%~5%、k2o 0%~1%、mgo 0%~1%、cao 0%~1%、bao 0%~1
3、其中，所述三维微晶玻璃的晶相包括二硅酸锂晶相和透锂长石晶相，所述透锂长石晶相和所述二硅酸锂晶相的质量比为（0.8~0.95）：1；所述na2o、k2o、mgo、cao、bao、zno、tio2和sb2o3质量百分数的总和为1%~13%。
4、在其中一个实施例中，所述三维微晶玻璃中，所述二硅酸锂晶相的质量百分数为35%~45%。
5、在其中一个实施例中，所述三维微晶玻璃中，所述透锂长石晶相的质量百分数为28%~42%。
6、在其中一个实施例中，所述三维微晶玻璃中，所述二硅酸锂晶相和所述透锂长石晶相的质量百分数之和为63%~87%。
7、在其中一个实施例中，以质量百分数计，所述三维微晶玻璃包括以下化学组分：sio2 65%~73%、al2o3 5%~11%、li2o 7%~15%、b2o3 0.1%~1%、p2o5 2%~4.5%、zro2 0.5%~7%、na2o0.5%~5%、k2o 0%~1%、mgo 0%~1%、cao 0%~1%、bao 0%~1 %、zno 0.2%~1%、tio2 0.1%~2%以及sb2o3 0.2%~1%。
8、本申请的第二方面，提供一种本申请第一方面任一项实施例所述的三维微晶玻璃的制备方法，包括以下步骤：
9、取次晶化玻璃，所述次晶化玻璃的化学组分与本申请第一方面任一项实施例所述的三维微晶玻璃相同；
10、将所述次晶化玻璃进行热弯成型处理，制备所述三维微晶玻璃；
11、其中，所述热弯成型处理包括依次进行的预热处理、成型处理和冷却处理。
12、在其中一个实施例中，所述预热处理包括依次进行的阶段性升温预热和保温处理，所述保温处理的温度为740℃~800℃；在到达保温处理的温度之前，所述阶段性升温预热包括n个温度梯度，其中，n为大于等于5的正整数。
13、在其中一个实施例中，所述阶段性升温预热包括5个温度梯度，其中，所述阶段性升温预热包括依次进行的第一预热、第二预热、第三预热、第四预热和第五预热，所述第一预热的温度为380℃~420℃，所述第二预热的温度为530℃~570℃，所述第三预热的温度为580℃~620℃，所述第四预热的温度为630℃~670℃，所述第五预热的温度为700℃~740℃。
14、在其中一个实施例中，所述成型处理包括m个成型工艺段，m为3、4、5；
15、其中，第1个成型工艺段的温度与所述保温处理的温度的差值为-5℃~5℃。
16、在其中一个实施例中，m为4，所述成型处理包括依次进行的第1个成型工艺段、第2个成型工艺段、第3个成型工艺段和第4个成型工艺段；
17、所述成型处理的工艺参数包括：于735℃~805℃、0.02mpa~0.2mpa下进行第1个成型工艺段，升压至0.04mpa~0.4mpa进行第2个压型工艺段，继续升压至0.06mpa~0.6mpa进行第3个压型工艺段，升压至0.08mpa~0.8mpa进行第3个压型工艺段，降温至630℃~670℃、升压至0.1mpa~1mpa进行第4个压型工艺段。
18、在其中一个实施例中，所述冷却处理包括p个冷却工艺段，p为1、2或3。
19、在其中一个实施例中，p为3，所述冷却处理包括依次进行的第1个冷却工艺段、第2个冷却工艺段和第3个冷却工艺段；所述第1个冷却工艺段的温度为480℃~520℃，第2个冷却工艺段的温度为330℃~370℃，所述第3个冷却工艺段的温度为室温。
20、在其中一个实施例中，以质量百分数计，所述次晶化玻璃包括以下化学组分：sio265%~75%、al2o3 5%~11%、li2o 7%~15%、b2o3 0.1%~1%、p2o5 0.5%~5%、zro2 0.5%~7%、na2o 0%~5%、k2o 0%~1%、mgo 0%~1%、cao 0%~1%、bao 0%~1 %、zno 0%~1%、tio2 0%~2%以及sb2o3 0%~1%；其中，所述na2o、k2o、mgo、cao、bao、zno、tio2和sb2o3质量百分数的总和为1%~13%。
21、在其中一个实施例中，所述次晶化玻璃的晶相包括偏硅酸锂晶相、二硅酸锂晶相和透锂长石晶相；所述次晶化玻璃中偏硅酸锂晶相、二硅酸锂晶相和透锂长石晶相的质量百分数总和为20%~30%。
22、在其中一个实施例中，所述次晶化玻璃中透锂长石晶相、二硅酸锂晶相和偏硅酸锂晶相的质量百分数的比值为（0.82~1.15）：1：（1.4~4）。
23、在其中一个实施例中，所述次晶化玻璃的制备步骤包括：
24、取基体玻璃，将所述基体玻璃以5℃/min ~12℃/min的升温速率升温至530℃~650℃保温3h~8h进行核化处理；以0.5℃/min~8℃/min的升温速率升温至600℃~750℃进行晶化处理，冷却至室温后，制备所述次晶化微晶玻璃。
25、在其中一个实施例中，所述基体玻璃的制备步骤包括：
26、按照所述三维微晶玻璃的化学组成配料，于1450℃~1600℃下，制备熔融液；将所述熔融液成型后，制备所述基体玻璃。
27、本申请的第三方面，提供一种本申请第一方面任一项实施例所述的三维微晶玻璃在盖板材料领域的应用本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种三维微晶玻璃，其特征在于，以质量百分数计，包括以下化学组分：SiO2 65%~75%、Al2O3 5%~11%、Li2O 7%~15%、B2O3 0.1%~1%、P2O5 0.5%~5%、ZrO2 0.5%~7%、Na2O 0%~5%、K2O 0%~1%、MgO 0%~1%、CaO 0%~1%、BaO 0%~1 %、ZnO 0%~1%、TiO2 0%~2%以及Sb2O3 0%~1%；
2.根据权利要求1所述的三维微晶玻璃，其特征在于，所述三维微晶玻璃具有如下特征中的一种或多种：
3.根据权利要求1或2所述的三维微晶玻璃，其特征在于，以质量百分数计，包括以下化学组分：SiO2 65%~73%、Al2O3 5%~11%、Li2O 7%~15%、B2O3 0.1%~1%、P2O5 2%~4.5%、ZrO2 0.5%~7%、Na2O 0.5%~5%、K2O 0%~1%、MgO 0%~1%、CaO 0%~1%、BaO 0%~1 %、ZnO 0.2%~1%、TiO20.1%~2%以及Sb2O3 0.2%~1%。
4.一种权利要求1~3任一项所述的三
5.根据权利要求4所述的三维微晶玻璃的制备方法，其特征在于，所述预热处理包括依次进行的阶段性升温预热和保温处理，所述保温处理的温度为740℃~800℃；在到达保温处理的温度之前，所述阶段性升温预热包括n个温度梯度，其中，n为大于或等于5的正整数。
6.根据权利要求5所述的三维微晶玻璃的制备方法，其特征在于，所述阶段性升温预热包括5个温度梯度，
7.根据权利要求5或6所述的三维微晶玻璃的制备方法，其特征在于，所述成型处理包括m个成型工艺段，m为3、4、5；
8.根据权利要求4所述的三维微晶玻璃的制备方法，其特征在于，所述冷却处理包括p个冷却工艺段，p为1、2或3；
9.根据权利要求4~6任一项所述的三维微晶玻璃的制备方法，其特征在于，所述次晶化玻璃具有如下特征中的一种或多种：
10.根据权利要求9所述的三维微晶玻璃的制备方法，其特征在于，所述次晶化玻璃的制备步骤包括：
...【技术特征摘要】
1.一种三维微晶玻璃，其特征在于，以质量百分数计，包括以下化学组分：sio2 65%~75%、al2o3 5%~11%、li2o 7%~15%、b2o3 0.1%~1%、p2o5 0.5%~5%、zro2 0.5%~7%、na2o 0%~5%、k2o 0%~1%、mgo 0%~1%、cao 0%~1%、bao 0%~1 %、zno 0%~1%、tio2 0%~2%以及sb2o3 0%~1%；
2.根据权利要求1所述的三维微晶玻璃，其特征在于，所述三维微晶玻璃具有如下特征中的一种或多种：
3.根据权利要求1或2所述的三维微晶玻璃，其特征在于，以质量百分数计，包括以下化学组分：sio2 65%~73%、al2o3 5%~11%、li2o 7%~15%、b2o3 0.1%~1%、p2o5 2%~4.5%、zro2 0.5%~7%、na2o 0.5%~5%、k2o 0%~1%、mgo 0%~1%、cao 0%~1%、bao 0%~1 %、zno 0.2%~1%、tio20.1%~2%以及sb2o3 0.2%~1%。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵北玉，康庆伟，平文亮，青礼平，毛佳颖，梁益彬，陈秋蓉，肖子凡，
申请(专利权)人：清远南玻节能新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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